光学邻近修正模型的获取方法技术

一种光学邻近修正模型的获取方法，包括：获取用户目标图形，对所述用户目标图形进行光学邻近修正，获得修正后掩膜版图形；得到修正后掩膜版图形的光强信息；若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息，则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入光学邻近修正模型数据库。如此，采用光强信息比较方式，增加了光学邻近修正模型数据库中的掩膜版图形，对于客户新的电路设计图形，数据库可以实现完全覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光学邻近修正模型的获取方法。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，每隔18月到24个月就会更新换代。表征集成电路制造技术的一个关键参数最小特征尺寸即关键尺寸，从最初的125微米发展到现在的0.13微米甚至更小，这使得每个芯片上集成几百万个元器件成为可能。光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻对芯片性能的提高有着革命性的贡献。在光刻工艺开始之前，集成电路的结构会先通过特定的设备复制到一块较大（相对于生产用的硅片而言）的材质为石英玻璃的掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光（例如为248纳米的紫外光），将掩膜版上集成电路的结构复制到生产所用的硅片上。电路结构在从掩膜版复制在硅片过程中，会产生失真，尤其在工艺进入0.13微米及以下的阶段，这种失真若不加以改正，会造成整个制造技术的失败。上述失真的原因主要是光学邻近效应（Optical Proximity Effect，OPE），即由于投影曝光系统是一个部分相干光成像的系统，理想像的强度频谱幅值沿各向有不同的分布，但由于衍射受限及成像系统的非线性滤波造成能量损失，导致空间发生圆化和收缩的效应。要改正这种失真，半导体业界的普遍做法是利用预先在掩膜版上进行结构补偿的方法，这种方法称之为光学邻近修正（OPC）。OPC的基本思想是：对集成电路设计的图形进行预先的修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的OPE效应。因此，使用经过OPC的图形做成的掩膜版，经过光刻以后，在硅片上能得到最初目标电路结构。现有的光学邻近修正模型中的掩膜版图形（test pattern）一般是存在数据库内以供调用的。然而，数据库内存的已有掩膜版数量有限，对于客户新的电路设计图形，无法实现完全覆盖。有鉴于此，本专利技术提供一种光学邻近修正模型的获取方法加以解决。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是数据库内存的已有掩膜版数量有限，对于客户新的电路设计图形，无法实现完全覆盖。为解决上述问题，本专利技术提供一种光学邻近修正模型的获取方法，包括：获取用户目标图形，对所述用户目标图形进行光学邻近修正，获得修正后掩膜版图形；得到修正后掩膜版图形的光强信息；若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息，则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入所述光学邻近修正模型数据库。可选地，所述修正后掩膜版图形的光强信息包括：修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值；得到修正后掩膜版图形的光强信息包括：获得修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线，根据所述空间光强分布曲线获得所述曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率，并以光刻胶曝光参考阈值与所述空间光强分布曲线的交点为中心，在第一空间范围内寻找光强最大值、光强最小值；所述已有掩膜版图形的光强信息包括：已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值；修正后掩膜版图的光强信息与已有掩膜版图形的光强信息相一致为：所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值分别与已有掩膜版图形对应各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值相等。可选地，修正后掩膜版图形各片段的边切分参数与已有掩膜版图形各片段的边切分参数相同。可选地，所述边切分参数包括步长。可选地，所述第一空间范围至少为（2.5λ/NA）/（1+δ），λ为曝光波长，NA为数值孔径，δ为曝光光源光斑大小。可选地，所述修正后掩膜版图形周围相干半径至少为：（20λ/NA）/（1+δ），λ为曝光波长，NA为数值孔径，δ为曝光光源光斑大小。可选地，所述修正后掩膜版图形各片段的光刻胶曝光参考阈值相等。可选地，所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。可选地，所述已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：1）为了克服数据库内存的已有掩膜版数量有限，而造成的对于客户新的电路设计图形，无法实现完全覆盖的问题，本专利技术提出对数据库内存的掩膜版数量进行增加，且增加的方式是采用比较按现有光学邻近修正方法对用户目标图形进行修正后的掩膜版图形的光强信息是否与光学邻近修正模型数据库内已有的掩膜版图形的光强信息相一致，若不一致，则将用户目标图形修正后的掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入光学邻近修正模型数据库。上述方法采用光强信息比较方式，避免了仅靠比较尺寸时，例如边缘布置误差（Edge Placement Error，EPE），若新的用户目标图形在整体设计版图上周围还存在第三图形，该第三图形会与用户目标图形在曝光过程中相互干涉，从而造成用户目标图形的修正不准确问题。此外，本方案不仅记录了光强信息、修正后掩膜版图形，还记录了修正后掩膜版图形周围相干半径，也避免了仅记录修正后掩膜版图形周围第三图形存在与否造成的用户目标图形的修正不准确问题。2）可选方案中，用户目标图形修正后的掩膜版图形的光强信息包括：所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值，上述第一空间范围是以光刻胶曝光参考阈值与所述空间光强分布曲线的交点为中心的一定搜寻范围（search range）；所述已有掩膜版图形的光强信息包括：所述已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值；上述第一空间范围也是以光刻胶曝光参考阈值与所述空间光强分布曲线的交点为中心的一定搜寻范围（search range）；修正后掩膜版图形的光强信息与已有掩膜版图形的光强信息相一致为：所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值分别与已有掩膜版图形对应各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近修正模型的获取方法，其特征在于，包括：获取用户目标图形，对所述用户目标图形进行光学邻近修正，获得修正后掩膜版图形；得到修正后掩膜版图形的光强信息；若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息，则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入所述光学邻近修正模型数据库。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正模型的获取方法，其特征在于，包括：
获取用户目标图形，对所述用户目标图形进行光学邻近修正，获得修正
后掩膜版图形；
得到修正后掩膜版图形的光强信息；
若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相
一致的已有掩膜版图形的光强信息，则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、
修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入所述光学邻近修正模型数据库。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正模型的获取方法，其特征在于，所述
修正后掩膜版图形的光强信息包括：修正后掩膜版图形各片段的空间光强
分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大
值、光强最小值；
得到修正后掩膜版图形的光强信息包括：获得修正后掩膜版图形各片段
的空间光强分布曲线，根据所述空间光强分布曲线获得所述曲线在光刻胶曝
光参考阈值处的斜率，并以光刻胶曝光参考阈值与所述空间光强分布曲线的
交点为中心，在第一空间范围内寻找光强最大值、光强最小值；
所述已有掩膜版图形的光强信息包括：已有掩膜版图形各片段的空间光
强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大
值、光强最小值；
修正后掩膜版图形的光强信息与已有掩膜版图形的光强信息相一致为：
所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处
的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11