【技术实现步骤摘要】
用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统
本专利技术涉及,特别涉及一种用于光学邻近校正?1~0^111111:7 ¢01-1-601:1011,0?0模型的校准数据收集方法和系统。
技术介绍
近年来随着半导体制造工业的发展,基于模型的光学邻近校正已成为光刻工艺中不可或缺的技术。基于0?0模型的修正是用从制程信息提取的数学模型来指导图形的修正。在此之前,需要用大量的训练数据来对0?0模型进行训练以使其适用于实际的晶片。然后选择适合的模型模板,并利用模型去修改晶片图形的尺寸或形状直到修正后图形的模拟形状满足设计规格的要求。 为了确保0?0模型是合适的,设计人员需要从晶片收集校准数据。在常规校准数据收集,设计人员使用0?0模型对晶片的设计进行修正以获得满足设计规格的晶片,然后对所获得晶片的感兴趣区域进行扫描以获得感兴趣区域的图像作为校准数据。具体而言,在收集过程中,由于晶片上集成有大量的芯片,为了获得某一或一些芯片中的某一或一些块的图像,首先需要定位晶片上的突出位置,突出位置指的是在较小倍率下依然可见的位置,然后基于突出位置来定位感兴趣的区域,最后对所定位的区域进行拍照。 图1示出了根据现有技术的用于0?0模型的校准数据收集过程。在图1的右侧中示出的晶片100包括多个芯片102,每个芯片102包括多个块。在图1的左侧中示出了感兴趣区域的放大图。例如,为了获得感兴趣区域的校准数据,需要执行以下次拍摄: 1、在2万倍下拍摄5000次以定位突出位置;以及 2、基于突出位置定位感兴趣区域,并进行拍照,例如,在10万倍和15万倍下分别拍 ...
【技术保护点】
一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法,包括:从起始块开始,逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像;将全部块的扫描图像缝合成缝合图像;将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上;以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。
【技术特征摘要】
1.一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法,包括: 从起始块开始,逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像; 将全部块的扫描图像缝合成缝合图像; 将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上;以及 测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。2.根据权利要求1所述的校准数据收集方法,其中,在扫描方向上按预定重叠间距执行所述扫描以形成每个块的扫描图像。3.根据权利要求1所述的校准数据收集方法,其中,所述扫描包括: 沿着水平或垂直方向逐块扫描一个芯片中的全部块; 确定下一个要扫描的芯片;以及 重复执行以上步骤。4.根据权利要求1所述的校准数据收集方法,其中,所述扫描包括: 沿着水平或垂直方向逐块扫描一个芯片中的全部块; 当扫描到所述芯片中的最后一块时,确定距离该最后一块最近的另一芯片中的起始块; 从所述另一芯片中的所确定的起始块开始,重复执行以上步骤。5.根据权利要求1所述的校准数据收集方法,其中,将全部块的扫描图案缝合成缝合图像包括: 确定两个相邻块的扫描图像在与扫描方向垂直的方向上的位置误差; 确定两个相邻块的扫描图像在扫描方向上的位置误差; 基于所确定的位置误差,将两个相邻块的扫描图像缝合在一起。6.根据权利要求5所述的校准数据收集方法,其中,确定两个相邻块的扫描图像在与扫描方向垂直的方向上的位置误差包括: 计算两个相邻块的在与扫描方向垂直的方向上的重心; 计算所计算的重心之间的差值;以及 基于所计算的差值确定在与扫描方向垂直的方向上的位置误差。7.根据权利要求6所述的校准数据收集方法,其中,基于所计算的差值确定在与扫描方向垂直的方向上的位置误差包括: 计算所述差值与预定容限的和值作为在与扫描方向垂直的方向上的位置误差。8.根据权利要求5所述的校准数据收集方法,其中,确定两个相邻块的扫描图像在扫描方向上的位置误差包括: 使两个相邻块的扫描图像接合在一起; 在以预定步长使扫描图像重叠的同时,测量接合区域中图像的亮度值,其中所述接合区域具有预定大小;以及 将在所述亮度值开始保持恒定时的重叠量用作为扫描方向上的位置误差。9.根据权利要求8所述的校准数据收集方法,其中,将在所述亮度值开始保持恒定时的重叠量用作为扫描方向上的位置误差包括: 根据所述亮度值和所述重叠量,拟合曲线; 求所述曲线的微分曲线;以及 在所述微分曲线保持恒定时所对应的重叠量确定为扫描方向上的位置误差。10.根据权利要求6所述的校准数据收集方法,其中,在扫描方向上按预定重叠间距执行所述扫描以形成每个块的扫描图像;并且 其中确定两个相邻块的扫描图像在与扫描方向垂直的方向上的位置误差还包括: 从两个相邻块的扫描图像中沿着扫描方向在后的扫描图像中,切除在与另一扫描图像相邻的侧上的宽度为所述预定重叠间距的倍数的区域。11.根据权利要求1所述的校准数据收集方法,其中,所述起始块是晶片上的一个芯片的一个角上的块,并且所述起始块是基于晶片的布...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡博修,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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