基于双层图形的光学临近效应修正方法技术

本发明专利技术公开了一种基于双层图形的光学临近效应修正方法，包括以下步骤：首先提供原始版图数据；接着对原始版图数据进行选择性目标尺寸调整；然后判断本层图形和上层图形之间的关系，并对目标图形进行尺寸调整；最后将上述各类结果进行整合，并进行基于模型的光学邻近效应修正，输出最终的OPC数据。本发明专利技术提供的一种基于双层图形的光学临近效应修正方法，在OPC目标尺寸调整过程中引入上层图形做为修正参考，当检测到本层图形由于尺寸调整对上层图形造成影响时，对目标尺寸进行调整补偿，以满足金属层对上层孔的包围度要求，相对于传统光学临近效应修正方法，金属层对上层孔的包围度降提高5％～20％，大大提高工艺稳定度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造
，涉及一种。
技术介绍
在半导体制程中，为将集成电路(IC，Integrated Circuit)的电路图案转移至半导体芯片上，需要将集成电路的电路图案设计为掩膜版图案，再将该掩膜版图案从掩膜版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸持续缩小，以及曝光机台的分辨率极限的影响，在对高密度排列的掩膜版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学临近效应(OPE, Optical Proximity Effect)。例如直角转角圆形化(Right-angledcornerrounded)、直线末端紧缩(Line End Shortened)以及直线线宽增加/缩减(Lineffidthlncrease/Decrease)等都是常见的光学临近效应导致的掩膜版图形转化缺陷。在现有光刻工艺中，为了克服上述问题，需要对光掩膜版图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correct1n，简称OPC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。在实际光刻工艺中，为增大工艺窗口，OPC会对设计图形进行尺寸调整，传统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于双层图形的光学临近效应修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供原始版图数据；步骤S02、对原始版图数据进行选择性目标尺寸调整；步骤S03、判断本层图形和上层图形之间的关系，并对目标图形进行尺寸调整；步骤S04、将上述各类结果进行整合；步骤S05、进行基于模型的光学邻近效应修正，输出最终的OPC数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈翰，魏芳，张旭昇，朱骏，吕煜坤，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31