一种改进半导体器件工艺窗口的方法技术

本发明专利技术涉及一种改进半导体器件工艺窗口的方法，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。本发明专利技术改变了现有技术中仅包含一个步骤进行光学临近校正的方法，所述方法包括至少两个步骤，通过所述方法得到的最后目标轮廓为正方形或者圆形，相对于现有技术器件的工艺窗口性能更加优异，器件性能提高，所述方法可以用于通孔或者接触孔的蚀刻，但是并不局限于通孔或者接触孔。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。本专利技术改变了现有技术中仅包含一个步骤进行光学临近校正的方法，所述方法包括至少两个步骤，通过所述方法得到的最后目标轮廓为正方形或者圆形，相对于现有技术器件的工艺窗口性能更加优异，器件性能提高，所述方法可以用于通孔或者接触孔的蚀刻，但是并不局限于通孔或者接触孔。【专利说明】
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimens1n,⑶),随着半导体技术的发展，器件的关键尺寸不断缩小，正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。 光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，为了解决所述问题可以对所述掩膜版进行光学临近修正(OpticalProximity Correct1n, 0PC),所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理,进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。 随着半导体器件尺寸的不断缩小，在形成电连接时需要形成通孔(via)或者接触孔(contact),其中所述通孔(via)或者接触孔(contact)在形成过程中需要进行OPC校正，现有技术中的方法如图1所示，首先，选用目标轮廓数值作为掩膜版关键尺寸(mask CD)，以所述掩膜版进行模拟(simulat1n)，得到第一次模拟轮廓，然后根据第一次模拟轮廓误差进行经验值调整，然后得到第二掩膜版关键尺寸，然后进行第二次模拟，得到第二次模拟轮廓，然后根据轮廓误差进行OPC计算，得到第三掩膜版关键尺寸，然后循环所述操作进行连续多次的收敛、校正，最后经过η次模拟，最终得到目标轮廓，但是现有技术中所述掩膜版大都为长方形(Rectangle)，其长和宽并不相等，所述掩膜版关键尺寸与正方形的掩膜版(Square mask)相比，其关键尺寸要小，使器件性能降低，因此需要对目前的OPC方法进行改进，以便消除上述问题，提高器件性能和良率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。 本专利技术提供了，所述方法至少包括: I)设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案； 2)设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案； 其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。 作为优选，在所述步骤2)之前还包括至少一个步骤，在所述至少一个步骤中每一步骤均设定一目标轮廓图案，根据所述目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述每一步骤中设定的所述目标轮廓图案。作为优选，所述步骤I)中光学临近修正步骤包括以下子步骤: 1-1)根据所述第一目标轮廓图案设定第一掩膜版，选用第一掩膜版进行模拟，得到第一模拟轮廓图案； 1-2)根据所述第一模拟轮廓图案与所述第一目标轮廓图案误差，对所述第一掩膜版进行修正，得到第二掩膜版； 1-3)选用所述第二掩膜版进行模拟，得到第二模拟轮廓图案； 1-4)根据所述第二模拟轮廓图案与所述第一目标轮廓图案的误差，进行光学临近修正计算，得到第三掩膜版； 1-5)根据所述第三掩膜板进行模拟，得到第三模拟轮廓图案； 作为优选，若所述第三模拟轮廓图案与所述第一目标轮廓图案相同，则停止修正； 若所述第三模拟轮廓图案与所述第一目标轮廓图案不相同，则执行步骤1-6 )重复1-1)-1-5)，至该步骤I)中所述模拟轮廓图案与所述第一目标轮廓图案相同。 作为优选，所述步骤I)中第一目标轮廓图案为椭圆形或矩形，其短轴或宽度为X，长轴或长度为Y，其中γ>χ，并且在所述光学临近修正步骤中逐渐增加X，减小Y。 作为优选，所述第一掩膜版、第二掩膜版和第三掩膜板为正方形或者矩形。 作为优选，所述步骤2)中光学临近修正步骤包括以下子步骤: 2-1)根据所述最终目标轮廓图案设定最终第一掩膜版，选用最终第一掩膜版进行模拟，得到最终第一模拟轮廓图案； 2-2)根据所述最终第一模拟轮廓图案与所述最终目标轮廓图案的误差，对所述最终第一掩膜版进行修正，得到最终第二掩膜版； 2-3)选用所述最终第二掩膜版进行模拟，得到最终第二模拟轮廓图案； 2-4)根据所述最终第二模拟轮廓图案与所述最终目标轮廓图案的误差，进行光学临近修正计算，得到最终第三掩膜版； 2-5)根据所述最终第三掩膜板进行模拟，得到最终第三模拟轮廓图案； 作为优选，若所述第三模拟轮廓图案与所述最终目标轮廓图案相同，则停止修正； 若所述第三模拟轮廓图案与所述最终目标轮廓图案不相同，则执行步骤2-6 )重复1-1)-1-5)，至步骤2)中所述模拟轮廓图案与所述最终目标轮廓图案相同。 作为优选，所述最终第一掩膜版、最终第二掩膜版和最终第三掩膜板为正方形或者矩形。 作为优选，在所述步骤I)之后，所述X变大，在所述步骤2)中，在所述光学临近修正步骤中保持所述X不变，继续减小所述Y，至所述X=Y为止，得到呈正方形或者圆形的所述最终目标轮廓图案，以改善器件的工艺窗口。 作为优选，所述最终目标轮廓图案为通孔或接触孔。 本专利技术改变了现有技术中仅包含一个步骤进行光学临近校正的方法，所述方法包括至少两个步骤，其中每个步骤中设定一个目标轮廓，其中最后一个步骤中的目标轮廓为最终目标轮廓，通过所述方法得到的最后目标轮廓为正方形或者圆形，相对于现有技术器件的工艺窗口性能更加优异，器件性能提高，所述方法可以用于通孔或者接触孔的蚀刻，但是并不局限于通孔或者接触孔。 【专利附图】【附图说明】 本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中， 图1为现有技术中利用掩膜版进行OPC的流程图； 图2为本专利技术一【具体实施方式】中利用掩膜版进行OPC的流程图； 图3为本专利技术利用掩膜版进行OPC的流程图； 图4为本专利技术中中利用掩膜版进行OPC的工艺流程图。 【具体实施方式】 在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进半导体器件工艺窗口的方法，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭冰清，宋兴华，赵简，白凡飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31