本发明专利技术提供一种使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程。具体实施例包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征(SARF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将印刷穿过至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的维度以判断一个或多个次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。
【技术实现步骤摘要】
使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程
本揭露是关于使用次解析辅助特征(SRAF)进行的光刻处理。本揭露尤其适用于32纳米(nm)及之后的技术节点用的深紫外光(DUV)技术。
技术介绍
光刻掩模是用于制造如集成电路的半导体装置。掩模是根据待印刷于例如硅晶圆上的影像而被图型化。光线是透射穿过掩模中的开口并且是聚焦于已涂布于硅晶圆上的光阻层。透射及聚焦的光线曝照部分光阻。显影剂是用于移除阻剂层的曝露部位或非曝露部位的任一者，端视光阻为正、或负型阻剂而定。剩余光阻在晶圆进一步处理(例如，蚀刻下面层件的曝露部位、将离子布植到晶圆中等)期间的作用在于保护下面的层件。在对此图样进行晶圆制造程序后，可将光阻层的剩余部位移离下面的衬底。印刷在光阻上的图样与光刻掩模的图样有相关性。 提高配置各种集成电路结构的密度为持续不间断的目标。待印刷于硅晶圆上的特征的临界维度随着技术节点的减小而缩减。由于特征的尺寸变得小于光线的波长，所以在印刷的图样中出现失真。为了缩减这些失真，对待印刷特征的间的掩模添加次解析辅助特征。次解析辅助特征一般未印刷在半导体晶圆上，但有助于平衡特征图样的光学密度。 次解析辅助特征是以接近光学邻近校正(OPC)形状的方式置于掩模上以协助/改良光刻制程。尤其是，将次解析辅助特征置于掩模上会改良制程窗口(PW)。希望使用积极的次解析辅助特征安插策略以改良光刻期间的影像处理品质以及对光刻制程变异的图样转移两者。然而，太积极的安插策略可能会导致印刷及蚀刻次解析辅助特征，使得次解析辅助特征可变成促使随机缺陷产生的缺陷。这在印刷的次解析辅助特征形成阻剂线时尤其如此。再者，整合层级中多重堆迭印刷的次解析辅助特征可对信号形成实际的电路径而可改变(并且甚至损坏)电路行为。 已知方法含括使用第二曝照以修正/移除印刷的辅助特征。例如，在32纳米、28纳米、以及20纳米技术一些如多晶(Poly)的层件中，已建议在网格化间距上制作所需的最终设计，其中解析度增强技术(RET)(照明/来源分布)是对如图1所示的特定间距予以具体优化。尤其是，修正掩模101是形成于原始设计103的任一侧上，以及修正掩模101包括印刷维度与间距类似原始设计103的辅助特征105。由于这些技术使用修正掩模103，所以可以印刷辅助特征105，因为修正掩模随后接着使用修正阶段移除。尽管有证据显示用此制程有助于印刷次解析辅助特征，但此技术仍受限于具有修正掩模的技术。 因此，需要一种在光刻制程期间以次解析辅助特征印刷进行积极次解析辅助特征策略而无需修正掩模的方法。
技术实现思路
本揭露的一个实施例为使用蚀刻察觉次解析辅助特征印刷回避(SPA)引擎进行次解析辅助特征印刷(SSP)的方法。 本揭露的另一实施例为包括次解析辅助特征的装置，该次解析辅助特征小于将穿过蚀刻至衬底者的维度。 本揭露的另外的实施例及其他特征将在随后说明中提出，并且经由审阅下文对所属领域具备普通技术者将显而易知，或可经由实施本揭露予以学习。可如所附权利要求书特别指出者实现并且得到本揭露的优点。 根据本揭露，可藉由制造半导体装置的方法部分达成一些技术功效，本方法包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将印刷穿过至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的维度以判断一个或多个次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。 本揭露的实施例包括藉由下列步骤进行模拟:进行光学模拟；进行阻剂化学模拟；以及进行蚀刻制程模拟。进一步实施例包括循序进行模拟。另一实施例包括产生校准印刷次解析辅助特征模型，其能够在模拟前预测将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征。其他实施例包括藉由下列步骤产生校准印刷次解析辅助特征模型:收集其他将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征及其他将不印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征的不同扫描式电子显微镜(SEM)影像。另外的实施例包括在OPC步骤期间检查所侦测的次解析辅助特征的维度。进一步实施例包括维持小于一个或多个维度控制的次解析辅助特征，其中一个或多个维度控制包括维度小于将蚀刻穿过至衬底者的圆圈或椭圆及/或最大线宽小于将蚀刻穿过至衬底者的线条。另一实施例包括藉由下列步骤修改一个或多个次解析辅助特征:缩减一个或多个次解析辅助特征的尺寸至小于将蚀刻穿过至衬底者或藉由将一个或多个次解析辅助特征移离掩模而达成。 本揭露的另一实施例为一种装置，其包括:具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征两者的掩模，其中次解析辅助特征的维度小于将蚀刻穿过至衬底的维度。 本揭露的另一实施例是一种方法，其包括:在具有多个待形成于衬底上的特征和多个次解析辅助特征两者的掩模上模拟微影制程；侦测多个将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征；在次解析辅助特征上模拟第一蚀刻制程以判断一个或多个次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在已修改一个或多个次解析辅助特征后形成掩模。