ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法技术

一种在ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，其特征是将氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂按一定比例混溶于去离子水中配成清洁溶液，基片用夹具装夹后浸没于清洁溶液中，根据基片表面污染程度选择合适的浸没时间，彻底去除ITO表面引线间玻璃上的污染物并使ITO刚刚露出新鲜的表面。这样清洁处理后再在ITO表面进行镍层和金层沉积时，镍层和金层只沉积于ITO表面，而在其它地方无法沉积，这就消除了因基片表面污染而造成的产品缺陷问题，大大提高了采用化学镀镍镀金方法制造Sensor产品的良率。同时因镍层和金层是沉积于新鲜的ITO表面，而非脏或异物表面，这样镍层和金层与ITO之间的结合力非常强，不会产生镍层和金层与ITO之间脱落问题，产品使用的耐久性可以得到保证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触摸屏生产方法，尤其是一种生产过程中使用的清洁方法，具体地说是一种ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法。
技术介绍
电容式触控屏主流生产工艺是用磁控溅射的方法在ITO表面制造钼铝钼金属层。钼铝钼ITO镀膜玻璃是在真空状态下以磁控溅射的方法在玻璃正反表面镀上ITO导电膜，然后再在浮法面镀上钼、铝、钼金属膜层。其主要特性膜层接全力强，玻璃表面均匀好，在可见光内反射光强。但此种工艺设备投资大，生产效率也有待提高。日本美禄德公司开发了一种用化学镀镍镀金工艺在ITO表面沉积镍层和金层来制造电容触控屏Sensor的方法，此方法生产工艺简单，设备投资也很少。其生产工艺为脱脂→二次去离子水清洗→微蚀→二次去离子水清洗→催化→二次去离子水清洗→活化→二次去离子水清洗处理→化学镀镍→二次去离子水清洗→化学镀金→二次热去离子水清洗。制造Sensor的玻璃从ITO镀膜到刻蚀好ITO引线生产过程中表面不可避免地会受到各种污染，美禄德公司提供的工艺中其脱脂工艺只能去除轻微的油脂污染，对其它污染物基本去除不掉。如果在镀镍镀金前不去除玻璃表面的污染物及露出新鲜的ITO表面，镍层和金层沉积时失去选择性，会在ITO表面和受到污染的玻璃表面都沉积上镍层和金层，且镍层和金层与ITO之间的附着力会很差，则Sensor制造失败。因此在脱脂工艺前增加一道清洁基片表面的工艺必不可少。合适的清洗溶液有以下几点要求；1)    清洁溶液对玻璃及ITO表面的刻蚀具有一定的选择性，即刻蚀玻璃表面与ITO表面的化学反应速率相差5倍以上。这样用清洁溶液处理基片时玻璃表面的脏及异物可以被彻底去除，而ITO表面则只发生了轻微的刻蚀反应，刚刚露出新鲜的ITO表面而已。2)    所配的清洁溶液刻蚀玻璃表面的化学反应速率可控，不能太快或太慢；清洁溶液同时要满足基本对ITO下方的玻璃不产生侧向刻蚀。3)    所配的清洁溶液中需含有缓冲剂，这样在处理一定数量基片时清洁溶液对玻璃表面的刻蚀速率可以基本保持一致，避免生产中需频繁调整清洁液浓度。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对采用化学镀镍镀金在ITO表面沉积镍层和金层制造Sensor的方法，因基片表面存在污染而造成的产品缺陷问题，专利技术一种ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，它通过配制清洗溶液在ITO表面沉积镍层和金层前进行清洁处理，彻底去除ITO表面引线间玻璃上的污染物并使ITO刚刚露出新鲜的表面。这样清洁处理后在ITO表面再进行镍层和金层沉积时，镍层和金层只沉积于ITO表面，而在其它地方无法沉积，这样就消除了因基片表面污染而造成的产品缺陷问题，大大提高了采用化学镀镍镀金方法制造Sensor产品的良率。本专利技术的技术方案是：一种ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，其特征是：a) 首先将氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂按一定比例混溶于去离子水中配成ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁溶液； b) 将要化学镀镍镀金的基片装夹于夹具中，装好后将夹具整个浸没于上述清洁溶液中；c) 根据基片表面污染程度决定基片在清洁溶液中的浸没时间，如基片较脏，则浸没时间可长一些；d) 将完成清洁的基片按美禄德公司镀镍镀金工艺进行脱脂→二次去离子水清洗→微蚀→二次去离子水清洗→催化→二次去离子水清洗→活化→二次去离子水清洗处理； e) 将上述完成预处理的基片进行化学镀镍→二次去离子水清洗→化学镀金→二次热去离子水清洗；f) 完成化学镀镍镀金的基片进行检验、烘干，基片烘干后流水至检测工序。本专利技术的有益效果：本专利技术是在ITO表面化学镀镍镀金前配制清洁液对基片进行清洗处理，彻底去除ITO表面引线间玻璃上的污染物并使ITO刚刚露出新鲜的表面。这样清洁处理后在ITO表面再进行镍层和金层沉积时，镍层和金层只沉积于ITO表面，而在其它地方无法沉积，这就消除了因基片表面污染而造成的产品缺陷问题，大大提高了采用化学镀镍镀金方法制造Sensor产品的良率。