一种精确控制深度的微纳米结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种精确控制深度的微纳米结构的制作方法，属于先进材料和微纳米结构加工技术领域，该制作方法选择耐刻蚀的材料作为刻蚀截止层，利用成膜技术在其表面形成一层厚度为目标深度的结构层材料；然后在结构层表面涂覆一层抗蚀剂，利用微纳加工工艺在抗蚀剂上制作出所需的微纳米结构；以抗蚀剂微纳结构为掩模，通过刻蚀传递工艺将微纳结构转移到结构层材料上，直至到达耐刻蚀的刻蚀截止层，刻蚀终止；去除残留在结构层上的抗蚀剂，得到深度为目标值的微纳米结构，将深度精度提高到了±5纳米。本发明专利技术成本低廉、加工图形区域面积大、精确度高、均匀性好，推进了高精度光学器件在科研和生产中的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种精确控制深度的微纳米结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：步骤(1)、选择耐刻蚀的材料作为刻蚀截止层，刻蚀截止层可以是耐刻蚀材料组成的基片，也可以是在其他材质的基底上形成的一层耐刻蚀材料膜层，利用烯酸、烯碱、酒精或者丙酮溶液将其浸泡清洗，然后利用超纯水超声清洗干净待用；步骤(2)、利用常用的成膜技术在刻蚀截止层表面形成一层厚度为高精度目标深度的结构层材料；步骤(3)、在结构层表面涂覆一层制作微纳米结构的抗蚀剂；步骤(4)、利用现有的微纳加工工艺在抗蚀剂上制备出所需要的微纳米结构；步骤(5)、利用刻蚀传递过程，以抗蚀剂图形为掩模层，调节刻蚀参数，将抗蚀剂图形传递至结构层，直至传递到刻蚀截止层，刻蚀终止，去除掉残留在结构层上的抗蚀剂材料，获得深度为目标值的微纳米结构图形，提高了结构的制作精度，深度的精度由成膜精度和刻蚀精度来决定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓启凌，张满，秦燕云，史立芳，曹阿秀，庞辉，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51