本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，用以降低用于实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔的深度，从而提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于钝化层之上的第二公共电极，该薄膜晶体管还包括：与像素电极同层设置的连接电极，其中，第一公共电极通过设置在栅极绝缘层上的第一过孔和连接电极相连，该连接电极通过设置在钝化层上的第二过孔与第二公共电极相连。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示面板系统领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-1XD)由于其体积小、重量轻、功耗低、适合制备大尺寸面板以及无辐射等优点，是目前的平板显示市场中的主流显示器。TFT-1XD主要由TFT基板和彩膜(CF)基板组成，其中TFT基板由一定数量的像素阵列构成，每个像素由一个TFT进行控制以显示图像。像素阵列可通过反复的薄膜沉积，掩膜曝光，刻蚀等工程完成。每个像素通常包含TFT、像素电极、公共电极、栅极线和数据线等。不同的显示模式电极之间的连接方式不同。以HADS产品为例，参见图1为现有技术中显示面板中像素单元的俯视图，图中91为与栅极连接的栅线，1022为第一公共电极，93为与TFT的漏极连接的数据线，94为与TFT的源极连接的源极线，104为TFT中的有源层，108为第二公共电极，98为第一公共电极与第二公共电极连接的过孔。图2是图1中沿着A1-A2方向以及D1-D2方向的截面图。从图2中可以看出，在衬底基板上从下向上依次包括栅极1021、栅极绝缘层103、有源层104、像素电极105、漏极1062、源极1061、钝化层107、以及位于钝化层之上的第二公共电极108，其中与栅极同层设置的还有第一公共电极1022，且第一公共电极1022与第二公共电极108通过过孔98进行连接，且该过孔的深度包括栅极绝缘层和钝化层的厚度之和。因此过孔通常较深，会引发相关的不良。比如，由于过孔通常较深，当过孔的坡度角较大时，很容易造成搭接不良，形成断线，在显示画面形成亮点；此外，较深的过孔在PI涂覆时时很容易扩散不均，形成不良，对显示画面有很大影响。综上所述，现有技术中的薄膜晶体管实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔只有一个，该过孔深度包括栅极绝缘层和钝化层的厚度之和，因此该过孔的深度较深，使得第二公共电极搭接第一公共电极的成功率较低，从而增加了 PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，用以降低用于实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔的深度，从而提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于所述钝化层之上的第二公共电极，所述薄膜晶体管还包括:与所述像素电极同层设置的连接电极，其中，所述第一公共电极通过设置在所述栅极绝缘层上的第一过孔和所述连接电极相连，该连接电极通过设置在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。通过本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，在像素电极同层设置连接电极，以及在位于第一公共电极上的栅极绝缘层上设置第一过孔，使得第一过孔与连接电极相连；然后在位于连接电极上的钝化层设置第二过孔，使得连接电极通过第二过孔与第二公共电极相连。因此，第一公共电极通过第一过孔、连接电极以及第二过孔与第二公共电极相连，即通过两个过孔和位于这两个过孔之间的连接电极实现了第一公共电极与第二公共电极的连接，从而每一过孔的深度较浅，分别为栅极绝缘层的厚度和钝化层的厚度，连接电极通过第一过孔搭接第一公共电极的成功率会很高，同样，第二公共电极通过第二过孔搭接连接电极的成功率也会很高，从而整体上可以提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。较佳地，所述薄膜晶体管还包括:与所述源漏极层同层设置的第三公共电极，其中所述第三公共电极与所述连接电极相连，且所述第三公共电极通过在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。通过在源漏极同层设置第三公共电极，以及在第三公共电极上方的钝化层设置第二过孔，使得第三公共电极与连接电极相连，从而降低了第一公共电极与第二公共电极之间的电阻。较佳地，所述连接电极为透明导电层。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的阵列基板。本专利技术实施例提供了一种本专利技术提供的薄膜晶体管的制作方法，在衬底基板上依次形成栅极、第一公共电极、栅极绝缘层，其中，栅极和第一公共电极位于同一层，该方法包括:在所述栅极绝缘层上沉积有源层，并在所述第一公共电极上的栅极绝缘层上形成第一过孔；在所述有源层上沉积像素电极，以及在所述第一过孔处沉积连接电极，使得所述连接电极通过所述第一过孔与所述第一公共电极相连；沉积漏极和源极；沉积钝化层，并在所述连接电极上的钝化层上形成第二过孔；在所述钝化层上沉积第二公共电极，使得第二公共电极通过所述第二过孔与所述连接电极相连。通过本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法，在像素电极同层设置连接电极，以及在位于第一公共电极上的栅极绝缘层上设置第一过孔，使得第一过孔与连接电极相连；然后在位于连接电极上的钝化层设置第二过孔，使得连接电极通过第二过孔与第二公共电极相连。因此，第一公共电极通过第一过孔、连接电极以及第二过孔与第二公共电极相连，即通过两个过孔和位于这两个过孔之间的连接电极实现了第一公共电极与第二公共电极的连接，从而每一过孔的深度较浅，分别为栅极绝缘层的厚度和钝化层的厚度，连接电极通过第一过孔搭接第一公共电极的成功率会很高，同样，第二公共电极通过第二过孔搭接连接电极的成功率也会很高，从而整体上可以提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。而且，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管不会增加新的Mask。较佳地，该方法还包括:在沉积漏极和源极的同时，沉积第三公共电极，使得所述第三公共电极与所述连接电极相连；沉积钝化层，并在所述第三公共电极上的钝化层上形成第二过孔；在所述钝化层上沉积第二公共电极，使得第二公共电极通过所述第二过孔与所述第三公共电极相连。较佳地，在所述栅极绝缘层上沉积有源层，并在所述第一公共电极上的栅极绝缘层上形成第一过孔，包括:刻蚀位于所述第一公共电极上方的栅极绝缘层，形成第一过孔；通过掩膜曝光形成位于所述栅极绝缘层之上的有源层；或者，通过掩膜曝光形成位于所述栅极绝缘层之上的有源层；刻蚀位于所述第一公共电极上方的栅极绝缘层，形成第一过孔。较佳地，所述连接电极为透明导电层。【附图说明】图1为现有技术提供的一种薄膜晶体管的俯视示意图；图2为现有技术提供的一种薄膜晶体管的截面示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第二种薄膜晶体管的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的俯视图；图6为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图7为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的结构示意图之一；图8为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的结构示意图之当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于所述钝化层之上的第二公共电极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：与所述像素电极同层设置的连接电极，其中，所述第一公共电极通过设置在所述栅极绝缘层上的第一过孔和所述连接电极相连，该连接电极通过设置在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜涛，韩俊号，宋博韬，林亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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