具有优良化学耐性的发光器件和元件及相关的方法技术

本申请公开了具有优良化学耐性的发光器件和元件以及相关的方法。在一个实施例中，发光器件的元件可以包括银(Ag)部分，其可以是在衬底上的银，和设置在该Ag部分上的保护层。保护层可以至少部分地包括用于提高该Ag部分的化学耐性的无机材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本申请公开了具有优良化学耐性的发光器件和元件以及相关的方法。在一个实施例中，发光器件的元件可以包括银(Ag)部分，其可以是在衬底上的银，和设置在该Ag部分上的保护层。保护层可以至少部分地包括用于提高该Ag部分的化学耐性的无机材料。【专利说明】相关申请的交叉引用这个申请涉及并且要求2011年12月I日递交的美国专利申请序列N0.13/309，177的优先权，其披露内容因此通过引用的方式整体引入。
这里的主题一般地涉及发光器件、元件和方法。更特别地，这里的主题涉及具有改善的对可能不利地影响这种器件的亮度和可靠性的化学物质和/或化学蒸气或者气体的耐性的发光器件、元件和方法。
技术介绍
发光二极管(LED)可以用在用于提供白光(例如，感知为是白色的或者接近白色的)的发光器件或者封装中，并且正在发展成为白炽灯、荧光灯和金属卤化物高强度放电(HID)灯产品的替代物。传统的LED器件或者封装可以包括比如当暴露于各种不期望的化学物质和/或化学蒸气时可能变得失去光泽、被腐蚀或者以别的方式退化的金属迹线或者安装表面的元件。这种化学物质和/或化学蒸气可以例如通过渗透设置在这种元件上的密封剂填充材料而进入传统的LED器件中。在一个方面中，不期望的化学物质和/或化学蒸气可以包含硫、含硫化合物(例如，硫化物、亚硫酸盐、硫酸盐、硫的氧化物(SOx))、含氯和溴的复合物、一氧化氮或者二氧化氮(例如，NOx)和可以渗透密封剂并且通过腐蚀、氧化、黑化和/或暗化这种元件而物理地退化LED器件中的各种元件的氧化有机蒸气化合物(oxidizingorganic vapor compounds)。随着时间的推移,这种退化可以不利地影响传统的LED器件亮度、可靠性和/或热性质，并且可以进一步不利地影响工作期间器件的性能。 尽管市场有可用各种的发光器件，但仍然保持对于具有提高了的化学耐性的器件和元件以及用于防止不期望的化学物质和/或化学蒸气到达并且随后退化器件内的元件的相关方法的需要。这里描述的器件、元件和方法可以有益地提高对于密封的LED器件内的不期望的化学物质和/或化学蒸气的化学耐性，同时促进制造的容易性和提高在高功率和/或高亮度应用下的器件可靠性和性能。描述的方法可以使用和应用以产生任何大小、厚度和/或尺寸的耐化学腐蚀的表面贴装器件(SMD)类型的LED器件。这里描述的器件、元件和方法可以有益地使用和适用在任何形式的LED器件内，例如，包括单LED芯片、多芯片和/或LED的多阵列的器件和/或包含不同的用于本体或者基底的材料的器件，所述材料比如塑料、陶瓷、玻璃、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、印刷电路板(PCB)、金属芯印刷电路板(MCPCB)和铝板基器件。值得注意地，这里的器件、元件和方法可以通过防止银(Ag)或者镀银元件的暗化而防止包含银(Ag)或者镀银元件的器件或者封装的光学和/或热性质的退化。 图的简要说明 对于本领域普通技术人员而言，包括其最佳模式的本主题的完全的和使能性的披露在说明书的其余部分中更特别地阐述，包括对附图的参考，其中: 图1是根据这里的披露内容的发光二极管(LED)器件的第一实施例的顶部立体图； 图2是根据这里的披露内容的LED器件的第一实施例的截面图； 图3是根据这里的披露内容的LED器件的第二实施例的顶部立体图； 图4是根据这里的披露内容的LED器件的第二实施例的截面图；和 图5至13是根据这里的披露内容的LED器件的截面图。 详细说明 现在将详细参考这里的主题的可能的方面或者实施例，其一个或者多个实例显示在图中。提供每个实例是用以解释该主题并且不是作为一种限制。实际上，作为一个实施例的部分图示或者描述的特征可以用在另一个实施例中以还产生一个另外的实施例。