半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及具有与大电流容量相对应的配线连接构造的半导体装置和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
在对大电流进行通断(switching)的半导体装置中，半导体元件的元件电极与外部电极的连接需要与大电流相适应。在该连接中使用通过导线键合法而实现的固相接合的情况下，由铝等制成的、线径较大的多个金属导线并联地进行导线键合。为了应对更大的电流、更高的电压，需要使并联连接的金属导线的数量增多，或者使金属导线的线径增大。在进行这种应对的情况下，由于接合所需的电极面积变大，因此半导体装置的大小会变大。另夕卜，从构造及安装方面考虑，这种应对的困难性提高。因此，也提出有除了导线键合法以外的技术。根据日本特开2008-182074号公报(专利文献I)，公开有下述技术，即，将铜板即外部电极、和半导体元件的元件电极利用焊料进行直接接合。由此，能够实现减小电阻并能够进行大电流通电的连接。根据日本特开2010-272711号公报(专利文献2)，公开有下述技术，S卩，形成适当厚度的Ni层作为焊料接合用的金属膜，由此提高焊料接合时的可靠性。通过优化Ni厚度，从而能够更加良好地兼顾工艺可行性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有：半导体元件(101)；元件电极(103)，其设置于所述半导体元件的表面；以及金属膜(105)，其设置于所述元件电极上，具有内侧区域(105a)和位于所述内侧区域周围的外侧区域(105b1～105b3)，在所述金属膜中设置有在所述内侧区域及所述外侧区域之间将所述元件电极露出的开口(TR、SP、IL)，所述元件电极具有比所述金属膜的焊料浸润性低的焊料浸润性，该半导体装置还具有外部电极(117)，该外部电极(117)与所述金属膜的所述内侧区域进行焊料接合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田洋辅，中野诚也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP