一种G+F结构的无边框触摸屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其中，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。上述G+F结构的无边框触摸屏的ITO图形采用竖向布置，这样导电银浆线路与ITO图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线，由于导电线路不需要从侧边出线，这样就可以做到ITO导电线路与可视区域完全重合，这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其中，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。上述G+F结构的无边框触摸屏的ITO图形采用竖向布置，这样导电银浆线路与ITO图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线，由于导电线路不需要从侧边出线，这样就可以做到ITO导电线路与可视区域完全重合，这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。【专利说明】一种G+F结构的无边框触摸屏
本技术涉及一种G+F结构触摸屏，尤其涉及一种G+F结构的无边框触摸屏。
技术介绍
目前，主流窄边框设计的电容屏主要是压缩ΙΤ0(氧化铟锡导电膜)边框边缘上的线宽线距来实现。压缩ΙΤ0边框边缘走线的空间只能做到窄边框，无法做到真正的无边框。 传统的G+F(Glass+Film)电容式触摸屏的ITO film是采用横向设计，然后通过丝印导电银浆与ΙΤ0导电层搭接，形成驱动和感应通道，这种走线方式由于侧边的走线空间有限，所以只能压缩银浆线路的宽度，无法实现真正的无边框。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种G+F结构的无边框触摸屏，其能够满足电容屏无边框以及窄边框电容屏的需求，以解决现有技术中G+F结构触摸屏存在的问题。 为达此目的，本技术采用以下技术方案: 一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其中，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ΙΤ0图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ΙΤ0图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ΙΤ0图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。 特别地，所述ΙΤ0图形为直角梯形结构，所述若干个ΙΤ0图形中最外侧的两个ΙΤ0图形的直角边与氧化铟锡导电膜的两横向侧边完全重合。 特别地，所述ΙΤ0图形通过印刷后蚀刻得到。 本技术的有益效果为，与现有技术相比所述G+F结构的无边框触摸屏的ΙΤ0图形采用竖向布置，这样导电银浆线路与ΙΤ0图形线路搭接可以从氧化铟锡导电膜的上部出线，由于导电线路不需要从侧边出线，这样就可以做到ΙΤ0导电线路与可视区域完全重合，这样就可以做到真正意义上的无边框触摸屏产品。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术【具体实施方式】1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。 图中: 1、氧化铟锡导电膜；2、ΙΤ0图形；3、导电银浆线路；4、搭接处；5、绑定处。 【具体实施方式】 下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本技术的技术方案。 请参阅图1所示，图1是本技术【具体实施方式】1提供的G+F结构的无边框触摸屏的结构示意图。 本实施例中，一种G+F结构的无边框触摸屏包括氧化铟锡导电膜I，所述氧化铟锡导电膜I上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形2，所述ITO图形2为直角梯形结构，所述若干个ITO图形2中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜I的两横向侧边完全重合。且所述氧化铟锡导电膜I上于若干个ITO图形2的上方印刷有导电银浆线路3与若干个ITO图形2的上端的搭接处4搭接，并引出线路到顶端绑定处5绑定。 制作时，ITO图形2通过印刷、蚀刻的方式得到我们需要的竖向布置的直角梯形结构，然后印刷上导电银浆线路3与ITO图形2的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位，然后取FPC用导电胶与氧化铟锡导电膜I绑定好，与钢化玻璃盖板贴合好之后，就得到我们的无边框电容式触摸屏。 以上实施例只是阐述了本技术的基本原理和特性，本技术不受上述事例限制，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其特征在于，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。2.根据权利要求1所述的G+F结构的无边框触摸屏，其特征在于，所述ITO图形为直角梯形结构，所述若干个ITO图形中最外侧的两个ITO图形的直角边与氧化铟锡导电膜的两横向侧边完全重合。3.根据权利要求1或2所述的G+F结构的无边框触摸屏，其特征在于，所述ITO图形通过印刷后蚀刻得到。【文档编号】G06F3/044GK204155250SQ201420464759【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年8月15日 优先权日:2014年8月15日 【专利技术者】吴国峰 申请人:无锡宇宁光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种G+F结构的无边框触摸屏，其包括氧化铟锡导电膜，其特征在于，所述氧化铟锡导电膜上竖向布置有与其可视区域完全重合的若干个ITO图形，且所述氧化铟锡导电膜上于若干个ITO图形的上方印刷有导电银浆线路与若干个ITO图形的上端搭接，并引出线路到顶端绑定位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴国峰，
申请(专利权)人：无锡宇宁光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32