发光二极管封装制造技术

技术编号:11111837 阅读:377 留言:0更新日期:2015-03-05 12:23
一个实施例包括第一和第二发光芯片,该第一和第二发光芯片每个均包括:封装本体,该封装本体具有腔体;第一至第四引线框架,该第一至第四引线框架被布置在封装本体内;第一半导体层;有源层;以及第二半导体层,并且该第一和第二发光芯片发射彼此不同的波长的光,其中第一至第四引线框架中的每一个均包括:上表面部分,该上表面部分被暴露于腔体;和侧表面部分,该侧表面部分从上表面部分的一个侧部分弯曲并且通过封装本体的一个表面被暴露。另外,第一发光芯片被布置在第一引线框架的上表面部分上,并且第二发光芯片被布置在第三引线框架的上表面部分上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例涉及一种用于产生光的发光二极管封装、光源模块以及发光灯。
技术介绍
灯指的是为了特定用途而供应或者调节光的装置。作为灯的光源,可以使用白炽灯泡、荧光灯以及霓虹灯,并且近来已经使用发光二极管(LED)。LED是使用化合物半导体特性将电信号变成红外光或者其它光的元件。LED没有使用任何有害的材料,诸如汞等等,这不同于荧光灯,从而具有较少的环境污染诱因。另外,LED具有比白炽灯、荧光灯和霓虹灯长的寿命。另外,与白炽灯泡、荧光灯以及霓虹灯相比较,LED具有较低的功耗和较高的色温,从而具有优异的可视性并且减少炫光。根据其使用用途,在背光、显示设备、照明器、汽车指示灯、头灯等等中,可以利用使用LED的灯。这样的灯可以包括被安装在板上的LED封装。每个LED封装均可以包括封装本体和被布置在封装本体上的发光芯片。发光芯片在灯发光时温度增加。此温度增加可能变化发光芯片的特性(例如,发光强度和波长变化)并且,因此,有必要提供用于限制发光芯片的温度的增加的装置。
技术实现思路
技术问题实施例提供一种能够产生两种或者更多种颜色的光的发光二极管封装。技术解决方案在一个实施例中,发光二极管封装包括:封装本体,该封装本体具有腔体;第一至第四引线框架,该第一至第四引线框架被布置在封装本体内;第一发光芯片和第二发光芯片,该第一发光芯片和第二发光芯片每个均包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层,该第一发光芯片和第二发光芯片发射不同波长范围的光,其中第一至第四引线框架中的每一个均包括被暴露于腔体的上表面部分和从上表面部分的一侧弯曲的侧表面部分,该侧表面部分从封装本体的一个表面被暴露,其中第一发光芯片被放置在第一引线框架的上表面部分上,并且其中第二发光芯片被放置在第三引线框架的上表面部分上。第一引线框架可以位于第二引线框架和第四引线框架之间,并且第三引线框架可以位于第一引线框架和第四引线框架之间。第一发光芯片可以被构造成发射具有600nm~690nm的波长范围的红色光,并且第二发光芯片可以被构造成发射具有550nm~600nm的波长范围的琥珀色的光。第一至第四引线框架中的至少一个可以具有在上表面部分和侧表面部分之间的边界处的通孔。封装本体的一部分可以位于第一引线框架和第二引线框架之间、在第一引线框架和第三引线框架之间以及在第三引线框架和第四引线框架之间。第一引线框架的上表面部分和第三引线框架的上表面部分可以被彼此连接。第一引线框架的侧表面部分和第三引线框架的侧表面部分可以被彼此连接。第二引线框架的上表面部分可以被构造成包围第一引线框架的上表面部分的两个相邻的侧表面,并且第四引线框架的上表面部分可以被构造成包围第二引线框架的上表面部分的两个相邻的侧表面。第一引线框架和第三引线框架中的每一个的侧表面部分均可以包括上端部分和下端部分,并且下端部分可以在横向方向上从上端部分突出。发光二极管封装可以进一步包括:第一电线,该第一电线被构造成将第一发光芯片和第二引线框架的上表面部分彼此电连接;和第二电线,该第二电线被构造成将第二发光芯片和第四引线框架的上表面部分彼此电连接。发光二极管封装可以进一步包括:第一齐纳二极管,该第一齐纳二极管被放置在第二引线框架的上表面部分上;第二齐纳二极管,该第二齐纳二极管被放置在第四引线框架的上表面部分上;第三电线,该第三电线被构造成将第一齐纳二极管和第一引线框架的上表面部分彼此电连接;以及第四电线,该第四电线被构造成将第二齐纳二极管和第三引线框架的上表面部分彼此电连接。第一发光芯片和第二发光芯片中的每一个均可以包括:第一电极层,该第一电极层被布置在第一半导体层上;反射层,该反射层被布置在第二半导体层下;以及第二电极层,该第二电极层被布置在反射层下。第一半导体层和第二半导体层可以包括AlGaInP、AlN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs以及AlInP中的任意一个,并且第二发光芯片中的Al的含量可以大于第一发光芯片中的Al的含量。第一发光芯片中的Al的含量是0.65~0.75,并且第二发光芯片中的Al的含量是0.85~0.95。有利效果实施例可以实现两种或者更多种颜色的光的发射以及减少要被安装的发光芯片的数目和占用面积。附图说明图1是示出根据实施例的发光灯的视图。