增加浅沟槽隔离结构表面悬突高度的方法技术

本发明专利技术公开了一种增加浅沟槽隔离结构表面悬突高度的方法，包括：1）在硅衬底上淀积一层缓冲阻挡层；2）进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀缓冲阻挡层和硅衬底，形成浅沟槽；4）依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜填充浅沟槽；5）在高密度等离子体氧化膜表面，淀积一层覆盖缓冲层；6）化学机械研磨进行平坦化，直至接触到步骤1）的缓冲阻挡层。本发明专利技术的方法可以扩大后续工艺窗口，改善隔绝效果，提高良率，而且工艺成本低，便于实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种增加浅沟槽隔离结构表面悬突高度的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上淀积一层缓冲阻挡层；2）进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀缓冲阻挡层和硅衬底，形成浅沟槽；4）依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜填充浅沟槽；5）在高密度等离子体氧化膜表面，淀积一层覆盖缓冲层；6）化学机械研磨进行平坦化，直至接触到步骤1）的缓冲阻挡层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱志刚，程晓华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31