【技术实现步骤摘要】
]本专利技术涉及一种，所述光器件晶片在蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面隔着缓冲层层叠有光器件层，所述加工方法中，将光器件晶片的光器件层转移至移设基板。在光器件制造工序中，夹着缓冲层，在大致圆板形状的蓝宝石基板、碳化硅基板等外延基板的表面层叠由GaN (氮化镓)、INGaP (铟?镓?磷)或者ALGaN (铝.氮化镓)构成的包含η型半导体层和P型半导体层的光器件层，在由多个间隔道划分出的以格子状形成的多个区域形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。然后，通过将光器件晶片沿间隔道分割来制造出一个个的光器件(例如，参考专利文献I)。此外，作为提高光器件的亮度的技术，在下述专利文献2中公开了如下被称作剥离(lift-off)的制造方法:将夹着缓冲层层叠于构成光器件晶片的蓝宝石基板或碳化硅等外延基板的表面的包含η型半导体层和P型半导体层的光器件层通过AuSn (金锡)等接合材料接合于钼(Mo)、铜(Cu)、硅(Si)的移设基板，通过从外延基板的背面侧透过外延基板照射缓冲层能够吸收的波长的激光光线来破坏缓冲层，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件...
【技术保护点】
一种光器件晶片的加工方法，其是夹着缓冲层在外延基板的表面层叠有光器件层的光器件晶片的加工方法，该加工方法的特征在于，所述加工方法包括：移设基板接合工序，借助接合材料在光器件晶片的光器件层的表面接合移设基板；缓冲层破坏工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射外延基板对其有透过性且缓冲层对其有吸收性的波长的脉冲激光光线，对缓冲层进行破坏；和光器件层移设工序，实施该缓冲层破坏工序后，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件层移设至移设基板，实施该缓冲层破坏工序前，实施树脂覆盖工序，在外延基板的背面覆盖能透过激光光线的树脂，进行平坦化。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森数洋司，小柳将，田畑晋，服部奈绪，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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