SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法技术

本发明专利技术提供一种SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法。所述SRAM存储单元阵列包括：多个沿行方向排列的字线对，所述字线对包括写字线和读字线；沿列方向排列的位线对，所述位线对包括第一位线和第二位线；位于所述字线对和所述位线对之间的多个存储单元，每个所述存储单元分别连接至对应的所述字线对和所述位线对，所述存储单元包括读出端；以及读单元，所述读单元包括一个读晶体管和一条读位线，所述读位线通过所述读晶体管连接至多个所述存储单元的所述读出端。根据本发明专利技术的SRAM存储单元阵列减少了晶体管数量，提高了稳定性。

【技术实现步骤摘要】
SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种SRAM存储单元阵列、具有该SRAM存储单元阵列的SRAM存储器及该SRAM存储器的控制方法。
技术介绍
随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM（StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器）以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。SRAM整体结构可以划分为存储单元阵列和外围电路两部分。在SRAM中，存储单元是最基本、最重要的组成部分。阵列内包含的存储单元的数量和存储单元的稳定性是影响SRAM性能的两个重要因素。存储单元的数量越多，存储能力越高，SRAM芯片的尺寸越大。但是SRAM芯片的尺寸增大与消费者对于便携的要求相违背。目前SRAM的主流单元为6T，如图1所示。该6TSRAM单元100包括两个相同且交叉耦合的反相器110、120。位线（BL）对130、140通过两个传输晶体管（PG）150、160连接至存储节点Q1、Q2。在6TSRAM中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括：多个沿行方向排列的字线对，所述字线对包括写字线和读字线；沿列方向排列的位线对，所述位线对包括第一位线和第二位线；位于所述字线对和所述位线对之间的多个存储单元，每个所述存储单元分别连接至对应的所述字线对和所述位线对，所述存储单元包括读出端；以及读单元，所述读单元包括一个读晶体管和一条读位线，所述读位线通过所述读晶体管连接至多个所述存储单元的所述读出端。

【技术特征摘要】
1.一种SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括：多个沿行方向排列的字线对，所述字线对包括写字线和读字线；沿列方向排列的位线对，所述位线对包括第一位线和第二位线；位于所述字线对和所述位线对之间的多个存储单元，每个所述存储单元分别连接至对应的所述字线对和所述位线对，所述存储单元包括读出端；以及读单元，所述读单元包括一个读晶体管和一条读位线，所述读位线通过所述读晶体管连接至多个所述存储单元的所述读出端，以仅通过一个所述读晶体管而实现多个所述存储单元的读操作。2.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列还包括互连线，所述存储单元的读出端连接至所述互连线，以通过所述互连线连接至所述读晶体管。3.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述读晶体管的栅极连接至所述存储单元的所述读出端；所述读晶体管的漏极连接至所述读位线；所述读晶体管的源极接地。4.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述读晶体管为NMOS晶体管。5.如权利要求1所述的SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述存储单元包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器连接在第一节点与第二节点之间，其中所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输出端连接至所述第一节点，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接至所述第二节点；第一写传输晶体管和第二写传输晶体管，所述第一写传输晶体管和所述第二写传输晶体管的源极分别与所述第一节点和所述第二节点连接，漏极分别与所述第一位线和所述第二位线连接，栅极分别与对应的写字线连接；以及读传输晶体管，所述读传输晶体管的源极与所述第一节点和所述第二节点中的一个连接，漏极与所述读晶体管连接，栅极与所述读字线连接。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31