本实用新型专利技术涉及一种多晶硅还原炉，包括底座和设置于所述底座上的圆柱形的炉体，所述炉体与所述底座通过连接部相连接，所述炉体包括外壁和内置于所述炉体内的呈圆柱状的炉筒，所述炉筒上均匀设置多个进料喷嘴。通过采用本实用新型专利技术所公开的多晶硅还原炉，通过在炉筒上均匀设置进料喷嘴，由于气体物料的温度较低，当气体物料进入炉筒时，使炉筒的温度均匀降温，从而无需在炉筒与还原炉外壁的夹层内注水冷动，从而节约了水资源。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅的生产设备，尤其涉及一种多晶硅还原炉。
技术介绍
目前，业界生产多晶硅的方法有多种，其中较为常见的是氢还原法。其是把提纯好的三氯氢硅和净化好的氢气作为原料，通入到反应容器内，在高温、高压环境下，两者在反应容器内发生化学反应，形成多晶硅，并沉积在反应容器内的发热体上。随着化学反应的继续，沉积在发热体上的多晶硅越来越多，逐渐的将发热体全部覆盖，变成一根外表包裹着多晶硅的棒状体，俗称硅棒。反应容器内的化学反应将继续进行，多晶硅也会继续沉积在硅棒上，使得硅棒的直径逐渐加大，直到最后达到预定的直径尺寸，停止反应容器内的化学反应。业界通常使用多晶硅还原炉，作为实施上述化学反应的反应容器。其自身性能的好坏，对其生产的多晶硅的品质有着重大的影响。通常其包括有底座以及与底座连接的炉体。该还原炉进料的方法采用喷嘴进料，即通过均匀分布在底盘上的喷嘴(多为9个)，以一定的速度把物料打入炉内。物料从底盘进入时温度相较于炉内温度低。另外，还原炉在运行时炉内温度控制在1050-1100°C之间，需要在夹层内通入冷却水对炉筒及底盘进行降温。
技术实现思路
本技术所要解决的第一个技术问题是现有技术中由物从底盘进入时温度相较于炉内温度低，在底部与顶部间产生温度差，使得整根硅棒上相同的温度控制产生不同的沉积效果，上部由于温度略高更易产生畸形物料；本技术所要解决的第二个技术问题是现有技术中在夹层内通入冷却水对炉筒及底盘进行降温，循环水带走一部分热能，增加了生产电耗。为此目的，本技术提出了一种采用气体进料通道，且使进料喷嘴遍布在还原炉底盘上的多晶硅还原炉。一种多晶硅还原炉，包括底座和设置于所述底座上的炉体，所述炉体与所述底座通过连接部相连接，所述炉体包括外壁和内置于所述炉体内的炉筒，所述炉筒上设置有均匀分布的多个进料喷嘴。优选地，所述进料喷嘴为螺旋喷嘴。优选地，所述炉筒内壁上设置有保温装置。优选地，所述保温装置包括黑体元件。优选地，还包括多个进料口，所述进料口均匀设置于所述炉体的底部边缘位置和所述炉体的上方中心位置。优选地，还包括出料口，所述出料口设置于所述炉体底部中心位置。通过采用本技术所公开的多晶硅还原炉，通过在炉筒上均匀设置进料喷嘴，由于气体物料的温度较低，当气体物料进入炉筒时，使炉筒的温度均匀降温，从而无需在炉筒与还原炉外壁的夹层内注水冷动，从而节约了水资源。另外在炉筒内壁上设置黑体元件，利用其特性吸收硅棒的热能后，再发射热射线，减少炉筒的热损伤，从而保护了炉体，减少了热能损失。【附图说明】通过参考附图会更加清楚的理解本技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本技术进行任何限制，在附图中:图1示出了本技术实施例公开的多晶硅还原炉的结构示意图；其中附图标记表不为:1-炉体，2-炉筒，3-进料喷嘴，4_进料口，5_出料口。【具体实施方式】下面将结合附图对本技术的实施例进行详细描述。本实施例涉及的多晶硅还原炉，包括底座和设置于所述底座上的炉体1，所述炉体I与所述底座通过连接部相连接，所述炉体I包括外壁和内置于所述炉体I内的炉筒2，所述炉筒2上设置有均匀分布的多个进料喷嘴3。通过采用本技术所公开的多晶硅还原炉，通过在炉筒2上均匀设置进料喷嘴3，由于气体物料的温度较低，当气体物料进入炉筒2时，使炉筒2的温度均匀降温，从而无需在炉筒2与还原炉外壁的夹层内注水冷动，从而节约了水资源。所述进料喷嘴3为螺旋喷嘴。所述螺旋喷嘴没有内部结构，废气废水中的杂质可以大量通过喷嘴而不会产生堵塞。所述炉筒内壁上设置有保温装置。所述保温装置包括黑体元件。另外在炉筒内壁上设置黑体元件，利用其特性吸收硅棒的热能后，再发射热射线，减少炉筒的热损伤，从而保护了炉体，减少了热能损失。本实施例还包括多个进料口 4，所述进料口均匀设置于所述炉体的底部边缘位置和所述炉体的上方中心位置。还包括出料口 5，所述出料口 5设置于所述炉体底部中心位置。综上所述，本实施例通过在炉筒上均匀设置进料喷嘴，由于气体物料的温度较低，当气体物料进入炉筒时，使炉筒的温度均匀降温，从而无需在炉筒与还原炉外壁的夹层内注水冷动，从而节约了水资源。另一方面，在炉筒内壁上设置黑体元件，利用其特性吸收硅棒的热能后，再发射热射线，不但起到保温的作用，而且能够减少炉筒的热损伤，从而保护了炉体，减少了热能损失。虽然结合附图描述了本技术的实施方式，但是本领域技术人员可以在不脱离本技术的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。【主权项】1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括底座和设置于所述底座上的炉体，所述炉体与所述底座通过连接部相连接，所述炉体包括外壁和内置于所述炉体内的炉筒， 所述炉筒上设置有均匀分布的多个进料喷嘴。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于， 所述进料喷嘴为螺旋喷嘴。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于， 所述炉筒内壁上设置有保温装置。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于， 所述保温装置包括黑体元件。5.根据权利要求1-4任一所述的多晶硅还原炉，其特征在于， 还包括多个进料口，所述进料口均匀设置于所述炉体的底部边缘位置和所述炉体的上方中心位置。6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，还包括出料口，所述出料口设置于所述炉体底部中心位置。【专利摘要】本技术涉及一种多晶硅还原炉，包括底座和设置于所述底座上的圆柱形的炉体，所述炉体与所述底座通过连接部相连接，所述炉体包括外壁和内置于所述炉体内的呈圆柱状的炉筒，所述炉筒上均匀设置多个进料喷嘴。通过采用本技术所公开的多晶硅还原炉，通过在炉筒上均匀设置进料喷嘴，由于气体物料的温度较低，当气体物料进入炉筒时，使炉筒的温度均匀降温，从而无需在炉筒与还原炉外壁的夹层内注水冷动，从而节约了水资源。【IPC分类】C01B33-03【公开号】CN204434295【申请号】CN201520121412【专利技术人】刘艳飞, 张海锋 【申请人】内蒙古鄂尔多斯电力冶金股份有限公司氯碱化工分公司【公开日】2015年7月1日【申请日】2015年3月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括底座和设置于所述底座上的炉体，所述炉体与所述底座通过连接部相连接，所述炉体包括外壁和内置于所述炉体内的炉筒，所述炉筒上设置有均匀分布的多个进料喷嘴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳飞，张海锋，
申请(专利权)人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金股份有限公司氯碱化工分公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古;15
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