半导体封装件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片阻挡层、元件阻挡层、芯片及框体。基板具有上表面且包括芯片接垫及元件接垫。芯片阻挡层形成于芯片接垫上。元件阻挡层形成于元件接垫上。芯片对应芯片接垫的区域设于基板上并电性连接于芯片接垫。框体形成于基板的上表面的边缘区，框体具有一凹部，凹部露出芯片及元件阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。半导体封装件包括基板、芯片阻挡层、元件阻挡层、芯片及框体。基板具有上表面且包括芯片接垫及元件接垫。芯片阻挡层形成于芯片接垫上。元件阻挡层形成于元件接垫上。芯片对应芯片接垫的区域设于基板上并电性连接于芯片接垫。框体形成于基板的上表面的边缘区，框体具有一凹部，凹部露出芯片及元件阻挡层。【专利说明】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有凹部的。
技术介绍
在半导体模组制程中因为元件的需求会有不同封装胶体高度与位置的设计。为了满足此需求，一般来说，会于模具上设计一对应形状的模穴来形成封装胶体设计。然而，以模具设计来达成需求的方式具有成本高、需配合修模、耗时等缺点。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，可采用模具以外的方式，满足因元件的需求而产生的不同封装胶体高度与位置的设计。 根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片阻挡层、一元件阻挡层、一芯片及一框体。基板具有一上表面且包括一芯片接垫及一元件接垫。芯片阻挡层形成于芯片接垫上。元件阻挡层形成于元件接垫上。芯片对应芯片接垫的区域设于基板上并电性连接于芯片接垫。框体形成于基板的上表面的边缘区，框体具有一凹部，凹部露出芯片及元件阻挡层。 根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，基板具有一上表面且包括一芯片接垫及一元件接垫，芯片接垫上形成有一芯片阻挡层，而元件接垫上形成有一元件阻挡层；形成一遮盖层覆盖芯片阻挡层；形成一框体材料包覆遮盖层及元件接垫；于框体材料形成一凹部,使框体材料成为一框体,凹部露出芯片及元件阻挡层；移除遮盖层，以露出芯片阻挡层；以及，设置一芯片于芯片阻挡层上。 为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下: 【专利附图】【附图说明】 图1A绘示了依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。 图1B绘示了图1A的半导体封装件的俯视图。 图2至4绘示了依照本专利技术其它实施例的凹部的俯视图。 图5A绘示了依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图5B绘示了图5A的俯视图。 图6绘示了依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。 图7A至7G绘示了图1A的半导体封装件的制造过程图。 图8绘示了依照本专利技术另一实施例的遮盖层的剖视图。 图9A至9E绘示了图6的半导体封装件的制造过程图。 主要元件符号说明 100、200、300:半导体封装件 110:某板 111:芯片接垫 112:元件接垫 112a、140a:凹口 112u、113u、150u、160u、360u:上表面 113:保护层 113a:开孔 120:芯片 121:电性接点 130:芯片阻挡层 140:元件阻挡层 150:框体 150':框体材料 150a:凹部 150s:内侧面 150sl:下缘 151:外侧区域 160,360:遮盖层 160s、360s:外侧面 161:基材 162:黏贴层 170:真空吸头 L:紫外光 T1、T2、T3:厚度 Wl:宽度 【具体实施方式】 请参照图1Α，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、至少一芯片阻挡层130、至少一元件阻挡层140及框体150。 基板110例如是单层基板或多层基板。基板110包括至少一芯片接垫111。本实施例中，芯片120以其主动面朝下方位设于芯片接垫111上方，且透过至少一电性接点121电性连接于芯片接垫111，其中电性接点121例如是焊料凸块或导电柱。芯片阻挡层130形成于芯片接垫111上，可保护芯片接垫111。 基板110还包括至少一元件接垫112及保护层113。及元件阻挡层140别形成于元件接垫112上。保护层113具有数个露出芯片接垫111及元件接垫112的开孔113a。由于保护层113的开孔113a露出元件阻挡层140，使在以激光对框体150进行穿孔的制程中，激光可透过开孔113a接触到元件阻挡层140。元件阻挡层140例如是金属阻挡层，其可抵抗激光能量，使得在激光穿孔制程中，激光遇到元件阻挡层140后移除率下降，进而避免过度移除元件阻挡层140及/或元件接垫112的材料。如图1A的放大图所示，元件阻挡层140仅部分被破坏，而形成一凹口 140a或粗糙上表面。。 框体150可包括酌.醒基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-basedresin)、娃基树脂(silicone-based resin)或其他适当的包覆剂。框体150亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成框体150，例如是压缩成型(compress1n molding)、液态封装型(liquid encapsulat1n)、注身寸成型(inject1nmolding)或转注成型(transfer molding)。 框体150形成于保护层113的上表面113u的边缘区。框体150具有露出芯片120及元件阻挡层140的凹部150a，可使另外的电子元件(未绘示)经由凹部150a设于露出的元件阻挡层140上，其中电子元件例如是芯片、半导体封装件、被动元件、基板、电性接点或其它适合电子元件。 框体150具有内侧面150s，内侧面150s经过激光整平，而形成一整平垂直面,其大致上垂直于保护层113。如此，可避免内侧面150s的下缘150sl过度接近元件接垫112而挤压设于其上的电子元件(未绘示)的设置空间。 如图1B所示，其绘示图1A的半导体封装件的俯视图。凹部150a例如是矩形凹部；。框体150是一封闭环形框体，其环绕芯片120、芯片接垫111与元件接垫112。另一例中，框体150可以是一开放环形框体。此外，元件接垫112 (图1A)的区域不限于在半导体封装件100的边缘区域，其可以位于任意区域。相似地，芯片接垫111的区域不限于在半导体封装件100的中间区域，其可以位于任意区域。 请参照图2至4，其绘示依照本专利技术其它实施例的凹部的俯视图。如图2所示，框体150的凹部150a可以是椭圆形凹部。如图3所示，框体150的凹部150a可以是三角形。如图4所示，框体150的凹部150a可以是多边形。虽然图未绘示，然本专利技术其它实施例的凹部150a可以是圆形、梯形凹部或其它由直线、曲线或其组合建构的外形。 请参照图5A，其绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件200包括基板110、芯片120、至少一芯片阻挡层130、至少一元件阻挡层140及框体150。 与图1A的半导体封装件100不同的是，本实施例的元件阻挡层140的整个厚度被贯穿，使元件接垫112形成一凹口 112a ;即使如此，由于元件阻挡层140的设计，使元件接垫112的厚度不会过度被移除。 请参照图5B，其绘示图5A的俯视图。由于元件阻挡层140的整个厚度被贯穿，而露出元件接垫112的至少一部分，亦即，有些元件阻挡层140未整个被移除，而有些元件阻挡层140是整个被移除。 请参照图6，其绘示依照本专利技术另一实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：一基板，具有一上表面且包括一芯片接垫及一元件接垫；一芯片阻挡层，形成于该芯片接垫上；一元件阻挡层，形成于该元件接垫上；一芯片，对应该芯片接垫的区域设于该基板上并电性连接于该芯片接垫；以及一框体，形成于该基板的该上表面的边缘区，该框体具有一凹部，该凹部露出该芯片及该元件阻挡层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：皮敦庆，叶勇谊，方绪南，李俊哲，陈仁君，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71