【技术实现步骤摘要】
本申请以2014年3月5日申请的在先的日本专利申请2014-043303号的权利的利益为基础，并且要求其利益，通过引用在此包含其内容全部。在此说明的实施方式一般涉及一种半导体器件。
技术介绍
二极管中存在普通的pn 二极管、利用击穿电流的稳压二极管。稳压二极管中通常存在高浓度区域和低浓度区域，为了得到规定的耐压，必须进行高浓度区域和低浓度区域的成结的平衡。在此，作为相当于低浓度区域的部分，使用未加工晶圆、外延晶圆。通常通过CZ法(Czochralski直拉生长法)形成未加工晶圆，具有规定的耐压的晶圆只是晶锭(ingot)的一部分。通过CZ法形成的晶圆有时存在面内的比电阻的离散大的情况，有可能无法得到目标的耐压。另一方面，在外延晶圆的情况下，在同一成膜装置内在不同的条件下进行多个成膜，因此难以控制杂质浓度，因此也存在无法得到具有目标的耐压的外延晶圆的可能性。
技术实现思路
本实施方式提供一种能够抑制耐压的降低的半导体器件。根据一个实施方式，具备:阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在上述阴极电极的上侧、上述阳极电极的下侧；第一导电型的第二半...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于包括：阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在上述阴极电极的上侧、上述阳极电极的下侧；第一导电型的第二半导体区域，设置在上述阳极电极和上述阴极电极之间，第一导电型的杂质浓度比上述第一半导体区域的杂质浓度高，被上述第一半导体区域围住；第二导电型的第三半导体区域，设置在上述阳极电极和上述第二半导体区域之间，被上述第二半导体区域围住上述阳极电极侧的表面以外的部分；以及第四半导体区域，设置在上述第三半导体区域和第二半导体区域之间，围住上述第三半导体区域的端部。
【技术特征摘要】
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