【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，包括一真空沉积腔（1）以及设于真空沉积腔（1）内的气相沉积器（2），所述气相沉积器（2）包括一坩锅（21）、盖设于坩锅（21）上敞口的多孔透气膜（22）以及设于坩锅（21）底部的进料分配器（23）；其特征在于：所述气相沉积器（2）还包括一致密外壳（24），该致密外壳（24）套于所述坩锅（21）外，坩锅（21）和致密外壳（24）间留有空间；所述致密外壳（24）的底部设有出气通道（241），所述玻璃基板（3）设于致密外壳（24）的下方与出气通道（241）相对；所述坩锅（21）内腔经多孔透气膜（22）与坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间相通，所述坩锅（21）内受热升华成气相的半导体材料穿过多孔透气膜（22）至坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间，再穿过所述致密外壳（24）底部的出气通道（241）并沉积在所述玻璃基板（3）上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，夏申江，屠友明，王芸，
申请(专利权)人：中建材光电装备太仓有限公司，中国建材国际工程集团有限公司，蚌埠玻璃工业设计研究院，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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