在这里披露和预想的主题旨在覆盖这种修改和变更。 如在各个图中图示的一样，结构或者部分的一些尺寸为了图示说明的目的而相对于其他的结构或者部分放大并且因此提供以图示本主题的一般结构。而且，本主题的各个方面参考形成在其他的结构、部分、或者两者上的结构或者部分描述。如本领域技术人员将认识到的一样，对一个结构形成在另一个结构或者部分“上”或者“上方”的提及考虑可以插入有额外的结构、部分、或者两者。对于一个结构或者部分以没有插入结构或者部分的方式形成在另一个结构或者部分“上”的提及在这里描述为“直接地”形成在该结构或者部分“上”。类似地，将理解的是，当一个元件称为“连接”、“附接”或者“耦接”到另一个元件时，它可以直接地连接、附接或者耦接到该另一个元件上，或者可以存在插入元件。相反，当一个元件称为“直接地连接”、“直接地附接”或者“直接地耦接”到另一个元件时，没有插入的元件存在。 而且，比如“上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或者“底部”的相对性词语在这里使用以描述如图中图示的一个结构或者部分与另一个结构或者部分的关系。将理解的是，比如“上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下部”或者“底部”的相对性词语旨在包含器件的除了图中描述的方向之外的不同的方向。例如，如果图中的器件翻转，则描述为在其他的结构或者部分“上方”的结构或者部分现在将定向在其他的结构或者部分的“下方”。同样地，如果图中的器件沿着一个轴线旋转，则描述为在其他结构或者部分“上方”的结构或者部分现在将定向为在其他结构或者部分的“旁边”或者“左侧”。贯穿全文相同的数字指相同的元件。 除非特别指明没有一个或者多个元件，否则如这里使用的词语“包括”、“包含”和“具有”应该解释为不排除一个或者多个元件的存在的开放的词语。 根据在这里描述的实施例的发光器件可以包括II1-V族氮化物(例如，氮化镓(GaN))基发光二极管(LED)或者可以制造在生长衬底(例如，碳化硅(SiC)衬底)上的激光器，比如由北卡罗来纳州达勒姆的克利公司(Cree, Inc.0f Durham, North Carolina)制造和销售的那些器件。这里也考虑其他的生长衬底，例如但不限于蓝宝石、硅(Si)和GaN。在一个方面中，SiC衬底/层可以是4H多型体碳化硅衬底/层。然而，也可以使用其他的SiC候选多型体(比如3C、6H和15R多型体)。适当的SiC衬底可从北卡罗来纳州达勒姆的克利公司(Cree, Inc.0f Durham, N.C)(本主题的受让人)获得并且生产这种衬底的方法在科学文献中以及许多共同地转让的美国专利中阐述，包括但不限于美国专利N0.Re.34，861 ；美国专利N0.4，946，547 ;和美国专利N0.5，200, 022，其披露内容在这里通过引用的方式整体引入。在这里还考虑了任何其他适合的生长衬底。 如这里使用的，词语“III族氮化物”指氮和元素周期表的III族中的一个或者多个元素(通常为铝(Al)、镓(Ga)和铟(In))之间形成的那些半导体化合物。该词语也指二元、三元和四元化合物，比如GaN、AlGaN和AlInGaN。III族元素可以与氮化合以形成二元(例如，GaN)、三元(例如，AlGaN)和四元(例如，AlInGaN)化合物。这些化合物可以具有这样的经验公式,其中将一摩尔氮与总共一摩尔III族元素化合。因此，比如Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件的元件，所述元件包括：银(Ag)部分，至少部分地设置在所述元件的表面上；和保护层，所述保护层至少部分地设置在所述Ag部分上，所述保护层至少部分地包括用于提高所述Ag部分的化学耐性的无机材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孝本，詹姆斯·西韦特，杰西·科林·赖尔策，巴里·雷菲尔德，克勒斯托弗·P·胡赛尔，
申请(专利权)人：克利公司，
类型：发明
国别省市：美国;US