发光二极管封装制造技术

一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片以及至少一静电防护元件。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第一表面。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静电防护元件电性连接至承载部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管封装，且特别是有关于一种由壳体分隔发光二极 管芯片与静电防护元件的发光二极管封装。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点， 发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器的指示灯或光源。近年来，更由于发 光二极管朝向多色彩以及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示看 板及交通号志灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保功能的照明 灯源。图IA绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图IB绘示图IA的发光二极管封 装沿着1-1’线段的剖面图。请同时参考图IA与图1B，已知的发光二极管封装100包括一导 电架(Ieadframe) 110、一壳体(housing) 120、一发光二极管芯片130、一静电防护元件(ESD protector) 140、(conductive wire) 150(encapsuliirit) 160。冑# 120包覆部分导电架110，并具有一开口 122。发光二极管芯片130与静电防护元件140配 置于导电架110上且位于开口 122内，并且发光二极管芯片130与静电防护元件140分别 由这些导线150电性连接至导电架110。此外，封装胶体160包覆发光二极管芯片130、静 电防护元件140与这些导线150。当已知的发光二极管封装100的发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，发光 二极管芯片130所发出的部份光线会由白色的壳体120反射后，才从透明的封装胶体160 往远离导电架110的方向出射。由于已知的发光二极管封装100的静电防护元件140为非 透明元件，所以当发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，非透明的静电防护元件140将 会吸收发光二极管芯片130所发出的部分光线。因此，已知的发光二极管封装100的发光 强度会受到非透明的静电防护元件140的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装，可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发 出的光线。本专利技术提出一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片 以及至少一静电防护元件。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二 开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第 一表面。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯 片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静 电防护元件电性连接至承载部。在本专利技术的一实施例中，承载部的第一表面为一平面，且发光二极管芯片、静电防 护元件与壳体的挡墙皆配置于平面上。在本专利技术的一实施例中，发光二极管封装还包括一第一封装胶体，其填满于壳体 的第一开口中，并包覆发光二极管芯片，第一封装胶体为一透明胶体。在本专利技术的一实施例中，发光二极管封装还包括一第二封装胶体，其填满于壳体 的第二开口中，并包覆静电防护元件。在本专利技术的一实施例中，当第一封装胶体的材质相同于第二封装胶体 的材质时， 壳体的挡墙具有一背向承载部的第二表面，第二表面具有一连通第一开口与第二开口的沟 槽，第一封装胶体或第二封装胶体填满于沟槽中，且沟槽的底部相对于承载部的高度大于 发光二极管芯片的背对承载部的表面相对于承载部的高度。在本专利技术的一实施例中，静电防护元件包括齐纳二极管芯片(zener)、发光二极管 芯片、萧特基二极管芯片(Schottky diode chip)、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着 型发光二极管封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器。在本专利技术的一实施例中，当静电防护元件包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、 萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着 型萧特基二极管封装时，发光二极管芯片与静电防护元件反向并联。在本专利技术的一实施例中，承载部为一导电架。在本专利技术的一实施例中，壳体的材质为塑料、金属或金属氧化物。在本专利技术的一实施例中，第二开口位于壳体的一角落部分。基于上述，本专利技术的壳体的挡墙是位于静电防护元件与发光二极管芯片之间，故 可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线。附图说明为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下，其中图IA绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图IB绘示图IA的发光二极管封 装沿着1-1’线段的剖面图。图2A绘示本专利技术一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二 极管封装沿1-1’线段的剖面图。图3绘示本专利技术一实施例的静电防护电路的示意图。 具体实施例方式图2A绘示本专利技术一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二 极管封装沿1-1’线段的剖面图。请同时参照图2A与图2B，本实施例的发光二极管封装200包括一承载部210、一 壳体220、一发光二极管芯片230以及多个静电防护元件240，其中承载部210例如为一导 电架。壳体220包覆部分承载部210，壳体220具有一第一开口 222、多个第二开口 224 与多个挡墙226。挡墙226分隔第一开口 222与第二开口 224。第一开口 222与第二开口 224暴露出承载部210的一第一表面212。在本实施例中，第二开口 224位于壳体220的多 个角落部分228a，且第一开口 222位于壳体220的一中心部分228b，其中第二开口 224位于第一开口 222的周边。在本实施例中，壳体220的材质为塑料、金属或金属氧化物，举例来说，壳体220的 材质例如为环氧树脂(epoxy)、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、陶瓷或前述材料的组合、或是其 它适合的材料。发光二极管芯片230配置于承载部210的第一表面212上，并位于第一开口 222 中，且发光二极管芯片230可透过一导线270电性连接至承载部210。在其它实施例中，发 光二极管芯片230可透过多个凸块(未绘示)电性连接至承载部210，换言之，发光二极管 芯片230可覆晶接合至承载部210。静电防护元件240配置于承载部210的第一表面212上，并位于第二开口 224中， 且静电防护元件240可透过导线270电性连接至承载部210。具体而言，在本实施例中，挡 墙226位于静电防护元件240与发光二极管芯片230之间，以避免静电防护元件240吸收 发光二极管芯片230所发出的光线，进而提升发光二极管封装200的发光强度。在本实施 例中，承载部210的第一表面212为一平面，且发光二极管芯片230、静电防护元件240与壳 体220的挡墙226皆配置于此平面上。在本实施例中，静电防护元件240包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基 二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装、表面粘着型萧特基 二极管封装或电容器、或者是其它适于用来作为静电防护的元件。在本实施例中，当静电防护元件240为齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基 二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着型萧特 基二极管封装时，发光二极管芯片230与静电防护元件240为反向并联。图3绘示本专利技术 一实施例的静电防护电路的示意图。请参照图3，发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装，包括：一承载部；一壳体，包覆部分该承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，该挡墙分隔该第一开口与该第二开口，该第一开口与该第二开口暴露出该承载部的一第一表面；至少一发光二极管芯片，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第一开口中，且该发光二极管芯片电性连接至该承载部；以及至少一静电防护元件，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第二开口中，且该静电防护元件电性连接至该承载部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈义文，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]