【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光掩模的形成方法。
技术介绍
1、近年来，各种半导体元件均朝缩小面积的方向发展，而决定半导体体元件面积的最关键制作工艺之一即为光刻制作工艺(photolithography)。半导体元件中各种结构的关键尺寸(critical dimension，cd)都是由光刻制作工艺来决定，因此，为了缩小半导体元件的面积，势必需要提升光刻制作工艺的相关技术。
2、一般而言，光致抗蚀剂层上的显影后图案的目标关键尺寸(target cd)是决定光刻制作工艺的分辨率的重要因素。目前，为了缩小显影后图案的目标关键尺寸，可使用波长短的光源进行曝光。然而，随着目标关键尺的缩小，对于光刻制作工艺的精确度的要求也必须提高。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种光掩模的形成方法，所形成的光掩模可以提升光刻制作工艺的精确度。
2、本专利技术的至少一实施例提供一种光掩模的形成方法，包括以下步骤。提供第一目标图案，其中第一目标图案包括第一图案区以及第二图案区。第一图案区包括宽度为p1的...
【技术保护点】
1.一种光掩模的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，其中基于所述第二目标图案形成所述光掩模包括：
3.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，其中部分所述条状图案重叠于所述第一侧壁重设区，且另一部分所述条状图案未重叠于所述第一侧壁重设区。
4.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，还包括：
5.如权利要求4所述的光掩模的形成方法，其中PA以及SA被定义成：
6.如权利要求4所述的光掩模的形成方法，其中在所述第一目标图案中，所述条状图案各自的宽度P2小于1.09倍的PA，且大于或等于PA。>
7.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种光掩模的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，其中基于所述第二目标图案形成所述光掩模包括：
3.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，其中部分所述条状图案重叠于所述第一侧壁重设区，且另一部分所述条状图案未重叠于所述第一侧壁重设区。
4.如权利要求1所述的光掩模的形成方法，还包括：
5.如权利要求4所述的光掩模的形成方法，其中pa以及sa被定义成：
6.如权利要求4所述的光掩模的形成方法，其中在所述第一目标图案中，所述条状图案各自的宽度p2小于1.09倍的pa，且大于或等于pa。
7.如权利要求4所述的光掩模的形成方法，其中在所述第一目标图案中，所述第一图案区相对于所述第二图案区的另一侧包括空乏区域，其中所述空乏区域的宽度大于或等于4(pa+sa)，其中所述空乏区域中不包括任何结...
【专利技术属性】
技术研发人员：林俊良，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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