本发明专利技术公开了一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置。该显示基板包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和公共电极层，像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极；第一像素电极和相邻的第二像素电极之间形成IPS电场；第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场；第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。本发明专利技术中，IPS电场提高了电极之间的光透过率且FFS电场提高了电极边缘的光透过率，从而提高了显示装置的光透过率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显 示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，市场对显示装置的画面品质也提出了更高的要求。而 边缘场开关（Fringe Field Switching，简称：FFS)模式和平面转换（In-Plane Switching， 简称：IPS)模式因自身所具备的高亮度、真彩色、超宽视角等优点，成为了近些年来各大液 晶显示器（Liquid Crystal Display，简称：IXD)厂商竞相追逐的先进显示技术。上述两种 显示模式共同的特点是均通过水平电场控制液晶的旋转，从而实现对透射光的控制。 对于FFS模式的显示装置，通常在电压开启的状态（on state)下像素电极边缘的 水平电场最强，从像素电极边缘到两个像素电极之间的水平电场呈下降趋势，因此在同一 驱动电压的情况下，像素电极边缘的光透过率最大，两个像素电极之间的位置光透过率较 小且最中间的位置呈现出极小值。FFS模式的显示装置对像素电极边缘的光透射控制的较 好。 对于IPS模式的显示装置，通常在电压开启的状态（on state)下像素电极和公共 电极之间的水平电场最强像素电极边缘和公共电极边缘的水平电场较弱，而像素电极边缘 和公共电极边缘垂直电场较强。因此，在上述电场的排布下，像素电极和公共电极之间的光 透过率相对较高，而像素电极边缘和公共电极边缘的光透过率则相对较低。IPS模式的显示 装置对像素电极和公共电极之间的光透射控制的较好。 综上所述，FFS模式的显示装置中两个像素电极之间的位置光透过率较小，而IPS 模式的显示装置中像素电极边缘和公共电极边缘的光透过率较低。因此，现有技术中的显 示装置的光透过率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置，用于提高显示装 置的光透过率。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示基板，包括：衬底基板和位于衬底基板上 方的像素电极层和公共电极层，所述像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，所述像 素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极； 所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场； 所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。 可选地，所述公共电极层包括多个公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极 和所述第二像素电极相对设置； 所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。 可选地，所述像素电极层位于所述公共电极层的上方，所述第一像素电极位于相 对设置的公共电极的正上方，所述第二像素电极位于相对设置的公共电极的正上方。 可选地，所述公共电极的宽度大于所述第一像素电极的宽度，所述公共电极的宽 度大于所述第二像素电极的宽度。 可选地，所述公共电极的宽度与所述第一像素电极的宽度的差值包括2ym至 6 ym，所述公共电极的宽度与所述第二像素电极的宽度的差值包括2 ym至6 ym。 可选地，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像素 电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为有机膜时，所述第一像素电极的宽度包 括lym至4 ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括4 ym至 10 ym，相邻的所述公共电极之间的距离包括2 ym至8 ym，所述钝化层的厚度包括2000 A 至 9000 A。 可选地，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层，所述第一像 素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为无机膜时，所述第一像素电极的宽度 包括lym至4 ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离包括6 ym 至14 ym，相邻的所述公共电极之间的距离包括4 ym至10 ym，所述钝化层的厚度包括 8000 A 至 4 ym。 可选地，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离大于或等于 8 y m且小于或等于10 y m。 可选地，所述第一像素电极上加载第一驱动信号，所述第二像素电极上加载第二 驱动信号，所述公共电极上加载第三驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号不 同，所述第三驱动信号和所述第一驱动信号的差值为所述第三驱动信号和所述第二驱动信 号的差值的负值。 可选地，所述第一像素电极和第二像素电极均为条状结构； 所述公共电极为条状结构或者板状结构。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示装置，包括相对设置的对置基板和上述 显示基板，所述对置基板和所述显示基板之间设置有液晶。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示基板的制造方法，包括： 在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层，所述绝缘层位于所述 像素电极层和公共电极层之间，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二 像素电极，所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场，所述第一像 素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场，所述第二像素电极和所述公共电极层之间形 成FFS电场。 可选地，所述在衬底基板的上方形成像素电极层、绝缘层和公共电极层包括： 在所述衬底基板的上方形成公共电极层； 在所述衬底基板的上方形成绝缘层，所述绝缘层位于所述公共电极层上方； 在所述衬底基板的上方形成像素电极层，所述像素电极层位于所述绝缘层上方。 可选地，所述绝缘层包括保护层和位于所述保护层上方的钝化层； 所述在所述衬底基板的上方形成公共电极层包括：在衬底基板之上形成公共电 极层、栅线和栅极；所述在所述衬底基板的上方形成绝缘层包括：在衬底基板之上形成保 护层、有源层、源极、漏极和数据线，在衬底基板之上形成钝化层，并在钝化层上形成第一过 孔，所述像素电极层通过第一过孔和漏极连接。 可选地，所述在所述衬底基板的上方形成绝缘层还包括：在钝化层和保护层上形 成第二过孔；所述在所述衬底基板的上方形成像素电极层之后包括：在衬底基板之上形成 公共电极连接线，公共电极连接线通过第二过孔和公共电极连接结构连接。 可选地，所述公共电极层包括多个公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极 和所述第二像素电极相对设置； 所述第一像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场； 所述第二像素电极和相对设置的公共电极之间形成FFS电场。 可选地，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为有机膜时， 所述第一像素电极的宽度包括lum至4 ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电 极之间的距离包括4 y m至10 y m，相邻的所述公共电极之间的距离包括2 y m至8 y m，所述 钝化层的厚度包括2000 A至9000 A。 可选地，所述第一像素电极和第二像素电极的宽度相同，所述钝化层为无机膜时， 所述第一像素电极的宽度包括lym至4 ym，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电 极之间的距离包括6 y m至14 y m，相邻的所述公共电极之间的距离包括4 y m至10 y m，所 述钝化层的厚度包括8000 A至4 ym。 可选地，相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的距离大于或等于 8 y m且小于或等于10 y m。 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于衬底基板上方的像素电极层和公共电极层，所述像素电极层和公共电极层之间形成有绝缘层，所述像素电极层包括交替设置的多个第一像素电极和第二像素电极；所述第一像素电极和相邻的所述第二像素电极之间形成IPS电场；所述第一像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场；所述第二像素电极和所述公共电极层之间形成FFS电场。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：栗芳芳，文锺源，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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