公开一种粉末等离子处理装置。粉末等离子处理装置是圆筒形面放电等离子模块的粉末等离子处理装置，所述圆筒形面放电等离子模块的外面为基板型电极层，所述基板型电极层的内面侧具有绝缘层，等离子发生电极位于所述绝缘层上，所述圆筒形面放电等离子模块进行旋转，向所述等离子发生电极和所述基板型电极层施加交流电压时所述等离子发生电极的周围产生等离子，需要进行等离子处理的粉末在所述圆筒形面放电等离子模块内被所述等离子处理。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】公开一种粉末等离子处理装置。粉末等离子处理装置是圆筒形面放电等离子模块的粉末等离子处理装置，所述圆筒形面放电等离子模块的外面为基板型电极层，所述基板型电极层的内面侧具有绝缘层，等离子发生电极位于所述绝缘层上，所述圆筒形面放电等离子模块进行旋转，向所述等离子发生电极和所述基板型电极层施加交流电压时所述等离子发生电极的周围产生等离子，需要进行等离子处理的粉末在所述圆筒形面放电等离子模块内被所述等离子处理。【专利说明】粉末等离子处理装置
本专利技术涉及粉末等离子处理装置，尤其涉及一种利用圆筒形面放电模块均匀地处理粉末的粉末等离子处理装置。
技术介绍
等离子(plasma)是指离子化的气体，当利用能量对由原子或分子构成的气体进行激发时，形成由电子、离子、分解的气体及光子(photon)等构成的等离子。这种等离子广泛利用于被处理物(例如:基板等)的表面处理。 生成等离子的技术有脉冲电晕放电(pulsed corona discharge)和介质膜放电。脉冲电晕放电是利用高电压的脉冲电源生成等离子的技术，介质膜放电是在两个电极中的至少一个电极形成电介质，向两个电极施加具有数十Hz至数MHz频率的电源以生成等离子的技术。 介质膜放电技术中最具代表性的是介质阻挡放电(DBD:Dielectric BarrierDischarge)技术。利用DBD放电技术的等离子处理装置是在平板电极之间放置被处理对象物，当利用惰性气体引发介质膜放电时产生等离子，并使等离子接触被处理对象物的表面以处理被处理对象物的表面。 但是由于这种等离子处理装置是将被处理对象物配置于引发放电的平板电极之间，因此处理如基板之类的板形构件的一面或两面时没有特别困难，但是当被处理对象物为粉末时，很难处理被处理对象物的整个面。从而被处理对象物为粉末时需要一种能够处理该被处理对象物的等离子处理装置。 有关被处理对象物为粉末时对该被处理对象物进行处理的等离子处理装置的现有技术有本专利技术人申请的韩国专利申请号为10-2012-0078234的管状等离子表面处理装置。该专利能够利用等离子对粉末的表面进行处理，但很难做到对粉末进行均匀处理。 对此，本专利技术人认识到现有技术的问题，并通过研宄导入如下构成，从而解决了现有等离子处理装置的问题，进而开发出了能够控制被处理对象物与等离子的接触时间，能够为粉末的均匀处理提供有效方法的粉末等离子处理装置。
技术实现思路
本专利技术提供一种粉末等离子处理装置，是圆筒形面放电等离子模块的粉末等离子处理装置，所述圆筒形面放电等离子模块的外面为基板型电极层，所述基板型电极层的内面侧具有绝缘层，等离子发生电极位于所述绝缘层上，所述圆筒形面放电等离子模块进行旋转，向所述等离子发生电极和所述基板型电极层施加交流电压时所述等离子发生电极的周围产生等离子，需要进行等离子处理的粉末在所述圆筒形面放电等离子模块内被所述等离子处理。 例如，所述等离子发生电极在所述绝缘层上沿所述面放电等离子模块的圆周方向相隔地排列有多个，并沿所述面放电等离子模块的长度方向延长。 再例如，所述等离子发生电极在所述绝缘层上沿所述面放电等离子模块的长度方向相隔地排列有多个，并沿所述面放电等离子模块的圆周方向延长。 根据本专利技术的一个实施例，向所述基板型电极层施加高电压，所述等离子发生电极为接地电极。 根据本专利技术的另一实施例，向所述等离子发生电极施加高电压，所述基板型电极层为接地电极。 所述装置包括驱动部。所述驱动部以所述圆筒形面放电等离子模块水平放置的状态旋转所述圆筒形面放电等离子模块。用于旋转圆筒形面放电等离子模块的特定方式不是本专利技术的特征，应该理解本专利技术中可以采用旋转圆筒形面放电等离子模块的多种方式。 所述驱动部包括旋转速度控制部。所述旋转速度控制部控制所述驱动部旋转所述圆筒形面放电等离子模块的速度。