发光器件封装制造技术

一种发光器件封装，包括：封装体，具有第一腔体；电极层，包括彼此电隔离的第一电极和第二电极；发光器件，电连接到在所述封装体上的所述电极层；保护器件，布置于在所述封装体处形成的第二腔体中并且电连接到所述电极层；反射层，位于所述保护器件上；以及模制部，位于所述发光器件上，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个布置在所述封装体上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种发光器件封装，包括：封装体，具有第一腔体；电极层，包括彼此电隔离的第一电极和第二电极；发光器件，电连接到在所述封装体上的所述电极层；保护器件，布置于在所述封装体处形成的第二腔体中并且电连接到所述电极层；反射层，位于所述保护器件上；以及模制部，位于所述发光器件上，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个布置在所述封装体上。【专利说明】发光器件封装
实施例涉及一种发光器件封装和照明系统。
技术介绍
LED (发光器件)是用以将电能转换为光能的半导体器件，并且通过控制化合物半导体的组分能够再生诸如红色、绿色、蓝色和紫外线等各种波长的光，并且通过使用荧光材料或将颜色彼此组合能够发射白光。 当与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比较时，半导体发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全以及环境友好特性等优点。半导体发光器件的应用扩展到作为构成LCD (液晶显示器)背光的CCFL (冷阴极荧光灯)的替代品的发光二极管背光、作为荧光灯或白炽灯的替代品的白色发光二极管照明器件、车头灯和信号灯。 在根据相关技术的发光器件封装中，发光器件安装在封装体上，并且电极层形成在封装体上以便被电连接到发光器件。另外，具有发光材料的模制部形成在发光器件上。 根据相关技术的发光器件对抗静电放电(ESD)的能力弱。为了弥补上述劣势，齐纳二极管和LED芯片一起被安装以防止ESD。 但是，为了改善ESD特征而和LED芯片一起安装在电极上的齐纳二极管吸收了从LED芯片发射的一部分光，使得光效率降低。 例如，根据相关技术，使用硅来制造用以防止ESD的齐纳二极管。因为硅的能带隙为大约1.12eV，并且从紫外?可见光(200nm?680nm)LED发射的光子的能量在显著高于硅的能带隙的大约1.SeV至大约6.2eV的范围内，所以具有小能带隙的齐纳二极管吸收大量的光，使得光提取效率降低。 另外，根据相关技术，从LED芯片发射的一部分光被吸收在暴露于封装体上的电极中，使得光提取效率降低。
技术实现思路
技术问题 实施例提供一种能够改善光提取效率的发光器件封装和照明系统。 问题的解决方案 根据实施例，提供一种发光器件封装，包括:封装体，包括第一腔体；电极层，包括彼此电隔离的第一电极和第二电极；发光器件，电连接到在所述封装体上的所述电极层；保护器件，布置于在所述封装体处形成的第二腔体中并且电连接到所述电极层；反射层，位于所述保护器件上；以及模制部，位于所述发光器件上，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个布置在所述封装体上。 专利技术的有益效果 根据实施例的发光器件封装和照明系统，通过防止从发光芯片发射的光被吸收在保护器件和/或电极层中，能够改善光提取效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的剖面图。 图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的平面图。 图3是示出根据第一实施例的发光器件封装的另一个示例的剖面图。 图4是示出根据第二实施例的发光器件封装的剖面图。 图5是示出根据第三实施例的发光器件封装的剖面图。 图6是示出根据第四实施例的发光器件封装的剖面图。 图7至图9是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统的多个示例的分解立体图。 【具体实施方式】 下文中，将参照附图详细描述根据实施例的发光器件封装。 在实施例的描述中，应理解，当层(或膜)被称为在另一层或衬底上时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在介入层。此外，应理解，当层被称为在另一层的下方时，其可以直接在另一层的下方，或者也可以存在一个或多个介入层。另外，还应理解，当层被称为在两层之间时，其可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个介入层。 (实施例) 图1是示出根据第一实施例的发光器件封装200的剖面图，图2是示出从根据第一实施例的发光器件封装200中省略模制部260的发光器件封装的平面图。 根据第一实施例的发光器件封装可以包括:电极层220，布置在封装体210上，且具有彼此电隔离的第一电极221和第二电极222 ;发光芯片240，电连接到电极层220 ;保护器件245，电连接到在封装体210上的电极层220 ;反射层230，位于保护器件245上；以及模制部260，位于发光芯片240上。 图1示出发光芯片240可以是水平发光器件，但实施例不限于此。 封装体210可以包括表现出高反射率的材料。例如，封装体210可以具有至少95 %的反射率。因此，即使在封装体210的第一腔体处没有形成单独的反射层，仍然可以改善光提取效率。 封装体210可以包括PPA (聚邻苯二甲酰胺))、PCT (聚环己烯对苯二甲酸二甲酯(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate))、白色娃酮)以及白色 EMC(环氧树脂模塑化合物)中的至少一种，但实施例不限于此。此外，封装体210可以包括陶瓷材料。 当从顶部观察时，封装体210可以具有诸如矩形、三角形、多边形、圆形或曲线形的多种形状。封装体210可以包括多个侧边，其中至少一个侧边是竖直的或向封装体210的底面倾斜。 封装体210可以包括其中放置有第一腔体C的从一个表面向上突出的腔体壁。 封装体210可以包括由开口上部、侧边和底部限定的第一腔体C。第一腔体C可以具有杯形、腔形、或从封装体210的顶面向下凹的凹槽形，但实施例不限于此。第一腔体C的外表面可以是竖直的或向底面倾斜。第一腔体C可以具有圆形、椭圆形、多边形(例如矩形)、具有曲线边缘的多边形，但实施例不限于此。 发光芯片240可以选择性地发射具有紫外线波段至可见光波段的范围内的预定波长的光。例如，发光器件100可以选自红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、UV LED芯片或白色LED芯片。 例如，发光芯片240可以包括布置在衬底(未示出)上的发光结构(未示出)，并且发光结构可以包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。 发光芯片240包括II1-V族化合物半导体发光器件或I1-VI族化合物半导体发光器件。 例如，发光结构可以包括GaN、InN, AIN、InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs,InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP 或 InP 中的至少一种，但实施例不限于此。 电极层220可以包括具有高导电性的金属，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Pt)、锌(Sn)、银(Ag)或磷⑵中的至少一种，并且可以包括单金属层结构或多金属层结构。 第一电极221和第二电极222可以具有相同的厚度,但实施例不限于此。 根据实施例，保护器件245可以部分地布置在电极层220上。保护器件245可以由晶闸管、齐纳二极管或瞬变电压抑制器(TVS)来实施，并且保护发光芯片240免受ESD的影响。保护器件245可以电连接到发光芯片240的连接电路以保护发光芯片240。 根据相关技术，为了改善ESD特征而和LED芯片一起安装在电极上的保护器件吸收了从LED芯片发射的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装体，包括第一腔体；电极层，包括彼此电隔离的第一电极和第二电极；发光器件，电连接到在所述封装体上的所述电极层；保护器件，布置于在所述封装体处形成的第二腔体中并且电连接到所述电极层；反射层，位于所述保护器件上；以及模制部，位于所述发光器件上，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个布置在所述封装体上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴修益，林显修，郭镐相，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR