驱动非易失性存储器装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

【技术实现步骤摘要】
驱动非易失性存储器装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2013年11月11日提交的韩国专利申请No.10-2013-0136351的优先权，该申请的主题内容以引用方式并入本文中。
本专利技术构思整体涉及一种驱动非易失性存储器装置的方法。
技术介绍
特定非易失性存储器装置和系统中被编程的非易失性存储器单元的阈电压往往随时间而变化。这种不利结果有许多原因与环境因素、操作因素和用于制造非易失性存储器单元的材料的基本特性有关。被编程的非易失性存储器单元的阈电压明显地随时间变化是不可接受的，这是因为所得“改变的”阈电压会被错误地解读，从而导致读数据错误。
技术实现思路
在一个实施例中，本专利技术构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。在另一实施例中，本专利技术构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动非易失性存储器装置的方法，包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

【技术特征摘要】
2013.11.11 KR 10-2013-01363511.一种驱动非易失性存储器装置的方法，包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。2.根据权利要求1所述的方法，其中，关于所述非易失性存储器单元执行所述第一编程循环的步骤包括：利用第一组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第一组编程脉冲包括第一初始编程脉冲和第一最终编程脉冲，并且关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环的步骤包括：利用与所述第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第二组编程脉冲包括第二初始编程脉冲和第二最终编程脉冲。3.根据权利要求2所述的方法，其中，利用第一增量步幅通过第一增量步脉冲编程限定所述第一组编程脉冲，并且利用与所述第一增量步幅不同的第二增量步幅通过第二增量步脉冲编程限定第二组编程脉冲。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一增量步幅大于所述第二增量步幅。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一最终编程脉冲的电压电平。6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一初始编程脉冲的电压电平。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移的步骤包括：对所述非易失性存储器单元执行弱擦除操作。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第一阈电压分布，所述第一阈电压分布具有第一宽度和第一平均阈电压电平，并且所述非易失性存储器单元的阈电压的再次正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第二阈电压分布，所述第二阈电压分布具有小于所述第一宽度的第二宽度和低于所述第一平均阈电压电平的第二平均阈电压电平。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的正向漂移以及所述非易失性存储器单元的阈电压的再次正向漂移中的每一个使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着正向移动，并且所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着负向移动。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器单元中的至少一个非易失性存储器单元是电荷撷取闪存存储器单元。11.一种驱动非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单元和共同连接至第二字线的第二非易失性存储器单元，所述方法包括步骤：通过关于所述第一非易失性存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭东勋，朴起台，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR