粉末等离子处理装置制造方法及图纸

公开一种粉末等离子处理装置。粉末等离子处理装置包括：腔体，其用于对粉末进行等离子处理；粉末供应部，其位于所述腔体的上部；以及多个板状的面放电等离子模块，其位于所述粉末供应部的下方，并且位于所述腔体内，其中所述面放电等离子模块的面和面之间彼此相隔。这种粉末等离子处理装置能够对粉末进行均匀处理，能够通过控制粉末接触等离子的时间对粉末进行有效处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】公开一种粉末等离子处理装置。粉末等离子处理装置包括：腔体，其用于对粉末进行等离子处理；粉末供应部，其位于所述腔体的上部；以及多个板状的面放电等离子模块，其位于所述粉末供应部的下方，并且位于所述腔体内，其中所述面放电等离子模块的面和面之间彼此相隔。这种粉末等离子处理装置能够对粉末进行均匀处理，能够通过控制粉末接触等离子的时间对粉末进行有效处理。【专利说明】粉末等离子处理装置
本专利技术涉及粉末等离子处理装置，尤其涉及一种利用面放电等离子模块均匀处理粉末的粉末等离子处理装置。
技术介绍
所谓等离子(plasma)表示离子化的气体，当用能量激发由原子或分子构成的气体时，形成由电子、离子、分解的气体及光子(photon)等构成的等离子。这种等离子广泛应用于被处理物(例如，基板等)的表面处理。 公知的用于产生等离子的技术有脉冲电晕放电(pulsed corona discharge)及介电膜放电。脉冲电晕放电是利用高压脉冲电源生成等离子的技术，介电膜放电是在两个电极中的至少个电极上形成介电体并向两个电极接入具有数十Hz至数MHz频率的电源以生成等离子的技术。 介电膜放电技术中最为代表性的是介质阻挡放电(Dielectric BarrierDischarge,DBD)技术。根据采用DBD放电技术的等离子处理装置，当把被处理对象物放在平板电极之间并利用惰性气体引起介电膜放电时产生等离子，并通过向被处理对象物的表面接触等离子处理被处理对象物的表面。 但是这种等离子处理装置是将被处理对象物配置在引起放电的平板电极之间，因此当被处理对象物为基板等板形部件的情况下对其一面或两面进行处理并不难，但是当被处理对象物为粉末的情况下难以对被处理对象物的整个面进行处理。因此，当被处理对象物为粉末的情况下需要一种能够对该被处理对象物进行处理的等离子处理装置。 本专利技术人的韩国专利申请号为10-2012-0078234的管型等离子表面处理装置是当被处理对象物为粉末的情况下能够对该被处理对象物进行处理的有关等离子处理装置的现有技术。该专利能够利用等离子对粉末进行表面处理，但是无法对粉末进行均匀处理。 因此，本专利技术人发现现有技术所存在的问题，经过悉心研宄导入如下构成，解决了现有等离子处理装置所存在的问题，进而开发出了能够控制被处理对象物与等离子的接触时间，能够为粉末的均匀处理提供有效方法的粉末等离子处理装置。
技术实现思路
技术问题 本专利技术提供一种粉末等离子处理装置，是用于对粉末进行等离子处理的装置，包括:腔体，其用于对粉末进行等离子处理；粉末供应部，其位于所述腔体的上部；以及多个板状的面放电等离子模块，其位于所述粉末供应部的下方，并且位于所述腔体内，其中所述面放电等离子模块的面和面之间彼此相隔。 此时，所述面放电等离子模块的面不垂直于所述粉末的供应方向。例如，所述面放电等离子模块的上端部位于所述粉末供应部的下方，所述面放电等离子模块的下端部位于从所述上端部向一侧方向倾斜的方向，通过所述粉末供应部供应的粉末沿向一侧倾斜的面放电等离子模块的倾斜方向落下。 根据本专利技术的一个实施例，面放电等离子模块包括接入高压的高压接入电极、包覆所述高压接入电极的绝缘层及位于所述绝缘层上的接地电极，当向所述接地电极与所述高压接入电极接入交流电压时，所述接地电极的周围产生等离子，所述粉末通过所述等离子得到处理。 所述高压接入电极为基板形态，所述接地电极为条形，多个接地电极彼此并列。所述接地电极配置成与所述粉末沿所述面放电等离子模块落下的方向平行，以引导粉末的落下。 