封装基板及其制法制造技术

技术编号:12280226 阅读:123 留言:0更新日期:2015-11-05 15:58
一种封装基板及其制法,该制法先于一承载板上形成多个第一导电部,于各该第一导电部上形成金属柱,于该金属柱的端面上形成对位层,于该承载板上形成封装体,以包覆该第一导电部、金属柱与对位层,于各该对位层上的封装体中形成导电盲孔,并于该封装体的顶面与导电盲孔上形成第二导电部,以构成多个导电结构,最后移除该承载板,以外露该第一导电部。本发明专利技术令对位层的横截面积大于金属柱及导电盲孔,以缩小金属柱及导电盲孔的尺寸,以提高布线密度与其它电子组件的设置密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤指一种具有电子组件的。
技术介绍
如图1所示,现有的模压式内部连接型系统(molded interconnect1n system,简称MIS)的封装基板通过将多个第一导电部11连接多个金属柱12,并将该多个金属柱12连接多个第二导电部13,再以封装体14包覆该第一导电部11与金属柱12 ;然而,该金属柱12的高宽比太大时,电镀该金属柱12的效果不佳,但现今的电容高度的规格通常都在110微米(Pm)以上,因此,如果要在前述封装基板中嵌埋电容,则必须增加该金属柱12的高度。为了增加该金属柱12的高度,业界遂进行改良,如图2所示,将金属柱12分成第一子金属柱121与第二子金属柱122两段并分开电镀制作。但是,制作步骤越多,累积的制造公差就越多,为了维持第二导电部13的原有面积,该第一子金属柱121的范围就必须大于该第二子金属柱122的范围,以利该第一子金属柱121提供该第二子金属柱122足够的对位裕度;同理,为了使该第一导电部11提供该第一子金属柱121足够的对位裕度,该第一导电部11的范围也必须大于该第一子金属柱121的范围,这大幅增加该第一导电部11的本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/CN105023899.html" title="封装基板及其制法原文来自X技术">封装基板及其制法</a>

【技术保护点】
一种封装基板,包括:封装体,其具有相对的顶面及底面;多个导电结构,其嵌埋于该封装体中,且各该导电结构包括:第一导电部,其嵌埋于该封装体中,且外露出该底面;及依序形成于该第一导电部上的金属柱、对位层及导电盲孔,该导电盲孔的一端外露出该顶面,令各该对位层的垂直投影面积大于各该金属柱的垂直投影面积,且令各该对位层的垂直投影面积大于各该导电盲孔的垂直投影面积;第二导电部,其形成于该导电盲孔与顶面上;以及电子组件,其包埋于该封装体中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:唐绍祖何祈庆蔡瀛洲
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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