Led开路线路保护装置及其方法制造方法及图纸

一种Led开路线路保护装置及其方法，主要是以现有电子陶瓷元器件的积层制程，以电子陶瓷材料ZnO、SnO2、PbO、Bi2O3、Sb2O3、SrTiO3、BaTiO3、Pr5O11、CoO、Co2O3、Co3O4、NiO、MgO、Cr2O3、TiO2、B2O3、A12O3、MnO2、Mn2O3等材质调制，内外可搭配Ag、Pd/Ag、Ni/Sn、Au、Pt等导电材质烧制而成，借由该陶瓷材质是以具有在工作电压下呈现低漏电高阻抗，以及在恒定电流高电压迅速导通的特性，导通后的Led开路保护组件呈现低阻抗的永久导通，不因电压移除而回复，而可实用化于Led的开路应用上，让Led可呈现更多颗的串联，无须再以并联方式规避开路的问题，也因此当电源移除后，要再启动时无须更高的电压，若串联回路中有多颗Led损坏，也不会造成启动电压的较大负担。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，尤指一种降低整体功率、延长Led寿命、具实用且运用效果完备的开路线路保护装置及其方法，可运用于Led灯的单一Led晶粒或涂布于薄膜上搭配现有制程形成线路与散热基板，借由该陶瓷材质是以具有在工作电压下呈现低漏电高阻抗，以及在恒定电流高电压迅速导通的特性，因此导通后的Led开路保护组件呈现低阻抗的永久导通，不因电压移除而回复，而可实用化于Led的开路应用上，让Led可呈现更多颗的串联，无须再以并联方式规避开路的问题，也因此当电源移除后，要再启动时无须更高的电压，若串联回路中有多颗Led损坏，也不会造成启动电压的较大负担。
技术介绍
二 ^^一世纪是一个科技十倍数成长的时代，科技的成长不在于高深的学问，而在于如何运用简易方便，但效果卓著的方式结构及改良，对于技术的提升、产品的优良及相关安全保障来说将更形重要。 于此，查现有Led灯不是用串联方式就是以并联方式完成电路导通使用已行的有年； 然，以此作为Led灯的照明技术，却只能提供着单纯的照明，一但出现单一 Led晶粒损坏，串联的回路就会发生无法导通的问题，进而影响回路上正常工作的Led，正常晶粒分担损坏开路后的电流，让其它Led因分担较多电流，也减少寿命，依此状况将加速其它Led老化的遗憾，因此即使有此Led灯的照明技术却无法提供使用者相对需要的不增加剩余Led晶粒的负担、同时降低整体功率与延长Led寿命，让Led真正达到省能源等实用性上的要求。 因此，如何解决此种现有Led灯的照明技术，使用时不会因为一颗Led晶粒损坏而增加剩余Led晶粒的负担、同时降低整体功率与延长Led寿命,让Led真正达到省能源等等的问题的困扰，即是目前所必须等待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种，有效避开上述现有Led灯的照明技术的缺憾而深具实用性；使用时不会因为一颗Led晶粒损坏而增加剩余Led晶粒的负担、同时降低整体功率与延长Led寿命，让Led真正达到省能源的实用性上的要求；以陶瓷材料薄膜为基础，现有的陶瓷积层堆叠技术即可达成，其设计尺寸与型态可依实用面的需求而设计制作而具高度配合弹性。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种，适用于Led灯的单一 Led晶粒或涂布于薄膜上搭配现有制程形成线路与散热基板，该Led开路线路保护装置主要是以现有电子陶瓷元器件的积层化制程，以电子陶瓷材料ZnO、Sn02、PbO、Bi203、Sb203、SrTi03、BaTi03、Pr5011、Co0、Co203，Co304、N1、MgO、Cr203、Ti02、B203、A1203、Mn02、Mn203 等材质调制涂布于薄膜上，内外可搭配Ag、Pd/Ag、Ni/Sn、Au、Pt等导电材质烧制而成。 该陶瓷材料涂布于薄膜上的技术基础，以现有的陶瓷积层堆叠技术即可达成，而且该设计陶瓷材料涂布于薄膜上的尺寸与型态可依实用面的需求而设计制作，而具高度配合的弹性特征。 该陶瓷材料涂布于薄膜上的技术，可依此制程烧制后，切割成单一 Led晶粒应用。[0011 ] 该陶瓷材料涂布于薄膜上的技术，亦可将Led线路涂布于薄膜上，搭配现有Led的COB制程形成线路与散热基板，节省空间达到防静电防雷殛与开路防治的多重效果。 