抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件技术

本发明专利技术公开了抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件，该表面处理方法包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到表面处理溶液，混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面处理：将电子陶瓷元件放入表面处理溶液内浸泡，电子陶瓷元件表面生成保护膜；S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并将电子陶瓷元件完全烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的电子陶瓷元件进行表面烧结。本发明专利技术提出的表面处理方法在电子陶瓷元件产品表面形成一层高电阻率的保护膜，从而抑制电镀时发生爬镀。

【技术实现步骤摘要】
抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件
本专利技术涉及电子元件制造领域，特别是涉及一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法。
技术介绍
随着电子信息业的迅猛发展，片式电子陶瓷元件得到广泛的应用，越来越多的元件实现了片式化、小型化。片式元件通常由元件基片、内部电极和端电极构成，为了提高元件的焊接性，需在端电极表面镀上一层镍层和一层锡层，但在电镀过程中产品表面也容易镀上镍层和锡层，造成产品外观不良和表层导通短路，从而导致产品应用不良。
技术实现思路
研究发现，由于许多片式元件的电子材料电阻率较低，甚至具有半导体特性，所以在电镀过程中产品表面也容易镀上镍层和锡层。本专利技术目的在于提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，以解决上述现有技术存在的电镀易产生爬镀的技术问题。为此，本专利技术提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，所述电子陶瓷元件表面生成保护膜；S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并将所述电子陶瓷元件完全烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。优选地，所述混合物料中各成分的重量百分比为：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。优选地，步骤S1中所述水为去离子水。优选地，所述表面处理液的PH值范围为1.0～5.5。优选地，步骤S2中所述浸泡包括：将所述电子陶瓷元件放入30～90℃的所述表面处理溶液中浸泡3～30分钟。优选地，步骤S3中所述烘干包括：将所述电子陶瓷元件放入烘干箱在温度80～130℃下烘干20～30分钟。优选地，步骤S4中所述烧结包括：将所述电子陶瓷元件放入550～750℃的烧结炉中烧结1～3小时。本专利技术还提供了一种电子陶瓷元件，通过如下方法制造：S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜。在一个实施例中，所述混合物料中各成分的重量百分比为：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。在一个实施例中，还包括如下步骤：S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并对所述电子陶瓷元件进行烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。本专利技术提出的表面处理方法在电子陶瓷元件产品电镀前使用一种表面处理液对产品进行表面处理，通过化学反应，使产品表面形成一层高电阻率的保护膜，增加产品表面电阻，从而抑制电子陶瓷元件产品电镀时发生爬镀。附图说明图1是本实施例电子陶瓷元件生成的保护膜的微观表面晶相结构；图2是本专利技术一种实施例的具有保护膜的电子陶瓷元件电镀后的结构示意图；图3是现有的不具有保护膜的电子陶瓷元件电镀后的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。实施例一：本专利技术提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将磷酸铁(Fe3(PO4)2)、磷酸锰(MnPO4)、硝酸钠(NaNO3)、氧化钇(Y2O3)、磷酸(H3PO4)、氯酸钠(NaClO3)、钼酸钠(Na2MoO4)等物料混合后按一定比例加入水中搅拌均匀，制成表面处理溶液；在本专利技术的一个实施例中，混合物料中各成分的重量百分比为：磷酸铁(Fe3(PO4)2)50％～80％、磷酸锰(MnPO4)：5％～20％、硝酸钠(NaNO3)1.0％～20％、氧化钇(Y2O3)0.01％～18％、磷酸(H3PO4)0.01％～15％、氯酸钠(NaClO3)0.5％～10％、钼酸钠(Na2MoO4)0.01％～18％；配制表面处理溶液的水优选采用去离子水(DI)，防止配制溶液中引入其他杂质，并且将配制完成的表面处理溶液的PH值调整至范围1.0～5.5内，以使溶液达到最优的化学效果；S2、表面处理：将端电极烧结银后的电子陶瓷元件放入承装制具后浸泡于表面处理溶液中，待电子陶瓷元件的表面生成保护膜后取出；一个实施例中，将电子陶瓷元件放入30～90y℃的表面处理溶液中浸泡3～30分钟，使电子陶瓷元件与表面处理液得到充分接触，生成包覆效果更好的保护膜；如图1所示，是本实施例电子陶瓷元件生成的保护膜的微观表面晶相结构，显示了在该电子陶瓷元件上生成了一层膜。如图2所示，对具有保护膜的电子陶瓷元件1的端电极3进行电镀，端电极3上镀了一层用斜线表示的金属，而电子陶瓷元件1除端电极3以外的表面并没有发生爬镀现象。如图3所示，是对现有的不具有保护膜的电子陶瓷元件1的端电极3进行电镀，端电极3上镀了一层用斜线表示的金属，而电子陶瓷元件1除端电极3以外的表面也出镀上了一些用斜线表示的金属4。S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的电子陶瓷元件滤干，用清水冲洗干净电子陶瓷元件上包括表面处理液在内的残留物，然后放入烘干器具内一并置入烘干箱中将其表面水分烘干；其中，烘干条件为：在温度80～130℃下烘干20～30分钟；S4、烧结：将经过步骤S3处理的电子陶瓷元件进行表面烧结；其中，烧结条件为：放入烧结炉中550～750℃烧结1～3小时。经过上述表面处理的电子陶瓷元件即可进行镀镍、镀锡。实施例二：本专利技术提出一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将物料按一定重量百分比混合得到混合物料，其中，各物料的重量百分比为：磷酸铁(Fe3(PO4)2)50％、磷酸锰(MnPO4)5％、硝酸钠(NaNO3)15％、氧化钇(Y2O3)2％、磷酸(H3PO4)2％、氯酸钠(NaClO3)8％、钼酸钠(Na2MoO4)18％，将该混合物料加入去离子水中搅拌均匀，并将溶液的PH值调整到1.0～5.5，即制成所需的表面处理溶液；S2、表面处理：将端电极烧结银后的电子陶瓷元件放入承装制具后浸泡于温度为T1℃的表面处理溶液中浸泡3分钟，待电子陶瓷元件的表面生成保护膜后取出；S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的电子陶瓷元件滤干，用清水冲洗干净电子陶瓷元件上包括表面处理液在内的残留物，然后放入烘干器具内一并置入烘干箱中，在温度80℃下烘干20分钟，将其表面水分烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的电子陶瓷元件放入烧结炉中550℃烧结1小时。经过上述表面处理的电子陶瓷元件即可进行镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜；S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并对所述电子陶瓷元件进行烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。

【技术特征摘要】
1.一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、配制表面处理溶液：将混合物料与水混合均匀，得到所述表面处理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；所述混合物料中各成分的重量百分比为：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％；S2、表面处理：将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡，使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜；S3、清洗、烘干：将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净，并对所述电子陶瓷元件进行烘干；S4、烧结：将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。2.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述水为去离子水。3.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，所述表面处理液的pH值范围为1.0～5.5。4.如权利要求1所述的抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法，其特征在于，步骤S2中所述浸泡包括：将所述电子陶瓷元件放入30-90℃的所述表面处理溶液中浸泡3～30分钟。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：成学军，王清华，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44