掩模图形的制造方法和掩模图形技术

本发明专利技术是关于一种掩模图形的制造方法和掩模图形，属于显示技术领域。所述方法包括：在曲面衬底基板上形成膜层；在所述膜层上形成目标掩模图形，所述目标掩模图形包含有多个图形单元，每个所述图形单元在第一平面上的正投影不等间距排布，所述第一平面为所述曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面。本发明专利技术通过在曲面衬底基板上形成在第一平面上的正投影不等间距排布的掩模图形，其中第一平面为曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面，解决了相关技术中黑矩阵可能无法完全阻挡改变了方向的背景光的泄露，继而会产生漏光的问题；达到了能够更好的避免因为背景光方向改变而造成的漏光的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种掩模图形的制造方法和掩模图形。
技术介绍
黑矩阵(BlackMatrix，BM)是沉积在衬底基板上的不透光部分。它的主要作用是防止背景光泄漏，提高显示对比度，防止混色和增加颜色的纯度。相关技术中有一种BM制造方法，该方法首先在衬底基板上形成BM层，之后在形成有BM层的衬底基板上形成光刻胶层，之后通过包含有阵列排布的不透光区域的平面的BMMask对形成有光刻胶层的衬底基板进行曝光显影，最后对曝光显影后的衬底基板进行刻蚀，并去除剩余光刻胶完成BM的制造。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现上述方式至少存在如下缺陷：在曲面显示装置中，背景光的照射方向会发生改变(相对于平面显示装置)，而通过上述BMMask在曲面显示装置中的曲面衬底基板上形成的BM可能无法完全阻挡改变了方向的背景光的泄露，继而会产生漏光的问题。
技术实现思路
为了解决相关技术中BM可能无法完全阻挡改变了方向的背景光的泄露，继而会产生漏光的问题，本专利技术提供了一种掩模图形的制造方法和掩模图形。所述技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，提供一种掩模图形的制造方法，所述方法包括：在曲面衬底基板上形成膜层；在所述膜层上形成目标掩模图形，所述目标掩模图形包含有多个图形单元，每个所述图形单元在第一平面上的正投影不等间距排布，所述第一平面为所述曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面。可选的，所述图形单元之间的间距沿所述曲面衬底基板的曲面中部向外的方向逐渐增大。可选的，所述在所述膜层上形成目标掩模图形包括：通过第一掩膜版在所述膜层上形成所述目标掩模图形。可选的，所述通过第一掩膜版在所述膜层上形成所述目标掩模图形之前，所述方法还包括：在透明基板上形成光阻挡层；采用第二掩膜版在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成掩模图形，得到所述第一掩膜版，所述第二掩膜版上设置有不等间距排布的不透光区域。可选的，所述采用第二掩膜版在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成掩模图形，得到所述第一掩膜版之前，所述方法还包括：通过预设平面掩膜版在与所述曲面衬底基板形状相同的曲面基板上形成所述掩模图形，所述预设平面掩膜版上包含有阵列排布的不透光区域；将所述掩模图形平铺在平面透明基板上构成所述第二掩膜版。可选的，所述采用第二掩膜版在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成掩模图形，得到所述第一掩膜版，包括：在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成光刻胶层；采用所述第二掩膜版对形成有所述光刻胶层的透明基板进行曝光；对曝光后的透明基板进行显影、刻蚀得到所述第一掩膜版。可选的，所述在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成光刻胶层之前，所述方法还包括：在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成抗反射层；所述在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成光刻胶层，包括：在形成有所述抗反射层的透明基板上形成所述光刻胶层。可选的，所述曲面基板为所述曲面衬底基板。可选的，所述目标掩模图形为黑矩阵图形。根据本专利技术的第二方面，提供一种掩模图形，所述掩模图形包含根据第一方面提供的掩模图形的制造方法制造的目标掩模图形，用于曲面显示装置。本专利技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过在曲面衬底基板上形成在第一平面上的正投影不等间距排布的掩模图形，其中第一平面为曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面，解决了相关技术中BM可能无法完全阻挡改变了方向的背景光的泄露，继而会产生漏光的问题；达到了能够更好的避免因为背景光方向改变而造成的漏光的效果。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1-1是本专利技术实施例示出的一种掩模图形的制造方法的流程图；图1-2是图1-1所示实施例中曲面衬底基板的结构示意图；图2-1是本专利技术实施例示出的另一种掩模图形的制造方法的流程图；图2-2是图2-1所示实施例中对曲面基板进行曝光的示意图；图2-3是图2-1所示实施例中形成了掩模图形的曲面基板的结构示意图；图2-4是图2-1所示实施例中第二掩膜版的结构示意图；图2-5是图2-1所示实施例中透明基板的结构示意图；图2-6是图2-1所示实施例中形成第一掩膜版的流程图；图2-7是图2-1所示实施例中透明基板的结构示意图；图2-8是图2-1所示实施例中对透明基板进行曝光的示意图；图2-9是包含相关技术中的方法制造的黑矩阵的曲面显示装置的结构示意图。上述各个附图中的附图标记为：c-曲面衬底基板，t-目标掩模图形的图形单元，m-第一平面，tm-目标掩模图形，j、j1、j2、j3、j4-投影间距，11-预设掩膜版，12-掩模图层，l-激光，13-曲面基板，12-a-掩模图形，t1-掩模图形的图形单元，14-平面透明基板，15-透明基板，16-光阻挡层，17-抗反射层，18-光刻胶层，y-第二掩膜版，d-曲面中部，Q-曲面显示装置，w-曲面中部向外的方向，Z-需要黑矩阵遮挡的区域，lg-漏光，BM-黑矩阵。通过上述附图，已示出本专利技术明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1-1是本专利技术实施例示出的一种掩模图形的制造方法的流程图，该方法能够用于制造掩模图形。该掩模图形的制造方法可以包括如下几个步骤：在步骤101中，在曲面衬底基板上形成膜层。在步骤102中，在膜层上形成目标掩模图形，目标掩模图形包含有多个图形单元，每个图形单元在第一平面上的正投影不等间距排布，第一平面为曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面。本步骤结束时曲面衬底基板的结构如图1-2所示，其中目标掩模图形tm形成于曲面衬底基板c上，图形单元t在第一平面m上正投影的间距左起分别为j1、j2、j3、j4，且j1、j2、j3、j4不全相等。综上所述，本专利技术实施例提供的掩模图形的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模图形的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在曲面衬底基板上形成膜层；在所述膜层上形成目标掩模图形，所述目标掩模图形包含有多个图形单元，每个所述图形单元在第一平面上的正投影不等间距排布，所述第一平面为所述曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面。

【技术特征摘要】
1.一种掩模图形的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在曲面衬底基板上形成膜层；
在所述膜层上形成目标掩模图形，所述目标掩模图形包含有多个图形单元，
每个所述图形单元在第一平面上的正投影不等间距排布，所述第一平面为所述
曲线衬底基板的两条直线边所确定的平面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述图形单元之间的间距沿所述曲面衬底基板的曲面中部向外的方向逐渐
增大。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述膜层上形成目标
掩模图形包括：
通过第一掩膜版在所述膜层上形成所述目标掩模图形。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过第一掩膜版在所述
膜层上形成所述目标掩模图形之前，所述方法还包括：
在透明基板上形成光阻挡层；
采用第二掩膜版在形成有所述光阻挡层的透明基板上形成掩模图形，得到
所述第一掩膜版，所述第二掩膜版上设置有不等间距排布的不透光区域。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用第二掩膜版在形成
有所述光阻挡层的透明基板上形成掩模图形，得到所述第一掩膜版之前，所述
方法还包括：
通过预设平面掩膜版在与所述曲面衬底基板形状相同的曲面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇鹏，李小龙，田超，占红明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11