用于液晶显示器的阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成栅极布线；b)在具有所述栅极布线的基板上形成栅极绝缘层；c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及e)形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，a)步骤或d)步骤包括：在所述基板或所述半导体层上形成Cu基金属膜，以及利用蚀刻剂组合物通过蚀刻所述Cu基金属膜来形成所述栅极布线或所述源电极和所述漏电极，以及所述蚀刻剂组合物为用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括过氧化氢(H2O2)、亚磷酸或多元碱基化合物以及水。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成栅极布线；b)在具有所述栅极布线的基板上形成栅极绝缘层；c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及e)形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，a)步骤或d)步骤包括：在所述基板或所述半导体层上形成Cu基金属膜，以及利用蚀刻剂组合物通过蚀刻所述Cu基金属膜来形成所述栅极布线或所述源电极和所述漏电极，以及所述蚀刻剂组合物为用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括过氧化氢(H2O2)、亚磷酸或多元碱基化合物以及水。【专利说明】 本申请要求2013年9月27日递交的韩国专利申请KR10-2013-0115037的权益 和2013年10月18日递交的韩国专利申请KR10-2013-0124525的权益，在此将其通过全 文引用的方式并入本申请中。
本专利技术涉及一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法。
技术介绍
在半导体装置中，在基板上形成金属布线的工艺通常包括：利用溅射等形成金属 膜、涂覆光刻胶、进行曝光和显影以便在选定的区域上形成光刻胶、以及进行蚀刻，其中，在 每个单独的工艺之前或之后进行清洁工艺。蚀刻工艺是使用光刻胶作为掩模来使得金属膜 能够留在选定的区域的工艺，并且蚀刻工艺通常包括利用等离子体等的干蚀刻或利用蚀刻 剂组合物的湿蚀刻。 通常，对于用于栅极布线和数据布线的材料，使用包括铜的铜膜层或铜合金膜层， 或金属氧化物层，其中，铜具有良好的导电性并且电阻低，金属氧化物层与铜膜层或铜合金 膜层具有良好的界面粘合性。 就该点而言，韩国专利申请公开10-2007-0055259公开了一种用于Cu基金属膜的 蚀刻剂组合物，包括过氧化氢、有机酸、磷酸盐化合物等，其用于蚀刻铜-钥合金膜层。 然而，如果将蚀刻剂组合物应用至Cu基金属膜的厚膜时，由于磷酸二氢盐(phosphate monobasic)所导致的高锥角而可能在后续工艺中产生缺陷问题。 (专利文献1)韩国专利申请公开10-2007-0055259A
技术实现思路
为了解决前述问题，本专利技术的一个目的是提供一种制造阵列基板的方法，所述阵 列基本用于液晶显示器并且由Cu基金属膜组成。 为了解决前述问题，本专利技术的另一目的是利用本专利技术的蚀刻剂组合物对Cu基金 属膜进行批量蚀刻，本专利技术的蚀刻剂组合物用于Cu基金属膜并且包括亚磷酸（H3PO3)或多 兀喊基化合物（p〇lybasiccompound)。 为了实现上述目的，本专利技术提供了一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法， 所述方法包括： a)在基板上形成栅极布线； b)在具有所述栅极布线的所述基板上形成栅极绝缘层； c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层； d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及 e)形成与所述漏电极连接的像素电极， 其中，a)步骤或d)步骤包括：在所述基板或所述半导体层上形成Cu基金属膜， 以及利用蚀刻剂组合物通过蚀刻所述Cu基金属膜来形成所述栅极布线或所述源电极和 所述漏电极，以及所述蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢 (H2O2)、亚磷酸或多元碱基化合物、以及水。 此外，本专利技术提供了一种用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢 (H2O2)、亚磷酸或多元碱基化合物、以及水。 此外，本专利技术提供了一种用于液晶显示器的阵列基板，所述阵列基板包括：选自栅 极布线、源电极和漏电极中的至少一种，所述栅极布线、所述源电极和所述漏电极经所述用 于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物蚀刻。 