一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术，该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，这样，在进行阴极沉积时，阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，即可实现阴极图案的制造，简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺，同时，可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置。
技术介绍
随着显不技术的发展，AMOLED(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode,是有源矩阵有机发光二极体面板)以其良好的显示性能，具体有良好的发展前景。实现透明AMOLED显示的方法包括使用透明阴极(cathode)的方法和形成未沉积阴极材料的特定区域(透过窗)的方法。使用透明阴极的方法可以提高面板(panel)的透过率，实现透明显示。如图Ia和图Ib所示，在图Ia所示的图案的基板上形成透明阴极，形成图Ib所示 的图案，即在基板的全部区域上沉积透明阴极。虽然在基板的全部区域沉积透明阴极具有工艺便利性，但是透明阴极相比现有的满足EL (Electroluminescence,场致发光)特性的传统阴极材料(conventional cathodematerial)，会导致EL特性及寿命降低的问题，且具有透明特性的阴极材料种类较少，也具有局限性。所以，使用透明cathode的方法需要开发具有良好的透过率和良好的电极特性的材料和工艺，并且相比使用现有的不透明阴极电极材料具有EL特性差的缺点。为解决上述问题，产生了一种形成未沉积阴极的特定区域的方法实现透明AMOLED。在面板上的部分区域不沉积阴极材料，也可以实现透明显示，即在各像素区域上形成透明的区域，整体上可以确保透过率。若透过窗的尺寸设计较佳，还可以改善透过率且提高可见性(visibility)。通常,不沉积不透明阴极材料的区域记载为TW (TransparentWindow,透过窗或透明窗),如图2a所示,在进行阴极沉积时,通过调节F1DL (Pixel DesginLayer，像素界定层)的大小，形成透过窗，沉积阴极材料后的基板如图2b所示。为了在使用现有的阴极材料铝(Al)或镁银(Mg:Ag)的同时实现透明AM0LED，需要在像素的某一区域内形成透过窗。但是，使用FMM(Fine MetalMask，高精度金属掩膜板)形式进行透过窗形成时，需要经过多次掩膜的对齐，沉积较困难，使得透过窗的制造工艺比较复杂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置，以简化透过窗的制造工艺。—种掩膜板,包括网格图案掩膜板以及固定在所述网格图案掩膜板上的透过窗图案掩膜板，所述网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案掩膜板的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案掩膜板以外的区域实现沉积。一种掩膜板的制造方法，包括蚀刻加工形成网格图案掩膜板；形成透过窗图案掩膜板，并将所述透过窗图案掩膜板固定在所述网格图案掩膜板上。一种使用本专利技术实施例提供的掩膜板制造阵列基板的方法，包括在玻璃基板上放置所述掩膜板，所述掩膜板的透过窗图案掩膜板紧贴所述玻璃基板；喷洒阴极材料蒸汽，在所述玻璃基板上贴紧透过窗图案掩膜板以外的区域沉积阴极材料。一种阵列基板，使用本专利技术实施例提供的阵列基板制造方法制造。 一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置，该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，这样，在进行阴极沉积时，阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，即可实现阴极图案的制造，简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺，同时，可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极附图说明图Ia为现有技术中像素区结构示意图；图Ib为现有技术中透明阴极结构示意图；图2a为现有技术中透过窗结构示意图；图2b为现有技术中具有透过窗的传统阴极结构示意图；图3a为本专利技术实施例提供的掩膜板结构示意图；图3b为图3a的B-B’面截面图；图3c为本专利技术实施例提供的掩膜板中网格图案掩膜板结构示意图；图4a为本专利技术实施例提供的具有基础透过窗图案的网格图案掩膜板结构示意图；图4b为图4a的A_A’面截面图；图5为本专利技术实施例提供的具有掩膜框架的掩膜板结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的掩膜板制造方法流程图；图7为本专利技术实施例提供的透过窗制造方法流程图；图8为本专利技术实施例提供的透过窗制造过程状态示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置，该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，这样，在进行阴极沉积时，阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，即可实现阵列基板中阴极图案的制造，简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺，同时，可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。如图3a和图3b所示，其中图3b是图3c的B_B’截面图，本专利技术实施例提供的掩膜板，包括网格图案以及设置在网格图案掩膜板上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度b与透过窗图案的厚度h，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积。其中，网格图案可以设置在网格图案掩膜板301上；透过窗图案可以设置在透过窗图案掩膜板302上；其中，透过窗图案掩膜板固定在网格图案掩膜板上。或者，在制作网格图案掩膜板时，可以直接将透过窗图案制作在网格图案掩膜板上，即刻蚀网格图案掩膜板时直接刻蚀出透过窗图案，只要网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案的厚度满足要求即可。 其中，网格图案掩膜板301的示意图如图3c所示。为使得阴极材料沉积时，能够较好的实现连接，网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度b小于O. Imm较佳，网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度为O. 05mm左右更佳。透过窗图案掩膜板的厚度h为O. Imm或大于O. Imm较佳。具体的网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度b与透过窗图案掩膜板的厚度h，可以根据实际情况由本领域技术人员设定。网格图案掩膜板可以使用镍铁合金材质，可以通过蚀刻方式形成网格图案掩膜板，较佳的，该镍铁合金可以具体为因瓦合金(Invar36 )。为便于透过窗图案掩膜板的固定，可以在网格图案掩膜板上固定透过窗图案掩膜板的位置设置有基础透过窗图案，该基础透过窗图案的形状大小与透过窗掩膜板相同，以便于透过窗掩膜板固定在网格图案掩膜板上的基础透过窗图案上，如图4a和图4b所示，其中图4b是图4a的A-A’截面图，该基础透过窗图案可以在蚀刻网格图案时一并完成。透过窗图案掩膜板可以使用镍材质，在具体实现时，可以通过电铸的方式形成透过窗图案掩膜板，即，直接在基础透过窗图案上电铸形成具有一定厚度h的透过窗图案掩膜板。为便于掩膜板的使用，如图5所示，该掩膜板可以进一步包括掩膜框架303，可以将网格图案掩膜板通过拉伸焊接的方式固定在掩膜框架303上。本专利技术实施例相应提供一种掩膜板的制造方法，如图6所示，包括步骤S601、加工形成网格图案掩膜板，该网格图案掩膜板如图3c所示；步骤S602、形成透过窗图案掩膜板，将透过窗图案掩膜板固定在网格图案掩膜板上。其中，步骤S601中，可以使用刻蚀的方式加工形成网格图案掩膜板，在步骤S602中，可以使用电铸的方式形成透过窗图案掩膜板，当然，本领域技术人员也可以采用其他可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，其特征在于，包括：网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，所述网格图案的网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李周炫，梁逸南，洪瑞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：