一种制作半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作半导体器件的方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。根据本发明专利技术的制造工艺形成的热氧化侧墙绝缘能力强；深沟槽侧墙的顶端被氮化硅层保护没有损失；深沟槽侧壁的保护层均匀，对后续的填充以避免产生孔洞有很大的帮助。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氧化层和氮化物层；图案化所述氮化物层、所述氧化层和所述半导体衬底，以形成深沟槽；氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第一氧化物层；湿法刻蚀去除所述第一氧化物层，以使所述深沟槽的侧壁相对于所述氮化物层的侧壁向内凹陷；再氧化所述深沟槽的底部以及侧壁，以形成第二氧化物层，所述第二氧化物层与所述氮化物层的侧壁齐平；刻蚀去除位于所述深沟槽底部的所述第二氧化物层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚宁，戴执中，冯喆韻，贺吉伟，浦贤勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31