进一步实施例包括藉由下列步骤模拟微影制程:进行光学模拟；进行阻剂化学模拟；以及进行第二蚀刻制程模拟。另一实施例包括循序进行微影制程。其他实施例包括藉由下列步骤模拟第一蚀刻制程:在各个次解析辅助特征的阻剂轮廓上放置蚀刻模拟点。另外的实施例包括对多个特征模拟第三蚀刻制程以判断密度计算。进一步实施例包括藉由下列步骤模拟第一蚀刻制程:在多个特征的每一个及多个次解析辅助特征的每一个的各别阻剂轮廓上放置蚀刻模拟点。另一实施例包括在OPC步骤期间模拟第一蚀刻制程。其他实施例包括藉由下列步骤修改一个或多个次解析辅助特征:将一个或多个次解析辅助特征的尺寸缩减至小于将蚀刻穿过至衬底者或藉由将一个或多个次解析辅助特征移离掩模而达成。另外的实施例包括反复减小多个次解析辅助特征的维度直到多个次解析辅助特征达到将印刷穿过至阻剂但不会蚀刻穿过至衬底的最大尺寸。 本揭露的额外实施例及技术功效经由底下详述说明对于所属领域的技术人员将显而易见，其中本揭露的具体实施例是藉由经思考用以实施本揭露的最佳模式的图示予以简单描述。将意识到，本揭露可有其它及不同的具体实施例，以及本揭露的许多细节可在各种明显实施例中作修改，全部都不脱离本揭露。因此，图式及说明本质在于描述而非限制。 【附图说明】 本揭示是在附图的图示中藉由实施例予以描述，并且非藉由限制予以描述，以及其中相同的元件符号意指类似的元件: 图1为结合修正掩模使用印刷辅助特征的习知方法的示意图； 图2根据本揭露的示例性具体实施例，描述使用含维度检查蚀刻察觉SPA引擎的SSP方法用于形成光刻掩模的制程流程；以及 图3根据本揭露的示例性具体实施例，描述使用含次解析辅助特征蚀刻模拟蚀刻察觉SPA引擎的SSP方法用于形成光刻掩模的制程流程。 符号说明 101 修正掩模103 原始设计 105 辅助特征201 步骤 203 步骤205 步骤 207 步骤209 步骤 211 步骤213 步骤 301 步骤303 步骤 305 步骤307 步骤 309 步骤311 步骤 313 步骤315 步骤。 【具体实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种方法，包含：对具有多个待形成于衬底上的特征和多个次解析辅助特征(SRAF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测该多个将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征；检查该所侦测的次解析辅助特征的维度，以判断一个或多个该等次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至该衬底；修改该一个或多个次解析辅助特征；以及在该一个或多个次解析辅助特征已修改后形成该掩模。
【技术特征摘要】
2013.08.09 US 13/964,0221.一种方法，包含: 对具有多个待形成于衬底上的特征和多个次解析辅助特征(SRAF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟； 侦测该多个将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征； 检查该所侦测的次解析辅助特征的维度，以判断一个或多个该等次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至该衬底； 修改该一个或多个次解析辅助特征；以及 在该一个或多个次解析辅助特征已修改后形成该掩模。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包含藉由下列步骤进行模拟: 进行光学模拟； 进行阻剂化学模拟；以及 进行蚀刻制程模拟。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该等模拟是循序进行。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包含产生能够在该等模拟前预测该等将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征的校准印刷次解析辅助特征模型。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该方法包含藉由下列步骤产生该校准印刷次解析辅助特征模型: 收集其他将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征及其他将不印刷穿过至该阻剂的次解析辅助特征的不同扫描式电子显征镜(SEM)影像。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包含在光学邻近校正(OPC)步骤期间检查该等所侦测的次解析辅助特征的维度。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包含维持小于一个或多个维度控制的次解析辅助特征。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该一个或多个维度控制包括维度小于将蚀刻穿过至该衬底者的圆圈或椭圆及/或最大线宽小于将蚀刻穿过至该衬底者的线条。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包含藉由下列步骤修改该一个或多个次解析辅助特征: 将该一个或多个次解析辅助特征的尺寸缩减至小于将蚀刻穿过至该衬底者或藉由将该一个或多个次解析辅助特征移离该掩模。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包含反复减小该多个次解析辅助特征的维度，直到该多个次解析辅助特征达到将印刷...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·哈穆德，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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