【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及半导体存储器装置及方法，且更特定地说，涉及存储器单元结构及其形成方法。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(R0M)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、自旋转矩转移随机存取存储器(STTRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM;也被称为磁随机存取存储器)、导电桥接随机存取存储器(CBRAM)等等。—些类型的存储器装置可为非易失性存储器，且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的广泛范围的电子应用。非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态硬盘(SSD)、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝电话、智能手机、平板计算机、便携式音乐播放器(例如，MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置等等中。程序代码及系统数据(例如基本输入/输出系统(B1S))通常存储于非易失性存储器装置中。举例来说，许多存储器装置(例如...
【技术保护点】
一种形成存储器单元的方法，其包括：在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠；在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在所述通孔内形成可编程材料堆叠；及移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：史考特·E·西利士，D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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