一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺制造技术

本发明专利技术公开一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其包括如下步骤：A.采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。B.在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形。C.在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。本发明专利技术在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其包括如下步骤：A.采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。B.在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形。C.在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。本专利技术在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。【专利说明】一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺
本专利技术涉及电容屏
，尤其涉及一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺。
技术介绍
目前行业内传统膜结构的多点触控方案是采用盖板玻璃+双层膜结构，分别在两层PET膜上进行蚀刻、银浆印刷，再将两层PET膜用光学胶粘贴在一起，组成我们所需的双层膜结构的功能片。但是，由于需要在两层PET膜上分别进行蚀刻和印刷，最小厚度为0.45_，导致电容屏总体厚度较大，成本也远高于单层膜结构的产品，在一些低成本但是需要多点触控的电容屏上难以量产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案:一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其包括如下步骤:A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸；B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形；C、在PET膜的两面丝印导电银衆，得到非可视区的走线线路。特别地，所述步骤A具体包括:将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。特别地，所述步骤B具体包括:在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入配比好的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需氧化铟锡图形。本专利技术提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。请参照图1所示，图1为本专利技术实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。本实施例中单层膜实现多点触控的电容屏工艺具体包括如下步骤:步骤S101、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡(ITO)材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入一定量的氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。步骤S102、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形。在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入一定配比的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需ITO图形。步骤S103、在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。本专利技术的技术方案在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。【权利要求】1.一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，包括如下步骤: A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸； B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形； C、在PET膜的两面丝印导电银衆，得到非可视区的走线线路。2.根据权利要求1所述的单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，所述步骤A具体包括:将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。3.根据权利要求1或2任一项所述的单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，所述步骤B具体包括:在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入配比好的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需氧化铟锡图形。【文档编号】G06F3/044GK103472968SQ201310444316【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月26日 优先权日:2013年9月26日 【专利技术者】吴国峰 申请人:无锡宇宁光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸；B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形；C、在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国峰，
申请(专利权)人：无锡宇宁光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：