Trench MOS器件的制造方法技术

本发明专利技术提出了一种Trench MOS器件的制造方法，在硅层的下方形成类型与所述硅层类型相反的离子注入区，离子注入区与漏极层类型一致，由于硅层中的空穴或电子能够与离子注入区的电子或空穴结合，从而能够降低硅层和漏极层之间的基区电流，在基区电阻不变的情况下，能够降低基区电压Vb，从而提高Trench MOS器件的耐用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
自功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)技术专利技术以来，该技术已取得了很多重要的发展和长足的进步。近年来，功率MOSFET技术的新器件结构和新制造工艺仍不断涌现，以达到两个最基本的目标:最大的功率处理和最小的功率损耗。Trench MOS (垂直型MOS器件)是实现此目标最重要的技术推动之一。Trench MOS技术的最大优点在于其能够增加平面器件的沟道密度，以提高器件的电流处理能力。请参考图1至图5，图1至图5为现有技术中Trench MOS器件制造过程中的剖面示意图；现有技术中Trench MOS器件包括步骤:S1:提供N型外延层10,在所述N型外延层10的表面形成娃层20 ；S2:对所述硅层20以及N型外延层10进行刻蚀，形成沟槽30，所述沟槽30暴露出一部分N型外延层10，如图1所示；S3:在所述沟槽30内形成一氧化层40，所述氧化层40紧贴所述硅层20和N型外延层10的表面,如图2所示；S4:在所述沟槽30内、氧化层40的表面形成多晶硅50，如图3所示；S5:对所述硅层20进行P型离子注入，使所述硅层20改变为P型，如图4所示；S6:对所述硅层20的表面进行N型离子注入,形成N+区60，从而完成Trench MOS器件的制造。然而，现有技术中Trench MOS器件的基区电压(Vb)过大，导致Trench MOS器件的耐用性(Ruggedness)不佳,而耐用性是用来衡量Trench MOS器件可靠性一个重要的因素，那么，如何提高Trench MOS器件的耐用性便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，能够降低基区电压，提高Trench MOS器件的耐用性。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种，包括步骤:提供漏极层；对所述漏极层的表面进行离子注入，形成间隔排列的离子注入区，注入的离子类型与所述漏极层类型一致；在所述漏极层表面形成Trench MOS器件结构,所述Trench MOS器件结构包括娃层，所述硅层注入的离子类型与所述漏极层类型相反，且所述硅层位于所述离子注入区的表面。进一步的，所述Trench MOS器件结构采用以下步骤形成，所述步骤包括:在所述漏极层表面形成所述硅层；对所述硅层进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述漏极层，并位于两个离子注入区之间；在所述沟槽内形成介质层，所述介质层紧贴所述硅层和漏极层；在所述介质层的表面形成栅极，所述栅极填充满所述沟槽；对所述硅层进行离子注入，注入的离子类型与所述漏极层类型相反；对所述硅层的表面进行离子注入，形成源极，注入的离子类型与所述漏极层类型一致。进一步的，所述漏极层为N型外延层。进一步的，对所述硅层进行P型离子注入，使形成的硅层为P型。进一步的，形成的源极为N+型。进一步的，所述漏极层为P型外延层。进一步的，对所述硅层进行N型离子注入，使形成的硅层为N型。进一步的，形成的源极为P+型。进一步的，所述介质层为二氧化硅。进一步的，所述栅极为多晶硅。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在:在硅层的下方形成类型与所述硅层类型相反的离子注入区，离子注入区与漏极层类型一致，由于硅层中的空穴或电子能够与离子注入区的电子或空穴结合，从而能够降低硅层和漏极层之间的基区电流，在基区电阻不变的情况下，能够降低基区电压Vb，从而提高Trench MOS器件的耐用性。【附图说明】图1至图5为现有技术中Trench MOS器件制造过程中的剖面示意图；图6为本专利技术实施例一中的流程图；图7至图12为本专利技术实施例一中Trench MOS器件制造过程中的剖面示意图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本专利技术的进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一请参考图6，在本实施例中，提出了一种，包括步骤:SlOO:提供漏极层100 ； 在本实施例中，所述漏极层100为N型外延层。[004当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Trench MOS器件的制造方法，包括步骤：提供漏极层；对所述漏极层的表面进行离子注入，形成间隔排列的离子注入区，注入的离子类型与所述漏极层类型一致；在所述漏极层表面形成Trench MOS器件结构，所述Trench MOS器件结构包括硅层，所述硅层注入的离子类型与所述漏极层类型相反，且所述硅层位于所述离子注入区的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31