因此，本专利技术借由该陶瓷材质是以具有在工作电压下呈现低漏电高阻抗，以及在恒定电流高电压迅速导通的特性，因此导通后的Led开路保护组件呈现低阻抗的永久导通，不因电压移除而回复，而可实用化于Led的开路应用上，让Led可呈现更多颗的串联，无须再以并联方式规避开路的问题，也因此当电源移除后，要再启动时无须更高的电压，若串联回路中有多颗Led损坏，也不会造成启动电压的较大负担，同时能以积层化缩小体积，亦可配合LED的功率需求裁切适当大小，达到小型化而植入LED晶粒中，直接一体化生产LED无须再外加线路或其它ESD开路保护组件，为本专利技术的有效创意。 本专利技术的有益效果是，有效避开上述现有Led灯的照明技术的缺憾而深具实用性；使用时不会因为一颗Led晶粒损坏而增加剩余Led晶粒的负担、同时降低整体功率与延长Led寿命，让Led真正达到省能源的实用性上的要求；以陶瓷材料薄膜为基础，现有的陶瓷积层堆叠技术即可达成，其设计尺寸与型态可依实用面的需求而设计制作而具高度配合弹性。 【附图说明】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1是本专利技术的制作流程示意图。 图2是本专利技术的外观立体示意图。 图中标号说明: I该陶瓷材质 2 薄膜 3导电材质 【具体实施方式】 首先参阅如图1、图2所示，本专利技术是一种，主要是: 以现有电子陶瓷元器件的积层化制程，以电子陶瓷材质I的ZnO、Sn02、PbO、Bi203、Sb203、SrTi03、BaTi03、Pr5011、CoO、Co203、Co304、N1、MgO, Cr203、Ti02、B203、A1203、Mn02、Mn203等材料调制涂布于薄膜2上，内外可搭配Ag、Pd/Ag、Ni/Sn、Au、Pt等导电材质3烧制而成。 该陶瓷材质I涂布于薄膜2上的技术基础，以现有的陶瓷积层堆叠技术即可达成，而且该设计陶瓷材质I涂布于薄膜2上的尺寸与型态可依实用面的需求而设计制作，而具高度配合的弹性特征。 该陶瓷材料涂布于薄膜上的技术，可依此制程烧制后，切割成单一 Led晶粒应用。 该陶瓷材料涂布于薄膜上的技术，亦可将Led线路涂布于薄膜2上，搭配现有Led的COB制程形成线路与散热基板，节省空间达到防静电防雷殛与开路防治的多重效果。 接着，请继续参阅如图1、图2所示；本专利技术，主要就是借由该陶瓷材质I是以具有在工作电压下呈现低漏电高阻抗，以及在恒定电流高电压迅速导通的特性，为本专利技术的有效创意。 导通后的Led开路保护组件会呈现低阻抗的永久导通，不因电压移除而回复，而可实用化于Led的开路应用上，让Led可呈现更多颗的串联，无须再以并联方式规避开路的问题； 也因此当电源移除后，要再启动时无须更高的电压，若串联回路中有多颗Led损坏，也不会造成启动电压的较大负担。 另一方面，本专利技术同时能以积层化缩小体积，亦可配合LED的功率需求裁切适当大小，达到小型化而植入LED晶粒中，直接一体化生产LED无须再外加线路或其它ESD，开路保护组件等的优势存在。 以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。 综上所述，本专利技术在结构设计、使用实用性及成本效益上，完全符合产业发展所需，且所揭示的结构亦是具有前所未有的创新构造，具有新颖性、创造性、实用性，符合有关专利技术专利要件的规定，故依法提起申请。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Led开路线路保护装置及其方法，其特征在于，以现有电子陶瓷元器件的积层化制程，以电子陶瓷材质的ZnO、SnO2、PbO、Bi2O3、Sb2O3、SrTiO3、BaTiO3、Pr5O11、CoO、Co2O3、Co3O4、NiO、MgO、Cr2O3、TiO2、B2O3、A12O3、MnO2、Mn2O3等材料调制涂布于薄膜上，内外可搭配Ag、Pd/Ag、Ni/Sn、Au、Pt等导电材质烧制而成；该陶瓷材质涂布于薄膜上的技术基础，以现有的陶瓷积层堆叠技术即可。

【技术特征摘要】
1.一种Led开路线路保护装置及其方法，其特征在于， 以现有电子陶瓷元器件的积层化制程，以电子陶瓷材质的ZnO、Sn02、PbO、Bi203、Sb203、SrTi03、BaTi03、Pr5011、CoO、Co203、Co304、N1、MgO, Cr203、Ti02、B203、A1203、Mn02、Mn203等材料调制涂布于薄膜上，内外可搭配Ag、Pd/Ag、Ni/Sn、Au、Pt等导电材质烧制而成； 该陶瓷材质涂布于薄膜上的技术基础，以现有的陶瓷积层堆叠技术即可。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：江衍聪，
申请(专利权)人：江衍聪，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71