根据本专利技术的另一实施例，所述面放电等离子模块包括绝缘层、位于所述绝缘层的一面的接入高压的高压接入电极及位于所述绝缘层的另一面的接地电极，当向所述接地电极与所述高压接入电极接入交流电压时，所述接地电极或所述高压接入电极的周围产生等离子，所述粉末通过所述等离子得到处理。 所述接地电极及所述高压接入电极为条形，从所述面放电等离子模块的剖面形状来看时，所述接地电极与所述高压接入电极配置在彼此交错的位置。 根据本专利技术的又一实施例，所述接地电极为条形，所述高压接入电极为基板形态，或者所述接地电极为基板形态，所述高压接入电极为条形。 根据上述实施例，所述面放电等离子模块在所述腔体内配置成相同电极之间彼此相对。 所述装置包括倾斜调节部，其在所述腔体内将所述面放电等离子模块倾斜调节成预定角度。用于调节面放电等离子模块的倾斜角的特定方式并不是本专利技术的特征，本专利技术可采用能够调节面放电等离子模块的倾斜角的多种方式。 本专利技术的粉末等离子处理装置能够对粉末进行均匀处理，能够通过控制粉末接触等离子的时间对粉末进行有效处理。 【专利附图】【附图说明】 图1为显示根据本专利技术实施例的粉末等离子处理装置的构成的剖面图； 图2为显示图1所示面放电等离子模块的立体图； 图3为显示图2所示面放电等离子模块的A-A’线剖面图； 图4为显示根据本专利技术另一实施例的面放电等离子模块的剖面图； 图5为显示图4所示面放电等离子模块的配置形态的剖面图； 图6a及图6b为显示根据本专利技术又一实施例的面放电等离子模块的剖面图； 图7为显示图6a及图6b所示面放电等离子模块的配置形态的剖面图。 附图标记说明 110:腔体 111:粉末供应部 112:气体注入口113:气体排出口 120:面放电等离子模块121:高压接入电极 122:绝缘层123:接地电极 130:等离子电源装置 【具体实施方式】 以下参照附图详细说明根据本专利技术实施例的粉末等离子处理装置。本专利技术可做多种变更，具有多种形态，以下在附图中显示特定实施例并在说明书中进行详细说明。但是，这并非将本专利技术限定于特定的公开形态，而是包括本专利技术的思想及技术范围所包括的所有变更、等同物及替代物。在说明各附图时对类似的构成要素采用类似的附图标记。关于附图中构成物的尺寸，是为了确保本专利技术的明确性而比实际放大显示的。 第一、第二等用语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素不得限定于所述用语。所述用语使得一个构成要素区别于其他构成要素。例如，在不脱离本专利技术技术方案的前提下，可以把第一构成要素命名为第二构成要素，类似地，也可以把第二构成要素命名为第一构成要素。 本申请中所使用的用语只是为了说明特定的实施例，而并非对本专利技术进行限定。无特殊说明的情况下，单数的表现形式应理解为还包括复数的表现形式。本申请中“包括”或“具有”等用语用于说明存在说明书中所记载的特征、数、步骤、工作、构成要素、部件或其组合，而并非预先排除一个或一个以上的其他特征、数、步骤、工作、构成要素、部件或其组合的存在或附加可能性。 另外除非另有定义，包括技术用语或科学用语在内的所有用语均表示与本领域普通技术人员的通常理解相同的意思。通常使用的词典中定义的用语，应解释为与相关技术的文章脉络相一致的意思，除非在本申请中明确定义，不得解释为怪异或过于形式性的意思。 图1为显示根据本专利技术实施例的粉末等离子处理装置的构成的剖面图。 如图1所示，根据本专利技术一个实施例的粉末等离子处理装置可以包括腔体110、粉末供应部111、面放电等离子模块120。 腔体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粉末等离子处理装置，是用于对粉末进行等离子处理的装置，包括：腔体，其用于对粉末进行等离子处理；粉末供应部，其位于所述腔体的上部；以及多个板状的面放电等离子模块，其位于所述粉末供应部的下方，并且位于所述腔体内，其中，所述面放电等离子模块的面和面之间彼此相隔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石东篡，郑熔镐，郑贤永，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR