一种光学临近修正的方法技术

本发明专利技术涉及一种光学临近修正的方法，包括：步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。本发明专利技术所述OPC修正方法的优点在于所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimens1n,⑶),随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。为了避免出现上述问题，通常对所述掩膜版进行光学临近修正(OpticalProximity Correct1n, 0PC),所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理,进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。随着器件尺寸的不断缩小,光刻工艺窗口(Litho process window)缩小，导致所述蚀刻过程中焦点以及能量的变化(variat1n),从形成更多的缺陷点或者潜在的缺陷点(weak points),现有技术中光学临近修正的流程图如图1所示,首先执行光刻步骤,然后执行光学临近修正步骤，然后执行检查核实步骤，执行常规的以及工艺窗口的光学临近修正步骤，对所述光学临近修正进行核实，接着对缺陷点进行检测，若缺陷点的检测没有问题，则通过，进行掩膜板的制备，进行物理晶圆的实际生产，若所述缺陷点的检测出现问题，则需要返回到最初的步骤进行全部的检测，这样以来浪费了大量的时间，使整个OPC过程延长，效率降低。因此，需要对目前的光学临近修正方法作进一步的改进，以便消除上述时间过于冗长的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供了一种光学临近修正方法，包括:步骤(a)根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤(b)选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口 OPC模拟和检查步骤；步骤(C)查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤(d)，若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口 OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤(d)根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。作为优选，所述步骤(a)进一步包括以下步骤:步骤(a-Ι)收集提供的版图图案的数据；步骤(a-2)根据步骤(a-1)中所述数据以及所述目标版图的设计规则进行逻辑运算；步骤(a-3)根据所述逻辑运算结果，输出OPC模型；步骤(a-4)对所述OPC模型进行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。作为优选，所述步骤(b)中常规模拟是指不考虑外界不良干扰，例如不考虑在实际生产工艺中各种误差因素以及实际生产中各变量的影响，在设定的最佳条件下进行模拟。作为优选，所述工艺窗口 OPC模拟是在考虑实际生产工艺的影响因素之后进行的模拟。作为优选，所述步骤(C)中，在自动修正之后，在对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟之前，还包含对修正后的缺陷点进行常规模拟的步骤。作为优选，所述步骤(C)进一步包含以下步骤:步骤(C-1)在查找到缺陷点后，根据缺陷点自动修正规则对所述缺陷点进行自动修正；步骤(c-2)将修正后的所述缺陷点进行工艺窗口 OPC模拟；步骤(c-3)进一步查找缺陷点，若没有查找到缺陷点，则输出该模型，以作为最终OPC模型，执行步骤(d);若仍查找到缺陷点，则重复执行步骤(C-1)和步骤(C-2)至没有缺陷点为止。作为优选，所述步骤(c-3)中还进一步包含以下子步骤:(c-3-l)若在步骤(c-2)中仍查找到缺陷点，则重复执行步骤(c-1)和步骤(c_2)，重复自动修正后没有查找到缺陷点，则输出所述最终OPC模型；(c-3-2)重复自动修正步骤后，仍然查找到缺陷点，则查看所述缺陷点是否在非核心区，若所述缺陷点在非核心区则对所述缺陷点的所述自动修正规则进行改进，然后继续执行步骤(c-1)和步骤(c-2)，重复该步骤至缺陷点消失为止。作为优选，所述自动修正规则通过所述目标版图设计规则进行制定。作为优选，所述步骤(C)中还进一步包括以下步骤:对所述缺陷点进行自动修正后，进一步重新检查其它位置是否产生新的缺陷点。作为优选，若在其他部位产生新的缺陷点，则对所述新的缺陷点进行自动修正，至所述新的缺陷点消失为止。本专利技术中优化了光学临近修正方法中输出OPC模型的方法，在所述方法中增加了对缺陷点(weak point)的自动修正(auto correct1n)的步骤，以节省整个OPC过程的时间。所述方法中包括3个步骤:(1)根据图案设计规则以及自动修正规则，自动修正(modify)目标缺陷点(target weak point) ; (2)执行OPC模拟以及工艺窗口 OPC模拟验证的步骤，来重新确定缺陷点的位置(迭代过程)；(3)输出自动修正结果和最终OPC模型，并用于进行核查。本专利技术所述的OPC修正方法对于没有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间没有增加，对于具有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间仅仅增加了 10%，相对于现有技术节省了大量的时间。本专利技术所述OPC修正方法的优点在于:(I)本专利技术所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。(2)仅仅含有缺陷点的芯片的OPC修正运行时间增加10%，相比针对整个芯片重新运行OPC修正节省了大量的时间。(3)所述OPC修正方法应用广泛，特别适用于在后段制程中图层的输出。【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1为现有技术中光学临近修正的流程示意图；图2为本专利技术的一【具体实施方式】中所述光学临近修正的流程示意图；图3a_3d为本专利技术的【具体实施方式】中对缺陷点的检测的示意图。【具体实施方式】在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学临近修正的方法，包括：步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王铁柱，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11