一种电子陶瓷元件内电极制造技术

技术编号:10981011 阅读:100 留言:0更新日期:2015-01-30 18:00
本实用新型专利技术涉及电子元器件的技术领域,尤其涉及一种陶瓷电子元件内电极。陶瓷基材表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜,第一层镀膜需将基材表面完全覆盖形成薄层,在第一层镀膜上通过电弧喷涂设置第二涂层,第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为5μm~250μm,所述的第一层镀膜为薄层,只需将基材表面完全覆盖即可。本实用新型专利技术的增益效果是:电子陶瓷元件内电极附着力强;无需高温还原,使基材保持良好的电性能,同时无挥发有机物排除,无异味,不污染空气;陶瓷元件内电极加工时间快,沉积时间短。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及电子元器件的
,尤其涉及一种陶瓷电子元件内电极。陶瓷基材表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜,第一层镀膜需将基材表面完全覆盖形成薄层,在第一层镀膜上通过电弧喷涂设置第二涂层,第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为5μm~250μm,所述的第一层镀膜为薄层,只需将基材表面完全覆盖即可。本技术的增益效果是:电子陶瓷元件内电极附着力强;无需高温还原,使基材保持良好的电性能,同时无挥发有机物排除,无异味,不污染空气;陶瓷元件内电极加工时间快,沉积时间短。【专利说明】—种电子陶瓷元件内电极
本技术涉及电子元器件的
,尤其涉及一种陶瓷电子元件内电极。
技术介绍
电子陶瓷的电子性能要通过与其瓷体紧密附贴的金属电极才能显现出来,一般称为内电极。目前业内常用做法是使用银粉制成银浆,再用丝网印刷在瓷体表面,然后通过高温还原(500°C以上)制成内电极。该方法存在以下缺点:一是银材料成本高,二是高温还原对瓷体性能造成不良影响,三是由于银浆含有多种有机溶剂,印刷和还原过程中挥发、燃烧,对环境造成污染。 现有技术中也存在使用真空磁控溅射的方法对基材表面进行镀膜,但是这种方法镀膜速度极慢,生产效率极低,由于对镀膜的厚度都有要求,尤其像压敏电阻这种工作时有大电流通过的电子元件,更无法批量生产,这样的生产条件受到诸多限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种附着力高,安全系数达标的一种电子陶瓷元件内电极。 为达到上述目的,本技术采用如下技术方案: 一种电子陶瓷元件内电极,陶瓷基材表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜,第一层镀膜需将基材表面完全覆盖形成薄层,第一层镀膜使用的溅射靶材为Al、T1、Cr、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;在第一层镀膜上通过电弧喷涂设置第二涂层,第二涂层喷涂的金属粒子为Cr、Ag、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;第一层镀膜与第二层涂层相加的总厚度为5 μ m?250 μ m。 进一步地,所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的总厚度为10 μ m ^200 μ m0 进一步地,所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的总厚度为20 μ m ^170 μ m0 进一步地,所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的总厚度为30 μ m ^140ymo 进一步地,所述的第一层镀膜为薄层,只需将基材表面完全覆盖即可。 进一步地,所述的第二涂层表面具有焊料将导线焊接在在内电极的两侧。 本技术的增益效果是: 1、电子陶瓷元件内电极附着力强,第一层镀膜用于黏附在陶瓷元件上,第二层涂层用于焊接导线,安全系数达到要求; 2、无需高温还原,使基材保持良好的电性能,同时无挥发有机物排除,无异味,不污染空气; 3、使用该工艺的陶瓷元件内电极加工时间快,沉积时间短,普通型号的设备就能批量化生产,无需大型设备。 【专利附图】【附图说明】: 附图1为本技术的侧视图; 【具体实施方式】: 为了使审查委员能对本技术之目的、特征及功能有更进一步了解,以下结合附图对本技术进一步说明: 请参阅图1所示,系为本技术的结构示意图,一种电子陶瓷元件内电极,陶瓷基材I表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜2,第一层镀膜2需将基材表面完全覆盖形成薄层,第一层镀膜2使用的溅射靶材为Al、T1、Cr、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;在第一层镀膜2上通过电弧喷涂设置第二涂层3,第二涂层3喷涂的金属粒子为Cr、Ag、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;第一层镀膜2与第二层涂层3相加的单边厚度为5 μ m ?250 μ m。 作为优选地,所述的第一层镀膜2与第二层涂层3相加的单边厚度为10 μ m^200ymo进一步地,所述的第一层镀膜2与第二层涂层3相加的单边厚度为20 μ m^170 μ m0进一步地,所述的第一层镀膜2与第二层涂层3相加的单边厚度为30 μ m?140 μ m0 所述的第一层镀膜2为薄层,只需将基材表面完全覆盖即可。多弧离子镀溅射的第一层镀膜2用于黏附在陶瓷元件上;电弧喷涂设置第二涂层3用于焊接导线,同时达到安全要求的厚度;所述的第二涂层3表面具有焊料4将导线5焊接在在内电极的两侧。 镀膜速度比真空溅射快,最终制成的电子陶瓷元件内电极厚度也远厚于真空溅射所达到的厚度;多弧离子镀时不足的厚度通过电弧喷涂的方式来补充,使得加工过程的速度进一步提闻。 当然,以上仅为本技术较佳实施方式,并非以此限定本技术的适用范围,故,凡在本技术原理上做等效改变均应包含在本技术的保护范围内。【权利要求】1.一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:陶瓷基材表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜,第一层镀膜需将基材表面完全覆盖形成薄层,第一层镀膜使用的溅射靶材为A1、T1、Cr、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;在第一层镀膜上通过电弧喷涂设置第二涂层,第二涂层喷涂的金属粒子为Cr、Ag、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为5 μ m ^250 μ m。2.根据权利要求1所述的一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为10 μ m?200 μ m。3.根据权利要求1所述的一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为20 μ m?170 μ m。4.根据权利要求1所述的一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:所述的第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为30 μ m?140 μ m。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:所述的第一层镀膜为薄层,只需将基材表面完全覆盖即可。6.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:所述的第二涂层表面具有焊料将导线焊接在在内电极的两侧。【文档编号】C23C14/46GK204125526SQ201420601511【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月17日 优先权日:2014年10月17日 【专利技术者】席万选, 林生 申请人:汕头市鸿志电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子陶瓷元件内电极,其特征在于:陶瓷基材表面两侧通过多弧离子镀溅射第一层镀膜,第一层镀膜需将基材表面完全覆盖形成薄层,第一层镀膜使用的溅射靶材为Al、Ti、Cr、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;在第一层镀膜上通过电弧喷涂设置第二涂层,第二涂层喷涂的金属粒子为Cr、Ag、Zn、Cu、Sn、Ni中的任意一种或者其合金;第一层镀膜与第二层涂层相加的单边厚度为5μm ~250μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:席万选林生
申请(专利权)人:汕头市鸿志电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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