半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年8月17日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0115382号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种半导体器件。
技术介绍
为了增加半导体器件的密度，已建议使用多栅极晶体管，其中，在基底上形成鳍状或纳米线状的硅体，然后在硅体的表面上形成栅极。因为多栅极晶体管使用三维沟道，所以其易于小型化。此外，能够在不需要增加多栅极晶体管的栅极长度的情况下增强电流控制能力。此外，采用多栅极晶体管能够有效抑制沟道区的电位被漏极电压影响的现象的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
示例性实施方式的一个目的是提供一种半导体器件，其中，鳍型图案的位置可以利用表现出应力特征或特性的绝缘膜来调整。目的并不限于上述的一个目的，本领域技术人员基于以下提供的公开的主题的示例性实施方式的详细描述将清楚地理解其它目的。根据公开的主题的一个示例性实施方式，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：深沟槽，限定有源区；鳍型图案，在有源区内突出，并且包括下部、比下部宽度窄的上部及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部；第一场绝缘膜，围绕下部；以及第二场绝缘膜，形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部。根据公开的主题的另一示例性实施方式，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：深沟槽，限定有源区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，在有源区上突出；第一沟槽，形成在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间并且包括下部和上部以及在上部和下部之间的边界处的台阶部；第一场绝缘膜，填充下部；以及第二场绝缘膜，在第一场绝缘膜上并且部分填充上部。根据公开的主题的又一示例性实施方式，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底；第一鳍型图案，形成在基底上；第二鳍型图案，与第一鳍型图案分隔开且比第一鳍型图案倾斜更多；以及场绝缘膜，围绕第一鳍型图案和第二鳍型图案并且暴露第一鳍型图案和第二鳍型图案，其中，场绝缘膜包括第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上的第二场绝缘膜。根据公开的主题的又一示例性实施方式，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底；第一鳍型图案至第三鳍型图案，在基底上突出；第一沟槽，形成在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间及第二鳍型图案和第三鳍型图案之间，并且将基底的上表面作为底表面；第一场绝缘膜，填充第一沟槽；第二沟槽，形成在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间及第二鳍型图案和第三鳍型图案之间，并且将第一场绝缘膜的上表面作为底表面；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽，其中，第二沟槽的底表面的宽度大于第一沟槽的最上部的宽度。根据公开的主题的又一示例性实施方式，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案至第三鳍型图案，均包括下部、比下部宽度窄的上部及形成在上部和下部之间边界处的台阶部；第一场绝缘膜，围绕第一鳍型图案至第三鳍型图案的下部；以及第二场绝缘膜，围绕第一鳍型图案至第三鳍型图案的上部，其中，第一鳍型图案的下部和第二鳍型图案的下部之间的距离等于第二鳍型图案的下部和第三鳍型图案的下部之间的距离，第一鳍型图案的上部和第二鳍型图案的上部之间的距离不同于第二鳍型图案的上部和第三鳍型图案的上部之间的距离。附图说明通过参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的以上和其它目的、特征及优点对本领域普通技术人员而言将变得更加清楚，在附图中：图1是用于解释根据示例性实施方式的半导体器件而提供的布局图；图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图；图3是沿着图1的线B-B'截取的剖视图；图4是沿着图1的线C-C'截取的剖视图；图5是沿着图1的线D-D'截取的剖视图；图6是用于解释根据另一示例性实施方式的半导体器件而提供的剖视图；图7是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的布局图；图8是沿着图7的线E-E'截取的剖视图；图9是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的布局图；图10是沿着图9的线F-F'截取的剖视图；图11是沿着图9的线G-G'截取的剖视图；图12是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的剖视图；图13是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的剖视图；图14是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的剖视图；图15是用于解释根据又一示例性实施方式的半导体器件而提供的布局图；图16是沿着图15的线H-H'截取的剖视图；图17是沿着图15的线Ι-Ι'截取的剖视图；图18是包括根据一些示例性实施方式的半导体器件的电子系统的框图；以及图19至图21示出可以采用根据一些示例性实施方式的半导体器件的示例性半导体系统。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述公开主题的示例性实施方式。然而，公开主题的示例性实施方式可以以不同方式实施，并不应被解释为局限于在此阐述的形式。相反地，提供这些公开主题的示例性实施方式使得本公开将是彻底的且完整的，并将把公开主题的示例性实施方式的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。将理解的是，当元件或层被称作“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接连接到或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或另一层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和全部组合。还将理解的是，当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者还可存在中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。将理解的是，虽然在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。因此，例如，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，以下讨论的第一元件、第一组件或第一部分可以被称为第二元件、第二组件或第二部分。在描述公开主题的示例性实施方式的上下文中使用的术语“一个(种/者)”、“该/所述”和类似指称(尤其是权利要求的上下文中)将被理解为包含单数和复数两者，除非这里另有说明或明显与上下文相矛盾。除非另有说明，否则术语“包括”、“具有”、“包含”和“含有”应被理解为开放式术语(即，意思是“包括，但不限于”)。除非另有定义，否则这里使用的全部技术术语和科学术语具有与相关
的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。注意的是，除非另有说明，否则这里提供的任一和全部示例或示例性术语的使用仅意图更好地阐明公开主题的示例性实施方式，并非对此的限制。此外，除非另有定义，否则在通用词典中定义的所有术语不可以被过度地解释。在下文中，将参照图1至图5解释根据示例性实施方式的半导体器件。图1是用于解释根据示例性实施方式的半导体器件而提供的布局图。图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图。图3是沿着图1的线B-B'截取的剖视图。图4是沿着图1的线C-C'截取的剖视图。图5是沿着图1的线D-D'截取的剖视图。为了便于解释，图4跳过了栅极绝缘膜(130、140)和栅电极200的示意图。参照图1至图5，根据示例性实施方式的半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：深沟槽，限定有源区；所述有源区包括突出的鳍型图案，所述鳍型图案包括下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部，所述上部包括第一上部和在第一上部上的第二上部；第一场绝缘膜，围绕下部；以及第二场绝缘膜，形成在第一场绝缘膜上并且以第二上部延伸到第二场绝缘膜上方的方式部分地围绕第一上部。

【技术特征摘要】
2015.08.17 KR 10-2015-01153821.一种半导体器件，所述半导体器件包括：深沟槽，限定有源区；所述有源区包括突出的鳍型图案，所述鳍型图案包括下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部，所述上部包括第一上部和在第一上部上的第二上部；第一场绝缘膜，围绕下部；以及第二场绝缘膜，形成在第一场绝缘膜上并且以第二上部延伸到第二场绝缘膜上方的方式部分地围绕第一上部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一场绝缘膜和第二场绝缘膜包括彼此相同的材料。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，第一场绝缘膜和第二场绝缘膜包括SiO2。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一场绝缘膜和第二场绝缘膜具有彼此不同的应力特性。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍型图案包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，以及在第一侧表面处的第一台阶部的高度不同于在第二侧表面处的第一台阶部的高度。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，鳍型图案向第二侧表面的方向倾斜。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍型图案包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，以及在第二侧表面处的鳍型图案不接触第二场绝缘膜。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第二上部具有比第一上部窄的宽度，其中，鳍型图案的上部包括在第一上部和第二上部之间的边界处的第二台阶部。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，第一场绝缘膜在暴露第二上部的同时围绕第一上部。10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，鳍型图案包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，以及在第一侧表面处的第二台阶部的高度不同于在第二侧表面处的第二台阶部的高度。11.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成洙，金松伊，柳庚玟，闵宣基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR