【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
在TFT-1XD成盒工艺前需要在TFT以及CF基板上分别进行配向膜(PI)印刷以及配向处理。目前常用的PI配向处理方法是拓印Rubbing工艺，通过Rubbing摩擦工艺进行配向，使配向膜对液晶分子具有配向控制力，保证液晶分子能够沿着正确的方向排列。随着分辨率和开口率以及对比度的需求越来越高，Rubbing工艺逐渐被光配向技术取代。光配向使用紫外光对光敏感度高、稳定性好的配向材料进行光配向，具有高开口、高对比度、快速响应等优点，同时可以有效防止Rubbing工艺中的静电释放ESD高发不良、降低PI的各种条纹和颗粒不良。但是，光配向过程使用紫外光照射时，会影响像素结构中TFT器件的有源层特性，导致漏电流变大，从而影响TFT特性，导致产生串扰等不良。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，其中，上述薄膜晶体管的性能不会受到光配向过程中紫外光照射的影响。为达到上述目的，本专利...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，其特征在于，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋萍，李红敏，薛伟，董职福，古宏刚，李小和，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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