用于多晶硅还原炉的底盘组件制造技术

本发明专利技术公开了一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件包括：底盘本体，所述底盘本体内限定有冷却腔和位于所述冷却腔下方的进气腔，所述底盘本体上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口；多个电极座，多个所述电极座设置在所述底盘本体上；多个进气管和多个排气管，多个所述进气管和多个所述排气管设置在所述底盘本体上，多个所述进气管分别与所述进气腔连通且多个所述排气管分别贯穿所述底盘本体。根据本发明专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有进气均匀、工作稳定等优点，且同时能够减少还原炉底盘下部的管路数量，简化管路布置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅生产
，具体而言，涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。
技术介绍
相关技术中的多晶硅还原炉，进气气体经过底盘后进入炉内，为了使进气气体在炉内分布均匀，往往在底盘上尽量均匀地设置多个进气管。当然，设置的进气管越多则气体在炉内分布越均匀，但这样的布置导致底盘下部管路多且复杂，难以布置，工程上实现难度大、成本尚。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一。为此，本专利技术提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，该用于多晶硅还原炉的底盘组件具有进气均匀、工作稳定等优点，且同时能够减少还原炉底盘下部的管路数量，简化管路布置。为实现上述目的，根据本专利技术的实施例提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件包括:底盘本体，所述底盘本体内限定有冷却腔和位于所述冷却腔下方的进气腔，所述底盘本体上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口 ；多个电极座，多个所述电极座设置在所述底盘本体上；多个进气管和多个排气管，多个所述进气管和多个所述排气管设置在所述底盘本体上，多个所述进气管分别与所述进气腔连通且多个所述排气管分别贯穿所述底盘本体。根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有进气均匀、工作稳定等优点。另外，根据本专利技术上述实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件还可以具有如下附加的技术特征:根据本专利技术的一个实施例，所述底盘本体包括:底盘法兰；上底板，所述上底板设在所述底盘法兰内；下底板，所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方；中隔板，所述中隔板设在底盘法兰内且位于所述上底板和所述下底板之间，所述中隔板与所述上底板和所述底盘法兰限定出所述冷却腔且与所述下底板和所述底盘法兰限定出所述进气腔。根据本专利技术的一个实施例，所述底盘本体还包括多个导流板，多个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出多个螺旋流道，所述冷却液进口和所述冷却液出口分别与多个所述螺旋流道连通。根据本专利技术的一个实施例，多个所述导流板焊接在所述中隔板上。根据本专利技术的一个实施例，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件还包括设在所述底盘本体上的冷却液进管和多个冷却液出管，所述冷却液进口设置在所述底盘本体的中心处，多个所述进气管中位于所述底盘本体中心处的所述进气管嵌套在所述冷却液进管内，多个所述排气管分别嵌套在多个所述冷却液出管内。根据本专利技术的一个实施例，所述用于多晶硅还原炉的底盘组件还包括:进气环管，所述进气环管上设有进气口且设置在所述底盘本体下方；多个进气支管，多个所述进气支管连接在所述进气环管上且分别与所述进气腔连通。根据本专利技术的一个实施例，所述进气支管与所述进气腔的连通处设有进气挡板。【附图说明】图1是根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的轴向剖视图。图2是根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的径向剖视图。图3是根据本专利技术实施例的多晶硅还原炉的结构示意图。图4是根据本专利技术实施例的多晶硅还原炉的局部结构示意图。图5是根据本专利技术实施例的多晶硅还原炉的喷嘴的结构示意图。附图标记:用于多晶硅还原炉的底盘组件10、底盘本体100、螺旋流道110、进气腔111、冷却液进口 120、冷却液出口 130、底盘法兰140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷却腔180、导流板190、弧形段191、电极座200、进气管300、排气管400、冷却液进管500、冷却液出管600 ；多晶硅还原炉1、炉体20、半球形封头21、进水管22、出水管23、电极30、上观察试镜41、中观察试镜42、下观察试镜43、喷嘴50、基座51、导向杆52、止挡台53、支腿54、引流转子55、侧旋流道56、止挡螺母57、进气环管61、进气口 62、进气支管63、进气挡板64、排气环管71、排气口 72、排气支管73、进液管74、出液管75、膨胀节76。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。下面参考附图描述根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。如图1和图2所示，根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。底盘本体100内限定有多个螺旋流道110和位于多个螺旋流道110下方的进气腔111 (上下方向如附图中的箭头A所示)，多个螺旋流道110从底盘本体100的中心处旋向底盘本体100的外周缘处，底盘本体100上设有与多个螺旋流道110连通的冷却液进口120和多个冷却液出口 130。多个电极座200设置在底盘本体100上。多个进气管300和多个排气管400设置在底盘本体100上，多个进气管300分别与进气腔111连通，多个排气管400分别贯穿底盘本体100。根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10，通过在底盘本体100内设置从底盘本体100的中心旋向底盘本体100的外周缘的多个螺旋流道110，这样冷却液可以通过冷却液进口 120分别进入多个螺旋流道110，对底盘本体100的上表面、多个进气管300、多个排气管400和多个电极座200进行强制冷却。由于在底盘本体100内设置多个螺旋流道110，使得每个螺旋流道110的流程较短，减少了冷却液的流动阻力，提高了冷却效果，且避免了底盘本体100径向温差过大，有利于防止底盘本体100产生温差应力和变形。此外，底盘本体100内进一步限定了与进气管300连通的进气腔111，进气气体首先进入进气腔111，均匀分散后由多个进气管300进入炉体内，由此可以提高进气的均匀性。因此，根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10具有冷却液流动阻力小、冷却效果好、径向温度分布均匀、不易产生温差应力和变形、进气均匀、工作稳定等优点，且同时能够减少还原炉底盘下部的管路数量，简化管路布置。下面参考附图描述根据本专利技术具体实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。在本专利技术的一些具体实施例中，如图1和图2所示，根据本专利技术实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极座200、多个进气管300和多个排气管400。进一步地，多个螺旋流道110的长度相等，且多个螺旋流道110的相同长度处的宽度相等。由此可以进一步提高底盘本体100径向温度的均匀性，从而进一步防止底盘本体100产生温差应力和变形。可选地，如图1所示，螺旋流道110为六个，六个螺旋流道110沿底盘本体100的径向盘绕成七层，冷却液进口 120设置在底盘本体100的中心处，冷却液出口 130设置在底盘本体100的外周缘处，冷却液由底盘本体100中心经螺旋流道110后排出。在本专利技术的一些具体示例中，如图1和图2所示，底盘本体100包括底盘法兰140、上底板150、下底板160、中隔板170。底盘法兰140用于连接炉体。上底板150、下底板160和中隔板170均设在底盘法兰140内，其中下底板160位于上底板150下方且中隔板170位于上底板150和下底板160之间，中隔板170与上底板150和底盘法兰140当前第1页1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括：底盘本体，所述底盘本体内限定有冷却腔和位于所述冷却腔下方的进气腔，所述底盘本体上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口；多个电极座，多个所述电极座设置在所述底盘本体上；多个进气管和多个排气管，多个所述进气管和多个所述排气管设置在所述底盘本体上，多个所述进气管分别与所述进气腔连通且多个所述排气管分别贯穿所述底盘本体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚心，汪绍芬，严大洲，郑红梅，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11