图2至图20是示出在图1中示出的光源模块的第一至第十九实施例的视图。图21是示出在图4中示出的反射图案的一个实施例的视图。图22是示出在图1中示出的光源模块的第二十实施例的视图。图23是示出在图1中示出的光源模块的第二十一实施例的平面图。图24是沿着图23中示出的光源模块的线AA’截取的截面图。图25是沿着图23中示出的光源模块的线BB’截取的截面图。图26是沿着图23中示出的光源模块的线CC’截取的截面图。图27是示出根据实施例的汽车前照灯的视图。图28是示出根据实施例的发光二极管封装的透视图。图29是示出根据实施例的发光二极管封装的顶视图。图30是示出根据实施例的发光二极管封装的前视图。图31是示出根据实施例的发光二极管封装的侧视图。图32是示出在图28中示出的第一引线框架和第二引线框架的透视图。图33是示出在图32中示出的第一引线框架和第二引线框架的各个部分的尺寸的视图。图34是示出在图33中示出的连接部分的扩大视图。图35至图40是示出根据不同实施例的第一引线框架和第二引线框架的视图。图41是示出根据另一实施例的发光二极管封装的透视图。图42是示出在图41中示出的发光二极管封装的顶视图。图43是示出在图41中示出的发光二极管封装的前视图。图44是沿着图41中示出的发光二极管封装的线CD截取的截面图。图45是示出在图41中示出的第一引线框架和第二引线框架的视图。图46是示出根据实施例的发光二极管封装的测量温度的视图。图47是示出在图28中示出的发光芯片的一个实施例的视图。图48是示出根据另一实施例的发光灯的视图。图49是示出以点光源的形式的通用汽车前照灯的视图。图50是示出根据实施例的汽车尾灯的视图。图51是示出通用汽车尾灯的视图。图52a和图52b是示出根据实施例的在汽车尾灯中使用的光源模块的发光二极管封装之间的距离的视图。本文档来自技高网...
发光二极管封装

【技术保护点】
一种发光二极管封装,包括:封装本体,所述封装本体具有腔体;第一至第四引线框架,所述第一至第四引线框架被布置在所述封装本体内;第一发光芯片和第二发光芯片,所述第一发光芯片和所述第二发光芯片每个均包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层,所述第一发光芯片和所述第二发光芯片发射不同波长范围的光,其中,所述第一至第四引线框架中的每一个均包括:上表面部分,所述上表面部分被暴露于所述腔体;和侧表面部分,所述侧表面部分从所述上表面部分的一侧弯曲,所述侧表面部分从所述封装本体的一个表面暴露,其中,所述第一发光芯片被放置在所述第一引线框架的上表面部分上,并且其中,所述第二发光芯片被放置在所述第三引线框架的上表面部分上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.08 KR 10-2012-00612891.一种发光二极管封装,包括:
封装本体,所述封装本体具有腔体;
第一至第四引线框架,所述第一至第四引线框架被布置在所述封
装本体内;
第一发光芯片和第二发光芯片,所述第一发光芯片和所述第二发
光芯片每个均包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层,所述第
一发光芯片和所述第二发光芯片发射不同波长范围的光,
其中,所述第一至第四引线框架中的每一个均包括:
上表面部分,所述上表面部分被暴露于所述腔体;和
侧表面部分,所述侧表面部分从所述上表面部分的一侧弯曲,所
述侧表面部分从所述封装本体的一个表面暴露,
其中,所述第一发光芯片被放置在所述第一引线框架的上表面部
分上,并且
其中,所述第二发光芯片被放置在所述第三引线框架的上表面部
分上。
2.根据权利要求1所述的封装,其中,所述第一引线框架位于所
述第二引线框架和所述第四引线框架之间,并且所述第三引线框架位
于所述第一引线框架和所述第四引线框架之间。
3.根据权利要求1所述的封装,其中,所述第一发光芯片被构造
成发射具有600nm~690nm的波长范围的红色光,并且所述第二发光芯
片被构造成发射具有550nm~600nm的波长范围的琥珀色光。
4.根据权利要求1所述的封装,其中,所述第一至第四引线框架
中的至少一个具有在所述上表面部分和所述侧表面部分之间的边界处
的通孔。
5.根据权利要求1所述的封装,其中,所述封装本体的一部分位
于所述第一引线框架和所述第二引线框架之间、位于所述第一引线框
架和所述第三引线框架之间以及位于所述第三引线框架和所述第四引
线框架之间。
6.根据权利要求1所述的封装,其中,所述第一引线框架的上表
面部分和所述第三引线框架的上表面部分彼此连接。
7.根据权利要求1所述的封装,其中,所述第一引线框架的侧表
面部分和所述第三引线框架的侧表面部分彼此连接。
8.根据权利要求1所述的封装,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴南锡曹永准崔广奎文永玟文善美
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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