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本发明提出了一种Trench MOS器件的制造方法，在硅层的下方形成类型与所述硅层类型相反的离子注入区，离子注入区与漏极层类型一致，由于硅层中的空穴或电子能够与离子注入区的电子或空穴结合，从而能够降低硅层和漏极层之间的基区电流，在基区电阻不...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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