本发明专利技术提供一种发光装置。即便为在安装基板内置ESD保护元件的结构，也能够防止发光元件的发光效率的降低，并且能够防止发光元件的安装不良的产生。发光装置(10)具备：发光元件(2)；以及安装基板(11)，该安装基板(11)具有安装发光元件(2)的第一面(11A)、以及与第一面(11A)相对置的第二面(11B)，该安装基板(11)具备设置于第二面(11B)侧并与发光元件(2)连接的半导体静电放电保护元件部(15)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种发光装置。即便为在安装基板内置ESD保护元件的结构，也能够防止发光元件的发光效率的降低，并且能够防止发光元件的安装不良的产生。发光装置(10)具备：发光元件(2)；以及安装基板(11)，该安装基板(11)具有安装发光元件(2)的第一面(11A)、以及与第一面(11A)相对置的第二面(11B)，该安装基板(11)具备设置于第二面(11B)侧并与发光元件(2)连接的半导体静电放电保护元件部(15)。【专利说明】发光装置
本专利技术涉及具备发光元件以及供发光元件安装的安装基板的发光装置。
技术介绍
近年来，使用了作为消耗功率较少且寿命较长的发光装置的半导体发光二极管(以下，LED:Light Emitting D1de发光二极管)装置的照明装置正在普及。照明装置等所使用的LED装置具备作为发光元件的LED元件以及安装有LED元件的安装基板。安装基板由氧化铝等陶瓷构成。上述的LED装置安装于构成照明装置的电路基板。 以往的LED装置为了防止LED元件被静电破坏，而具备对LED元件进行保护以避免静电影响的静电放电(以下，ESD:Electro Static Discharge)保护元件。作为ESD保护元件使用变阻器、齐纳二极管等。在以往的LED装置中，ESD保护元件与LED元件一同安装于安装基板的一个面。 但是，在上述的以往的LED装置中，为了将LED元件与ESD保护元件并排地安装于安装基板的一个面，而使安装基板的面积增大，从而LED装置的小型化较困难。因此，提出有在安装基板的第一面安装LED元件，在与第一面相对置的第二面安装ESD保护元件的LED装置(例如，参照专利文献I。)。 此处，对以专利文献I为参考的发光装置的结构进行说明。图8(A)是以专利文献 I为参考的发光装置101的示意图。如图8(A)所示，发光装置101具备:LED元件102、ESD保护元件106以及安装基板110。 LED元件102安装于安装基板110的第一面。LED元件102通过线104与安装基板110的电极电连接。在安装基板110的第一面以在LED元件102的周围形成空间的方式设置有壁部120。由壁部120形成的LED元件102的周围的空间被透明密封体130密封。透明密封体130含有对从LED元件102产生的紫外线进行吸收的紫外线吸收剂、使单色光变换成白光的荧光体等。ESD保护元件106安装于安装基板110的与第一面相对置的第二面。ESD保护元件106通过线108与安装基板110的电极电连接。在安装基板110的第二面以在ESD保护元件106的周围形成空间的方式设置有具有开口部的第二基板140。由第二基板140形成的ESD保护元件106的周围的空间被密封体150密封。发光装置101是侧面型LED装置。 在发光装置101中，存在因在LED元件102产生的热，使LED元件102的发光效率降低、使透明密封体130所含有的荧光体等劣化的情况。因此，期望将在LED元件102产生的热有效地释放至外部。然而，在发光装置101中，将ESD保护元件106、第二基板140、密封体150设置于安装基板110的第二面，因此无法将在LED元件102产生的热从安装基板110的第二面直接释放。因此，在发光装置101中，散热性不得不降低。另外，在发光装置101中，在安装基板110的相互相对置的两个面分别安装有LED元件102与ESD保护元件106，因此也存在低背化较困难的问题。 因此，提出有设置有贯通安装基板的散热过孔，将作为ESD保护元件的变阻器设置于安装基板的LED装置(例如，参照专利文献2)。 此处，对以专利文献2为参考的发光装置的结构进行说明。图8 (B)是以专利文献2为参考的发光装置201的示意图。如图8(B)所示，发光装置201具备:发光二极管元件220、陶瓷基板212以及变阻部210。陶瓷基板212是安装基板，具备:安装电极213A、213B、导热体部215、端子电极216A、216B、外部导热体部217、以及连接电极219A、219B。 发光二极管元件220安装于陶瓷基板212的第一面。变阻部210构成ESD保护元件，并设置为包围陶瓷基板212的第一面的安装有发光二极管元件220的区域。玻璃陶瓷层214设置于变阻部210的上方。 安装电极213A、213B设置于陶瓷基板212的第一面侧，并通过导电性粘合剂222与发光二极管元件220的电极连接。端子电极216A、216B设置于陶瓷基板212的与第一面相对置的第二面，并通过连接电极219A、219B与安装电极213A、213B连接。导热体部215被设置为贯通陶瓷基板212，并通过导电性粘合剂222与发光二极管元件220连接。S卩，导热体部215为散热过孔。外部导热体部217设置于陶瓷基板212的第二面，并与导热体部215连接。 在发光装置201中，能够将在发光二极管元件220产生的热经由导热体部215从外部导热体部217释放至外部，因此能够提高散热性。另外，变阻部210被设置为包围陶瓷基板212的第一面的安装有发光二极管元件220的区域，因此在发光装置201中能够实现小型化与低背化。 在发光装置201中，来自外部的静电经由外部导热体部217以及导热体部215流入变阻部210。此时，存在电场集中在导热体部215的上端、下端的附近，从而在导热体部215容易产生金属熔断的问题。为了防止由上述的电场的集中而导致的导热体部的金属熔断的产生，考虑设置多个导热体部、使导热体部增大，但在该情况下，发光装置的小型化变得困难。 因此，提出有使用由导热率比氧化铝等陶瓷高的硅构成的安装基板，将作为ESD保护元件的齐纳二极管内置于安装基板的LED装置(例如，参照专利文献3)。 此处，对以专利文献3为参考的发光装置的结构进行说明。图8(C)是以专利文献3为参考的发光装置301的示意图。如图8(C)所示，发光装置301具备发光元件311以及齐纳二极管321。 发光元件311具备:蓝宝石基板312、半导体化合物层313、n侧电极314、以及P侧电极315。半导体化合物层313形成于蓝宝石基板312，并由包含作为发光层的InGaN活性层的多个层构成。而且，在半导体化合物层313的与蓝宝石基板312侧的面相对置的面设置有η侧电极314与P侧电极315。η侧电极314设置于形成为半导体化合物层313中的一个层的η型层。P侧电极315设置于形成为半导体化合物层313中的一个层的ρ型层。在η侧电极314接合有微凸块316，在ρ侧电极315接合有微凸块317。 齐纳二极管321构成为以η型硅基板322为基体材料的安装基板。在η型硅基板322的底面设置有η侧电极323。在η型硅基板322的上表面设置有覆盖η型硅基板322的表面的一部分的区域的氧化膜324。在η型硅基板322的表面的未被氧化膜324覆盖的区域分别设置有P型半导体区域325与η侧电极327。在ρ型半导体区域325的上表面设置有P侧电极326。在齐纳二极管321中，ρ型半导体区域325与η型硅基板322构成ρη结。 齐纳二极管321通过导电性的Ag糊剂332安装于作为外部的电路基板的安装部331上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备：发光元件；和安装基板，其具有安装所述发光元件的第一面、和与所述第一面相对置的第二面，该安装基板具备设置于所述第二面侧并与所述发光元件连接的半导体静电放电保护元件部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：福光政和，佐佐木秀彦，山本悌二，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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