【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用石墨烯作缓冲层生长III族氮化物体的方法，旨在提高III族氮化物的晶体质量，属于III族氮化物晶体的生长
技术介绍
以氮化镓为代表的第三代半导体材料，是最重要的宽带隙半导体之一。氮化镓具有一系列优良的性能，包括宽的带隙范围、优良的光、电性质和优异的材料机械性质使其在在高亮度蓝、绿光发光二极管、蓝色激光器和紫外探测器等领域有着广阔的应用潜力和良好的市场前景。III族氮化物材料单晶的获取非常困难，成本也很高，难以作为III族氮化物外延器件的衬底。目前III族氮化物材料一般生长在异质衬底上，衬底与外延层之间存在晶格失配和热失配，会在外延层内产生较大的应力和较高的位错密度，严重影响了 III族氮化物基器件性能的进一步提升；或者，在异质衬底上用HVPE方法生长厚的III族氮化物层，然后再用MOCVD方法生长薄的器件层，这种方法成本高，同样也存在衬底与III族氮化物之间晶格失配和热失配的问题。对于异质衬底上生长III族氮化物层，为了缓解III族氮化物外延层与衬底之间的应力，有研宄者采用石墨烯作为衬底与III族氮化物外延层之间的缓冲层，...
【技术保护点】
一种III族氮化物外延晶体，其特征在于：自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。
【技术特征摘要】
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