包括亚磷酸（H3PO3)或多元碱基化合物的用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物有利于 提高蚀刻速率，并且它可以被应用至具有较厚厚度的厚膜。 另外，本专利技术的蚀刻剂组合物由于在蚀刻时锥角较低而可被应用至高分辨率装 置。 【专利附图】【附图说明】 结合下文的详细描述和附图，将更清楚地理解本专利技术的上述和其它目的、特征和 优点，其中： 图1示出了在300ppm的铜的条件下，当使用实施例3的用于Cu基金属膜的蚀刻 剂组合物时，蚀刻剖面的扫描电子显微镜（SEM)图像； 图2示出了在3000ppm的铜的条件下，当使用实施例3的用于Cu基金属膜的蚀 刻剂组合物时，蚀刻剖面的扫描电子显微镜（SEM)图像；以及 图3示出了在6000ppm的铜的条件下，当使用实施例3的用于Cu基金属膜的蚀 刻剂组合物时，蚀刻剖面的扫描电子显微镜（SEM)图像。 【具体实施方式】 在下文中，将详细描述本专利技术。 本专利技术涉及一种利用用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物来制造用于液晶显示器的 阵列基板的方法，并且该制造方法如下。 该制造方法包括： a)在基板上形成栅极布线； b)在具有栅极布线的基板上形成栅极绝缘层； c)在栅极绝缘层上形成半导体层； d)在半导体层上形成源电极和漏电极；以及 e)形成与漏电极连接的像素电极， 其中，a)步骤或d)步骤包括：在基板或半导体层上形成Cu基金属膜，并且利用蚀 刻剂组合物通过蚀刻Cu基金属膜来形成栅极布线或源电极和漏电极。 蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢（H2O2)、亚磷酸 或多元碱基化合物、以及水。 特别地，该蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，并且包括：基于组 合物的总重量，15?25重量％的过氧化氢（H2O2) ;0. 3?5重量％的亚磷酸或0. 1?5重 量％的多元碱基化合物；以及余量的水，以使得组合物的总重量为100重量％。 用于液晶显示器的阵列基板是薄膜晶体管（TFT)基板。 另外，本专利技术涉及一种用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢（H2O2)、 亚磷酸或多元碱基化合物，以及水。 最近，在显示器，尤其在TV的情况下，为了显示出较高的分辨率，以狭窄的方式生 产用于液晶显示器的阵列基板的横向的布线宽度。然而，由于布线宽度的变窄，产生电阻增 大的问题。因而，为了防止这种问题的产生，在用于液晶显示器的阵列基板中，使用这样的 厚膜，该厚膜具有通过增大轴向的布线厚度所制备的金属膜的较厚厚度。 在利用常规蚀刻剂组合物蚀刻厚膜的情况下，腐蚀速率缓慢并且处理时间增加， 其中，常规蚀刻剂组合物不包括亚磷酸或多元碱基化合物。因此，常规蚀刻剂组合物不可能 被应用于蚀刻需要超过150A/秒的腐蚀速率的厚膜。 另外，由于在超过60°的锥角的情况下在后续工艺中可能会产生问题，所以必须 降低锥角。然而，由于常规蚀刻剂组合物的锥角过大，所以它不能被应用于蚀刻厚膜。 同时，根据本专利技术的用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物解决了上述问题，因而它可 以被应用于厚膜，其中，本专利技术的蚀刻剂组合物包括亚磷酸或多元碱基化合物。优选地，在 Cu基金属膜中，它可以被用于蚀刻厚度为50001或更大的铜膜或铜合金膜的厚膜。 Cu基金属膜包括铜作为组成物，并且包括铜或铜合金的单层膜；以及多层膜，所 述多层膜包括选自铜膜和铜合金膜中的至少一种以及选自钥膜、钥合金膜、钛膜和钛合金 膜中的至少一种。合金膜包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成栅极布线；b)在具有所述栅极布线的所述基板上形成栅极绝缘层；c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及e)形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，a)步骤或d)步骤包括：在所述基板或所述半导体层上形成Cu基金属膜，以及利用蚀刻剂组合物通过蚀刻所述Cu基金属膜来形成所述栅极布线或所述源电极和所述漏电极，以及所述蚀刻剂组合物是用于Cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢、亚磷酸或多元碱基化合物、以及水。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李铉奎，金镇成，梁圭亨，朴英哲，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR