本申请涉及用于在具有多个电压域的集成电路(IC)启动期间防止本体漏电流的电路。该集成电路包括：第一电压域，可操作以建立第一域电压；第二电压域，可操作以建立第二域电压；以及电压选择电路，可操作以将建立中的或已经建立的所述第一域电压和建立中的或已经建立的所述第二域电压中的较大者输出作为所述第二电压域的体电压。从而即使在第一电压域先于第二电压域启动的情况下也不会发生漏电流。
【技术实现步骤摘要】
本申请的实施方式涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种用于在具有多个电压域的集成电路(IC)启动期间防止本体漏电流的电路。
技术介绍
随着集成电路的高速发展，电源管理IC在电子设备中的使用越来越广泛，起着电能变换、分配、检测及其他电能管理的作用。考虑到电能需要变换的跨度通常很大，一般而言，在电源IC中存在多个不同的电压域(voltage domain)，各个电压域工作在不同的电源电压(在此也称为域电压)下，按照时间先后顺序建立并用于实现电能的分级管理。例如，手机充电器是一种常见的电源管理1C。一种常用的手机充电器连接于220V的市电和手机之间，用于将220V的交流电变换成适于为手机充电的5V直流电。这种手机充电器通常包括两个电压域，由先建立的第一电压域将220V的交流电变换成24V的直流电，再由后建立的第二电压域将24V的直流电变换成5V的直流电，该5V的直流电输出给手机用于进行充电。在各个电压域的启动过程中，如果较早启动的电压域中生成的信号(例如在较迟启动的电压域尚未完全启动之前)流入到较迟启动的电压域中(源极或漏极)，则在该信号流入的源极(或漏极)与本体(bulk)之间往往存在漏电流(leakage current)。这将在IC中造成严重的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本说明书提出如下方案。根据本申请的第一方面，提供一种集成电路，包括:第一电压域，可操作以建立第一域电压；第二电压域，可操作以建立第二域电压；以及电压选择电路，可操作以将建立中的或已经建立的所述第一域电压和建立中的或已经建立的所述第二域电压中的较大者输出作为所述第二电压域的体电压。在一个实施方式中，所述第一电压域先于所述第二电压域启动。在一个实施方式中，所述第二电压域中包括一个或多个晶体管，并且所述第二电压域通过所述晶体管中的一个耦合到所述第一电压域。在优选实施方式中，其中所述第二电压域通过所述晶体管中的一个的源极或漏极耦合到所述第一电压域。在一个实施方式中，所述电压选择电路包括:第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输入端，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极，其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极；以及其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。在一个实施方式中，所述一个或多个晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个或多个为PMOS晶体管。根据本申请的第二方面，提供一种电压选择电路，包括:第一晶体管和第二晶体管；其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输入端，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极；其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极；以及其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。在一个实施方式中，所述第一晶体管和/或所述第二晶体管为PMOS晶体管。【附图说明】图1是示出了现有的电源管理IC100的示意图。图2是示出了根据本申请示例性实施方式的、用于防止漏电流的集成电路200示意图。图3是示出了根据本申请示例性实施方式的、用于防止漏电流的电压选择电路300的不意图。【具体实施方式】下面将参考若干示例性实施方式来描述本申请的原理和精神。应当理解，给出这些实施方式仅仅是为了使本领域技术人员能够更好地理解进而实现本申请，而并非以任何方式限制本申请的范围。图1是示出了现有的电源管理IC100的示意图。图1示意性地图示了两个电压域Dl和D2。如图1所示，D2通过一个晶体管(图1中示出为PMOS晶体管，但不作为对本申请的限制)作为接口，耦合到Dl。具体地，来自Dl的信号输入到D2中作为接口的晶体管的源极(图1中示出为源极，但完全可能连接到漏极)，该晶体管的漏极再输出供第二电压域中其他器件使用的电压。在该图1中，D2的PMOS晶体管的N型本体(bulk)连接一个内部电源，该内部电源的输出电压是vdd_lpd。当PMOS晶体管的N型本体接高电位，P型源极接低电位时，不会发生栓锁。然而，由于Dl先于D2启动，所以有可能在D2的内部电源尚未建立就绪时，Dl的输出信号就到达了 D2的PMOS晶体管的源极。这时，因为D2的内部电源还没有建立好，所以PMOS晶体管的N型本体接低电位，P型源极接高电位，于是在源极和本体之间会出现漏电流，如图1中弧线箭头所指示的。该漏电流会导致电源管理IC出现严重错误，从而严重影响集成电路的可靠性。为了解决上述漏电流问题，以下参照图2进行说明。图2是示出了根据本申请示例性实施方式的、用于防止漏电流的集成电路200示意图。如图2所示，集成电路200包括电压域D1、电压域D2以及电压选择电路。Dl可操作以建立电源电压Vl (在此也称为第一域电压)，D2可操作以建立电源电压V2(在此也称为第二域电压)。电压域Dl和D2可以相互耦合。在图2所图示的示例中，耦合方式为D2通过其中包括的多个晶体管中的一个晶体管耦合到D1。并且更为优选的是，通过其中的一个PMOS晶体管T的源极(图2中示出为源极，然而也可以是漏极)耦合到D1。本领域技术人员应理解，这种耦合方式仅是优选的，并不排除本领域的其它耦合方式。电压选择电路的两个输入端子a和b分别耦合到建立中的或已经建立的Vl和V2，并且其的输出端子耦合到D2的本体，以将从输入端子a和b中接收的电压中较大的电压输出作为D2的体电压。在图2所示出的集成电路200中，由于D当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成电路，包括：第一电压域，可操作以建立第一域电压；第二电压域，可操作以建立第二域电压；以及电压选择电路，可操作以将建立中的或已经建立的所述第一域电压和建立中的或已经建立的所述第二域电压中的较大者输出作为所述第二电压域的体电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施文斌，
申请(专利权)人：施文斌，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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