形成掩模板图形的方法技术

一种形成掩模板图形的方法，包括：提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。可有效减小甚至消除掩模板工艺极限对制造图形质量的影响，后续可制造出质量更高的光刻图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为OPE (Optical Proximity Effect,光学邻近效应)。为了修正OPE 现象,便产生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光学邻近效应修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE现象的考虑建立OPC模型，根据OPC模型设计掩模板图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应掩模板图形发生了 OPC现象，但是由于在根据OPC模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。然而，实际制造过程中，采用现有OPC模型制造出的图形质量仍然有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，可有效提高后续制造的图形质量。为解决上述问题，本专利技术提供一种，包括:提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。可选的，还包括:修改原始线状图形长度方向上与所述终端相邻片段相邻的其他片段，使新的线状图形沿长度方向上的两个相对片段之间的距离由终端向中间递减。可选的，在修改所述原始线状图形之前，先根据掩模板工艺极限对用户目标图形进行预判断，获取所述用户目标图形中后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形；对所述后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形进行修改，形成新的线状图形。可选的，所述对用户目标图形进行预判断的方法为:以所述用户目标图形为基础，在OPC模型中形成初始掩模板图形，所述初始掩模板图形具有多个子掩模图形，所述子掩模图形与用户目标图形中的原始线状图形相对应；获取各相邻子掩模图形之间的距离；当相邻子掩模图形之间的距离小于掩模板工艺极限时，对与该相邻子掩模图形相对应的原始线状图形进行标记，被标记的原始线状图形为后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形。可选的，以OPC模型中形成的掩模板图形为基础，制作掩模板。可选的，以具有掩模板图形的掩模板对晶圆表面的光刻胶层进行曝光、显影，形成实际的光刻图形。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点:在获取到原始线状图形后，修改原始线状图形的两个相对的终端相邻片段之间的距离，形成新的线状图形，使得新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离增大。以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成的掩模板图形中，其与原始线状图形的终端相邻片段相对应的边之间的距离增大，而与原始线状图形的终端相对应的边之间的距离可进一步缩小，从而可有效减小甚至消除掩模板工艺极限对制造图形质量的影响，后续可制造出质量更高的光刻图形。进一步地，在修改所述原始线状图形之前，先根据掩模板工艺极限对用户目标图形进行预判断，获取所述用户目标图形中后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形；后续仅对所述后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形进行修改，形成新的线状图形，可在保证制造出的光刻图形的质量的基础上，进一步提高工作效率。【附图说明】图1是现有技术的掩模板上的掩模板图形示意图；图2是采用现有技术制造出的图形与用户目标图形之间的对比示意图；图3是本专利技术实施例的的流程示意图；图4是本专利技术实施例的用户目标图形的示意图；图5是掩模板图形与用户目标图形中的原始线状图形之间的关系示意图；图6是本专利技术实施例形成的新的线状图形与原始线状图形之间的对比示意图；图7是本专利技术实施例形成的掩模板图形与新的线状图形、原始线状图形之间的示意图；图8是本专利技术实施例制造出的图形与用户目标图形之间的对比示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
所述，现有技术的OPC模型制造出的图形质量仍然有待提高。经过研究发现，随着高工艺节点的出现，形成掩模板图形的过程中，受到的限制因素越来越多，最主要的限制因素有:设计规则(Design Rule)，例如，相邻图形之间的最小距离，图形的最小线宽等；掩模板工艺极限(Mask Writing)，即对应工艺节点下掩模板上图形之间所允许的最小距离，例如，掩模板工艺极限为0.0175mm，若设计出的掩模板图形中相邻图形之间的距离小于0.0175mm，则又可能导致掩模板上该处的两个图形连成一体。因此，现有技术在根据目标图形形成掩模板图形时，除了需要考虑对应的光刻工艺参数外，还需要考虑设计规则、掩模板工艺极限等因素的影响。经过研究发现，在采用OPC模型形成掩模板图形时，存在如图1中虚线处的情况:为满足掩模板工艺极限的要求，形成的掩模板图形中第一线状图形10与第二线状图形11之间的距离D最小只能设计与掩模板工艺极限相同，例如，第一线状图形10与第二线状图形11之间的距离D最小只能设计成0.0175mm。前述做法随之带来的问题请参考图2，为了使第一线状图形10与第二线状图形11之间的距离D满足掩模板工艺极限的要求，间接的缩短了用户目标图形(虚线所示)的长度，因此，后续采用前述掩模板图形制作掩模板，采用所述掩模板对光刻胶层进行曝光、显影，后续实际形成的实际图形(实线所示)的长度则与用户目标图形的长度不同，第一实际图形30与第一用户目标图形20之间的长度至少相差L1，第二实际图形31与第二用户目标图形21之间的长度至少相差L2，影响后续制造出的图形质量。经过进一步研究，提供了一种新的，为了防止出现上述情况，在利用OPC模型中形成掩模板图形前，先对用户目标图形中的线状图形进行修改，增大靠近线状图形终端处的两个相对的终端相邻片段之间的距离。此种方法形成掩模板图形，其形成方法简单，且后续制造出的图形的质量好。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。请参考图3，本专利技术实施例的，包括:步骤S101，提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段位于原始线状图形的终端，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；步骤S102，修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；步骤S103，以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。具体地，请结合参考图4，提供用户目标图形200，所述用户目标图形200中包括多个原始线状图形(line) 201，每一原始线状图形201具有两个相对的终端相邻片段(line-end adjacent) 201a,所述终端相邻片段201a与原始线状图形的终端(line-end)201b相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段201a之间具有第一距离Diq如前文所述，现有技术受掩模板工艺极限的限制，后续制造出的图形质量有待提高。通过研究发现，上述掩模板工艺极限的情况通常出现在掩模板图形中与原始线状图形201的终端201本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成掩模板图形的方法，其特征在于，包括：提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31