【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法。
技术介绍
1、电荷耦合器件在军事、工业监控、安防监控等领域有广泛应用，随着工艺水平提高，ccd朝着更大象素和阵列尺寸发展，以满足日益增长的应用需求，虽然大阵列ccd芯片所用晶圆可以满足要求，但光刻机最大曝光区域却不能满足ccd需求，因此需要采用拼接曝光的方式进行光刻工艺制作。
2、相比于正常光刻工艺的层间对准技术，掩模拼接既需要考虑层间对准，还必须考虑同层图形的对准问题。拼接处经常会发生变形、不连贯、线条变宽或变窄等图形缺陷问题，特别是如果光刻后续是刻蚀工艺，后续的刻蚀步骤会进一步放大光刻拼接产生的图形缺陷，严重影响工艺制作图形质量，最终会影响大阵列ccd性能指标。
3、但是现有的量测方式，难以全面监控同层图形的对准情况，量测精度较低。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何提高掩模组件拼接的对准量测精度。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种掩模板，包括：至少1个第一量测图形结构；所述第一量测图形结构包括：第一参考图形组，所述第一参考图形组包括：均沿第一方向延伸的第一条状图形和第二条状图形，所述第一条状图形和所述第二条状图形沿第二方向平行排列，其中所述第二方向垂直所述第一方向；第一量测图形组，沿所述第二方向，所述第一量测图形组位于所述第一参考图形组的一侧，所述第一量测图形组包括：均沿第一方向延伸的第三条状图形、第四条状图形和第五条状图形，所述第
3、可选的，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形的长度相等。
4、可选的，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的一个等于所述第三条状图形的长度。
5、可选的，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的另一个大于所述第三条状图形的长度。
6、可选的，沿所述第二方向，所述第一参考图形组和所述第一量测图形组之间的距离与参考间距的比值在5至10范围内，其中所述参考间距为沿所述第二方向，所述第一条状图形和所述第二条状图形之间的距离。
7、可选的，沿所述第一方向，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形等间距排列。
8、此外，本专利技术还提供一种掩模板，包括：至少1个第二量测图形结构；所述第二量测图形结构包括：第二参考图形组，所述第二参考图形组包括：均沿第一方向延伸的第一条状图形和第二条状图形，所述第一条状图形和所述第二条状图形沿第二方向平行排列，其中所述第二方向垂直所述第一方向；第二量测条状图形，沿所述第二方向，所述第二量测条状图形位于所述第二参考图形组的一侧，所述第二量测条状图形呈沿第一方向延伸的条状。
9、可选的，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的一个与所述第二量测条状图形的长度相等。
10、可选的，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的另一个小于所述第二量测条状图形的长度。
11、可选的，沿所述第二方向，所述第二参考图形组和所述第二量测条状图形之间的距离与参考间距的比值在5至10范围内，其中所述参考间距为沿所述第二方向，所述第一条状图形和所述第二条状图形之间的距离。
12、相应的，本专利技术还提供一种掩模组件，包括：第一掩模板，所述第一掩模板为本专利技术的一个掩模板；第二掩模板，所述第二掩模板为本专利技术的另一个掩模板；所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形。
13、可选的，沿所述第一方向，所述第一掩模板的第三条状图形、第四条状图形和所述第五条状图形中，两两之间的间距与设计间距之间的比值在5至10范围内，其中所述设计间距为图形设计中，所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形时，第三条状图形、第四条状图形和所述第五条状图形中的至少1个与第二量测条状图形之间的距离。
14、另外，本专利技术还提供一种半导体结构的形成方法，包括：
15、提供基板和掩模组件，所述掩模组件为本专利技术的掩模组件；将所述掩模组件的图形转移至所述基板上，将所述掩模组件的图形转移至所述基板上的步骤包括：将下层掩模板的图形转移至所述基板以形成第一图形化金属层，所述下层掩模板为所述第一掩模板和所述第二掩模板中的一个；将上层掩模板的图形转移至所述第一图形化金属层以形成第二图形金属层，所述上层掩模板为所述第一掩模板和所述第二掩模板中的另一个。
16、相应的，本专利技术还提供一种半导体结构，所述半导体结构由前述半导体结构的形成方法形成。
17、此外，本专利技术还提供一种半导体结构的量测方法，所述半导体结构为本专利技术的半导体结构，
18、所述半导体结构包括：第二图形化金属层；所述第二图形化金属层包括：至少1个第一量测结构，所述第一量测结构为所述第一量测图形结构转移至所述基板所形成，所述第一量测结构包括：第一参考电容和第一量测极板组，所述第一参考电容包括：第一金属条和第二金属条，所述第一量测极板组包括：第三金属条、第四金属条和第五金属条；至少1个第二量测结构，所述第二量测结构为所述第二量测图形结构转移至所述基板所形成，所述第二量测结构包括：第二参考电容和第二量测极板，所述第二参考电容包括：第一金属条和第二金属条；所述量测方法包括：根据所述第二图形化金属层的至少1个第一量测结构和至少1个第二量测结构，量测拼接偏移量。
19、可选的，测量第二量测电容的电容值，获得拼接电容值；测量第一量测电容的电容值和第三量测电容的电容值中的至少一个，获得平移电容值；根据所述拼接电容值，获得拼接方向的偏移量；根据所述平移电容值，并结合所述拼接方向的偏移量，获得平移方向的偏移量，其中所述平移方向垂直所述拼接方向；其中，所述第一量测电容包括：第三金属条和第二量测极板；所述第二量测电容包括：第四金属条和第二量测极板；所述第三量测电容包括：第五金属条和第二量测极板。
20、可选的，量测拼接偏移量的步骤还包括：测量所述第一参考电容和所述第二参考电容中至少一个的电容值以获得参考电容值；获得拼接方向的偏移量的步骤中，根据所述拼接电容值和所述参考电容值，获得所述拼接方向的偏移量；获得偏移方向的偏移量的步骤中，根据所述平移电容值、所述拼接方向的偏移量和所述参考电容值，获得所述偏移方向的偏移量。
21、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
22、本专利技术技术方案中，由包括第一掩模板和第二掩模板的掩模组件所构成的半导体结构包括：第二图形化金属层，所述第二图形化金属层包括：至少1个第一量测结构和至少1个第一量测结构；根据所述第二图形化金属层的至少1个第一量测结构和至少1个第一量测结构，量测拼接偏移量。根据电学性能测试结果，监控掩模拼接情况，精度更高，能够准确判断图形对准情况，也为线上缺陷扫描增加了监测位置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第一量测图形结构；
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形的长度相等。
3.如权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的一个等于所述第三条状图形的长度。
4.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的另一个大于所述第三条状图形的长度。
5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一参考图形组和所述第一量测图形组之间的距离与参考间距的比值在5至10范围内，其中所述参考间距为沿所述第二方向，所述第一条状图形和所述第二条状图形之间的距离。
6.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形等间距排列。
7.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第二量测图形结构；
8.如权利要求7所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状
9.如权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的另一个小于所述第二量测条状图形的长度。
10.如权利要求7所述的掩模板，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二参考图形组和所述第二量测条状图形之间的距离与参考间距的比值在5至10范围内，其中所述参考间距为沿所述第二方向，所述第一条状图形和所述第二条状图形之间的距离。
11.一种掩模组件，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的掩模组件，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一掩模板的第三条状图形、第四条状图形和所述第五条状图形中，两两之间的间距与设计间距之间的比值在5至10范围内，其中所述设计间距为图形设计中，所述第一掩模板的图形和所述第二掩模板的图形拼接以获得完整的掩模图形时，第三条状图形、第四条状图形和所述第五条状图形中的至少1个与第二量测条状图形之间的距离。
13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求13所述的半导体结构的形成方法形成。
15.一种半导体结构的量测方法，其特征在于，所述半导体结构如权利要求14所述；
16.如权利要求15所述的量测方法，其特征在于，量测拼接偏移量的步骤包括：
17.如权利要求16所述的量测方法，其特征在于，量测拼接偏移量的步骤还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第一量测图形结构；
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形的长度相等。
3.如权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的一个等于所述第三条状图形的长度。
4.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的另一个大于所述第三条状图形的长度。
5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一参考图形组和所述第一量测图形组之间的距离与参考间距的比值在5至10范围内，其中所述参考间距为沿所述第二方向，所述第一条状图形和所述第二条状图形之间的距离。
6.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第三条状图形、所述第四条状图形和所述第五条状图形等间距排列。
7.一种掩模板，其特征在于，包括：至少1个第二量测图形结构；
8.如权利要求7所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的一个与所述第二量测条状图形的长度相等。
9.如权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述第一条状图形的长度和所述第二条状图形的长度中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱宏亮，段培业，张天夫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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