本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法，属于显示技术领域。所述TFT阵列基板包括：基板；形成在基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于栅线和数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；该TFT阵列基板还包括：与像素电极电性连接的焊接金属；焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域，该目标走线是指栅线或者公共电极线。本发明专利技术解决了现有技术直接将像素电极与栅线或公共电极线进行焊接容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败概率大的问题；将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率和维修成功率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法。
技术介绍
TFT阵列基板在生产过程中，会发生TFT开关损坏的问题，导致产生像素亮点。采用像素暗点化的方式可以对像素亮点进行维修，提高产品良率。首先，通过切割漏极，断开漏极与像素电极之间的电性连接；然后，通过将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接，使得像素电极与栅线或者公共电极线电性连接，从而达到像素暗点化的目的。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:由于像素电极通常是由ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)材料制成的，ITO材料质脆，在将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大。
技术实现思路
为了解决现有技术在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时的成功率低，维修失败的概率大的问题，本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板、显示面板、制造方法及维修方法。所述技术方案如下:第一方面，提供了一种TFT阵列基板，包括:基板；形成在所述基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；其中，所述TFT阵列基板，还包括:与所述像素电极电性连接的焊接金属；所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。可选地，所述像素电极通过过孔与所述焊接金属电性连接。可选地，所述过孔为圆孔，且所述圆孔的直径为6?15um ；或者，所述过孔为方孔，且所述方孔的边长为6?15um。可选地，所述像素电极与所述焊接金属直接搭接。可选地，所述焊接金属与所述数据线位于同一层中。可选地，所述目标走线包括:呈条状的走线本体以及与所述走线本体电性连接的焊接部;所述焊接金属在所述基板上的投影区域与所述焊接部在所述基板上的投影区域之间形成有所述交叠区域。可选地，所述焊接部的长度为6?18um，宽度为3?5um。可选地，所述交叠区域全部或部分位于连接投影区域之外；其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。可选地，所述交叠区域全部或部分位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外。可选地，所述焊接金属的长度为6?18um，宽度为3?5um，厚度为I?3um。可选地，所述交叠区域的宽度为2?8um，长度为3?18um。第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括如第一方面所述的TFT阵列基板。第三方面，提供了一种TFT阵列基板的制造方法，所述方法包括:在基板上形成栅线、公共电极线、数据线、像素电极以及与所述像素电极电性连接的焊接金属；其中，所述像素电极位于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中，所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。第四方面，提供了一种如第一方面所述的TFT阵列基板的维修方法，所述方法包括:对所述数据线中形成的漏极进行切割，断开所述漏极与所述像素电极之间的电性连接；对所述交叠区域进行焊接，使得所述焊接金属与所述目标走线之间形成电性连接。可选地，所述对所述交叠区域进行焊接，包括:对所述交叠区域中位于连接投影区域之外的区域进行焊接；其中，所述连接投影区域是指所述像素电极与所述焊接金属形成所述电性连接的连接区域在所述基板上的投影区域。可选地，所述对所述交叠区域进行焊接，包括:对所述交叠区域中位于所述像素电极在所述基板上的投影区域之外的区域进行焊接。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果包括:通过形成与像素电极电性连接的焊接金属，且该焊接金属在基板上的投影区域与目标走线在基板上的投影区域之间形成有交叠区域。这样，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，通过对上述交叠区域进行焊接，使得焊接金属与目标走线之间形成电性连接。解决了现有技术直接将像素电极与栅线或者公共电极线进行焊接时容易产生ITO崩裂，导致焊接成功率低，维修失败的概率大的问题。实现了将金属与ITO之间的焊接转化为金属与金属之间的焊接，有效减少ITO崩裂发生，提高了焊接成功率，进而提高了 TFT阵列基板的维修成功率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是一种现有的TFT阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；图3是图2所示的TFT阵列基板沿AA方向的剖面图；图4是本专利技术实施例提供的另一 TFT阵列基板的结构不意图；图5是图4所示的TFT阵列基板沿BB方向的剖面图；图6是本专利技术实施例提供的再一TFT阵列基板的结构示意图；图7是图6所示的TFT阵列基板沿CC方向的剖面图；图8是本专利技术一个实施例提供的TFT阵列基板的制造方法的流程图；图9是本专利技术一个实施例提供的TFT阵列基板的维修方法的流程图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。在对本专利技术实施例进行介绍和说明之前，首先对现有的TFT阵列基板及其维修方法做简单介绍。请参考图1，其示出了一种现有的TFT阵列基板的结构示意图。图1仅是TFT阵列基板的一部分，本领域技术人员可以理解TFT阵列基板包括多个图1所示的部分，此处仅以此部分为例进行说明。如图1所示，该TFT阵列基板包括:基板(图中未示出)；形成在基板之上的栅线I1、公共电极线12和数据线13;以及，形成于栅线11和数据线13交叉形成的像素单元区域中的像素电极14。栅线11包括有栅极111，数据线13包括有源极131和漏极132。栅极II1、源极131和漏极132构成薄膜晶体管。包含有TFT阵列基板的显示面板分为常白模式和常黑模式两种不同类型。针对TFT开关损坏的问题，在采用像素暗点化的方式对像素亮点进行维修时，对于常白模式的显示面板，需要将像素电极与栅线进行焊接，而对于常黑模式的显示面板，需要将像素电极与公共电极线进行焊接。如图1所示，以将像素电极与栅线进行焊接为例，可采用当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括：基板；形成在所述基板之上的栅线、公共电极线和数据线；以及，形成于所述栅线和所述数据线交叉形成的像素单元区域中的像素电极；其特征在于，所述TFT阵列基板，还包括：与所述像素电极电性连接的焊接金属；所述焊接金属在所述基板上的投影区域与目标走线在所述基板上的投影区域之间形成有交叠区域，所述目标走线是指所述栅线或者所述公共电极线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任兴凤，方冲，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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