【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管终端结构，更确切地说是一种沟槽肖特基二极管终端结构，本专利技术还涉及一种沟槽肖特基二极管终端结构的制备方法。
技术介绍
肖特基二极管以其良好的正向导通特性及快速开关速度在功率器件领域占有一席之地，但是由于其本身制作上采用金属半导体接触，其反向耐压及反向漏电情况不佳。现有技术工艺条件中，大尺寸沟槽侧壁上的多晶硅形貌不能进行很好的控制，进而影响了其与金属层间的接触，造成了终端环结构特性的不稳定，同时，侧壁多晶硅的条宽过窄，不利于接触孔光刻对位，也会引入工艺不稳定问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种沟槽肖特基二极管终端结构，其可以解决现有技术中的器件结构特性及工艺方法不稳定的缺点，本专利技术还提供了沟槽肖特基二极管终端结构的制备方法。本专利技术采用以下技术方案:一种沟槽肖特基二极管终端结构，包括一 N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧还设有一 N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽，且所述第一沟槽的一侧设有一终端环结构。所述终端环结构包括设于所述N型硅外延层内的一第二沟槽及一第三沟槽，且所述第三沟槽的尺寸大于所述第...
【技术保护点】
一种沟槽肖特基二极管终端结构，其特征在于，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽及一终端环结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高盼盼，代萌，
申请(专利权)人：上海格瑞宝电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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