同时因镍层和金层是沉积于新鲜的ITO表面，而非脏或异物表面，这样镍层和金层与ITO之间的结合力非常强，不会产生镍层和金层与ITO之间脱落问题，产品使用的耐久性可以得到保证。附图说明图1是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线间玻璃脏而造成的镀镍镀金连线缺陷示意图。图2是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线间玻璃脏而造成的镀镍镀金连线缺陷示意图。图3是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线表面脏而造成的镀镍镀金ITO表面脏缺陷示意图。图4是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线表面脏而造成的镀镍镀金ITO表面脏缺陷示意图。图5是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线外玻璃脏而造成的镀镍镀金沉积缺陷示意图。图6是未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线表面脏而造成的镀镍镀金起泡缺陷示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。一种ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，它包括以下步骤：a) 首先将氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂按1：1：1的比例混溶于去离子水中配成ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁溶液； b) 将要化学镀镍镀金的基片装夹于夹具中，装好后将夹具整个浸没于上述清洁溶液中；c) 根据基片表面污染程度决定基片在清洁溶液中的浸没时间，如基片较脏，则浸没时间可长一些；一般浸没时间为3-10分钟；d) 将完成清洁的基片按美禄德公司镀镍镀金工艺进行脱脂→二次去离子水清洗→微蚀→二次去离子水清洗→催化→二次去离子水清洗→活化→二次去离子水清洗处理； e) 将上述完成预处理的基片进行化学镀镍→二次去离子水清洗→化学镀金→二次热去离子水清洗；f) 完成化学镀镍镀金的基片进行检验、烘干，基片烘干后流水至检测工序。具体清洁时，氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂的混溶比例及浸没时间要控制好，否则ITO下方的玻璃也可能发生侧腐反应，以致其上方的ITO失去附着的基础，ITO可能随其下方的玻璃一起从基片表面上被刻蚀掉，没有ITO则镍层及金层就失去了附着的基础。清洁溶液对玻璃及ITO表面的刻蚀具有一定的选择性，即刻蚀玻璃表面与ITO表面的化学反应速率相差5倍以上；这样用清洁溶液处理基片时玻璃表面的脏及异物可以被彻底去除，而ITO表面则只发生了轻微的刻蚀反应，刚刚露出新鲜的ITO表面而已。所配的清洁溶液刻蚀玻璃表面的化学反应速率可控，不能太快或太慢。镍层和金层是沉积于新鲜的ITO表面，而非脏或异物表面，镍层和金层与ITO之间的结合力非常强，不会产生镍层和金层与ITO之间脱落问题。由于所配清洁溶液中有缓冲剂存在，故在清洁一定数量基片范围内其刻蚀玻璃表面的化学反应速率基本相同，消除了操作中需频繁调整清洁液浓度以保证刻蚀速度一致的弊端。对比例一。如图1、2所示。图1、2为未用本专利技术清洗溶液处理的基片引线间玻璃脏而造成的镀镍镀金连线缺陷。图示缺陷是在引线间大范围连，后工序通过挑连线来修复的难度很大，此类基片只能做废品处理。对比例二。如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，其特征是：
a) 首先将氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂按一定比例混溶于去离子水中配成ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁溶液； 
b) 将要化学镀镍镀金的基片装夹于夹具中，装好后将夹具整个浸没于上述清洁溶液中；
c) 根据基片表面污染程度决定基片在清洁溶液中的浸没时间，如基片较脏，则浸没时间可长一些；
d) 将完成清洁的基片进行脱脂→二次去离子水清洗→微蚀→二次去离子水清洗→催化→二次去离子水清洗→活化→二次去离子水清洗处理； 
e) 将上述完成预处理的基片进行化学镀镍→二次去离子水清洗→化学镀金→二次热去离子水清洗；
f) 完成化学镀镍镀金的基片进行检验、烘干，基片烘干后流水至检测工序。
2.根据权利要求1所述的ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法，其特征在于：氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂的混溶比例及浸没时间要控制好，否则ITO下方的玻璃也可能发生侧腐反应，以致其上方的ITO失去附着的基础，ITO可能随其下方的玻璃一起从基片表面上被刻蚀掉，没有ITO则镍层...

【专利技术属性】
技术研发人员：花进，张雄，吴燕妮，
申请(专利权)人：南京华显高科有限公司，
类型：发明
国别省市：