应该理解本专利技术中可以采用能够控制驱动部旋转圆筒形面放电等离子模块的速度的多种方式。 根据本专利技术的粉末等离子处理装置，粉末能够被均匀地处理，能够控制粉末接触等离子的时间，因此能够有效进行粉末处理。 【专利附图】【附图说明】 图1为显示根据本专利技术的粉末等离子处理装置的面放电等离子模块的立体图； 图2为图1的侧面图； 图3为显示根据本专利技术的粉末等离子处理装置的接地电极排列形态的另一实施例的立体图。 附图标记说明 110:面放电等离子模块111:基板型电极层 112:绝缘层113:等离子发生电极 120:等离子电源装置 【具体实施方式】 以下，参照附图详细说明根据本专利技术实施例的粉末等离子处理装置。本专利技术可以进行多种变更，可以具有多种形态，通过附图显示特定实施例并在本文中进行详细说明。但是，本专利技术并非限定于特定的公开形态，应当理解为包括属于本专利技术的思想及技术方案的所有变更、均等物以及代替物。在说明各个附图时对类似的构成要素使用了类似的附图标记。关于附图，为了使本专利技术更加明确，与实际相比放大显示了构造物的大小。 第一、第二等用语可以用于说明多种构成要素，但所述用语不得限定所述构成要素。所述用语只用以区分一个构成要素与另一构成要素。例如，在不脱离本专利技术的权利范围的情况下，第一构成要素可以命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以命名为第一构成要素。 本申请所使用的用语只是为了说明特定的实施例而使用的，并不是为了限定本专利技术。若句子中未特别言及，单数型也包括复数型。本申请中的“包括”或者“具有”等用语，是指说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在，应当理解为并非预先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在或附加可能性。 在没有另行定义的情况下，这里所使用的包括技术用语或科学用语在内的所有用语具有与本专利技术所属
中普通技术人员的通常理解相同的意思。一般使用的与词典定义相同的用语应解释为与相关技术的文章脉络所具有的意思相同的意思，当本申请没有明确定义的情况下不得解释为理想的或过分形式性的意思。 图1为显示根据本专利技术的粉末等离子处理装置的面放电等离子模块的立体图，图2为图1的侧面图。 参照图1及图2，根据本专利技术的一个实施例的粉末等离子处理装置利用圆筒形状的面放电等离子模块110。面放电等离子模块I1包括基板型电极层111、绝缘层112及等离子发生电极113。 基板型电极层111形成圆筒形状的面放电等离子模块110的外面。 绝缘层112使基板型电极层111与等离子发生电极113之间彼此绝缘，绝缘层112形成于基板型电极层111的内面侧。例如，绝缘层112可以采用MgO、MgF2、LiF、CaF2、铝、玻璃、陶瓷、氧化锰等材料。 在绝缘层112上排列有多个等离子发生电极113，在等离子发生电极113的周边生成等离子。例如，等离子发生电极113可以为条状，可从绝缘层112凸出。等离子发生电极113的排列形态例如可以是沿着圆筒形状的面放电等离子模块110的圆周方向间隔排列有多个的形态，等离子发生电极113可以是沿面放电等离子模块110的长度方向延长的形态。又例如如图3所示，等离子发生电极113可以是沿圆筒形状的面放电等离子模块110的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种粉末等离子处理装置，是圆筒形面放电等离子模块的粉末等离子处理装置：所述圆筒形面放电等离子模块的外面为基板型电极层，所述基板型电极层的内面侧具有绝缘层，等离子发生电极位于所述绝缘层上，所述圆筒形面放电等离子模块进行旋转，向所述等离子发生电极和所述基板型电极层施加交流电压时所述等离子发生电极的周围产生等离子，需要进行等离子处理的粉末在所述圆筒形面放电等离子模块内被所述等离子处理。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：石东篡，郑熔镐，郑贤永，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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