抛光方法及抛光系统技术方案

本发明专利技术提供一种抛光方法及抛光系统。其中，所述抛光方法包括：提供一衬底；采用离子束抛光工艺抛光所述衬底表面；采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面。相较于现有技术，本发明专利技术提供的所述抛光方法将离子束抛光工艺和化学干刻工艺相结合。先采用离子束抛光工艺抛光衬底表面，以利用离子束引发的溅射效应和流动效应，实现对所述衬底的原子级抛光，提高所述衬底表面的平坦度；再采用化学干法刻蚀工艺刻蚀并抛光所述衬底的表面，以提高所述衬底表面的粗糙度，从而兼顾了平坦度、粗糙度和缺陷度这三个指标，有效提高抛光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制备，特别涉及一种抛光方法及抛光系统。

技术介绍

1、随着人工智能(artificial intelligence，ai)、第五代移动通信技术(5thgeneration mobile communication technology，5g)、大数据、人工智能物联网(artificial intelligence&internet of things，aiot)以及自动驾驶等创新型技术的发展，微处理器(central processing unit，cpu)和动态随机存储器(dynamic randomaccess memory，dram)中器件特征尺寸的缩减呈现了加速和偏离摩尔定律的趋势，这无形中也加剧了半导体器件的制备难度。其中，光刻工艺是半导体器件制备过程中最复杂也是最难的工艺，且其成本也非常高，能够占据整个生产链成本的三分之一。

2、目前，精度最高的光刻工艺是euv光刻，其是采用波长为10nm～14nm的极紫外光(extremely ultraviolet，euv)作为光源，能够把光刻技术扩展到32nm以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述离子束抛光工艺中的离子束的直径小于40mm；以及，所述离子束包括惰性气体离子束。

3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面的过程包括：

4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括NF3和O2。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面的过程中，采用真空抽气装置至少抽离所述衬底表面的刻蚀反应物。

6.一种抛光系统，其特征在于，用于执行如...

【技术特征摘要】

1.一种抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述离子束抛光工艺中的离子束的直径小于40mm；以及，所述离子束包括惰性气体离子束。

3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面的过程包括：

4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括nf3和o2。

5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，在采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面的过程中，采用真空抽气装置至少抽离所述衬底表面的刻蚀反应物。

6.一种抛光系统，其特征在于，用于执行如权利要求1～5中任意一项所述的抛光方法，所述抛光系统包括：离子束...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：